|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
等离子体处理危险废物技术、废气技术
利用大功率等离子体处理危险有害的废弃物和一般的焚烧方式大不一样，等离子体火炬的中心温度可高达摄氏2～3万度，火炬边缘温度也可达到3千度左右。当高温高压的等离子体去冲击被处理的对象时，被处理物的分子、原子将会重新组合而生成新的物质，从而使有害物质变为无害物质，甚至能变为可再利用的资源。
科利尔（青岛）环境技术有限公司
2023-03-03
煤矿井下 煤矿井下 静态 破碎 开挖技术 技术
静态破碎开挖技术是利用装在炮眼中的静态破碎剂的水化反应，使晶体变形，产生体积膨胀，从而缓慢地和静静地将此膨胀压力施加给炮眼壁，由于受到炮眼壁的约束，这种膨胀压力转化为拉伸应力，产生拉应变。当炮眼壁的拉应变超过材料的极限拉应变时，炮眼壁开裂、破碎。
静态破碎剂性能可靠，破裂速度较快，破碎效果好，施工简单方便，安全性好，不影响周边其他工作，在环境复杂不宜采用爆破方法的特殊部位，比如靠近煤层的地点，或是附近有管道、设备等，采用静态破碎技术可以提高施工速度，减低工人劳动强度，做到安全施工，具有显著的社会效益和经济效益。
安徽理工大学
2021-04-13
海南省科学技术厅关于开展2023年度科技企业孵化器、众创空间和大学科技园认定和考核的通知
为进一步推进我省科技企业孵化器、众创空间和大学科技园发展，鼓励大众创新创业，营造我省良好的创新创业环境，激发全社会创造活力，根据《海南省科技创新创业平台管理办法》（琼科规〔2020〕15号）相关规定，现将2023年度海南省科技企业孵化器、众创空间和大学科技园认定和考核工作的有关事项通知如下
省科学技术厅
2023-07-13
福建省财政厅 福建省科学技术厅关于安排国家重点研发计划2022年度部省联动项目配套经费的通知
根据《科技部关于发布国家重点研发计划“乡村产业共性关键技术研发与集成应用”等重点专项2022年度部省联动项目申报指南的通知》（国科发资〔2022〕127号）要求，经研究，现下达你单位国家重点研发计划2022年度部省联动项目“高抗优质大黄鱼创新与新品种培育”项目配套经费423.39万元，该配套经费一般公共预算支出功能分类科目列“2060499其他技术研究与开发支出”科目、政府预算支出经济分类科目列“59999其他支出”、部门预算支出经济分类科目列“39999其他支出”。
厅资配处
2023-07-20
山西省科学技术厅关于印发《科技支撑煤层气产业高质量发展三年行动方案（2023-2025年）》的通知
为深入贯彻落实习近平总书记“四个革命、一个合作”能源安全新战略，推进能源革命综合改革试点，全力提升科技创新对煤层气产业高质量发展的支撑引领作用，省科学技术厅研究制定了《科技支撑煤层气产业高质量发展三年行动方案（2023-2025年）》，现予以印发，请遵照执行。
山西省科技厅能源与节能环保科技处
2023-07-03
中共湖北省委组织部 湖北省科学技术厅关于开展2023年湖北省“楚天英才计划” 科技创新团队项目申报工作的通知
为培养造就一批有效提升创新策源能力和产业链现代化水平的一流创新团队，根据《2023年湖北省“楚天英才计划”科技创新团队项目实施方案》精神，现就做好“楚天英才计划”科技创新团队（以下简称科技创新团队）项目申报工作通知如下
中共湖北省委组织部 湖北省科学技术厅
2023-07-12
海南省科学技术厅关于第一批海南省“南海新星”科技创新人才平台项目拟入选人员名单的公示
根据《海南省“南海新星”项目实施办法》（琼人才办通〔2023〕2号）、《关于开展第一批海南省“南海新星”项目申报评选工作的通知》（琼人才办通〔2023〕6号）等要求，经申报受理、资格审查、专家评审、部门审议等程序，现将第一批海南省“南海新星”科技创新人才平台项目拟入选人员名单予以公示。
省科学技术厅
2023-08-07
四川省科学技术厅等10部门印发《关于全面深化职务科技成果权属制度改革的实施方案》的通知
为深入贯彻习近平总书记关于 “在推进科技创新和科技成果转化上同时发力 ”的重要指示要求，进一步完善职务科技成果权属改革政策体系，打通科研单位科技成果转化 “最后一公里 ”，加速科技成果向现实生产力转化，制定如下实施方案。
四川省科学技术厅
2024-01-19
系列高压集成技术
本成果包括系列基于硅基或SOI基材料的高压集成技术，可用于700V AC-DC电源管理IC、600V/1200V高压栅驱动IC、不同电压需求的高压开关IC、D类功率放大器、电机驱动IC等的研制，满足照明、工业控制、汽车电子、电机驱动、消费电子等领域的需求。具体包括： 硅基：（1）超低比导通电阻700V单晶型BCD工艺；（2）600V外延型BCD工艺；（3）1200V外延型BCD工艺；（4）48V高功率BCD工艺；（5）40V高压双极型工艺。 SOI基：（1）600V 厚层SOI BCD工艺；（2）650V薄层SOI高压CDMOS工艺；（3）300V薄层SOI高压CDMOS工艺；（4）200V薄层SOI高压CDMOS工艺；（5）100V薄层SOI高压CDMOS工艺；（6）40V薄层SOI高压CDMOS工艺；（7）-200V SOI高压CDMOS工艺；（8）-100V SOI高压CDMOS工艺。
电子科技大学
2021-04-10
指纹识别技术
包括基于流量分析的移动应用指纹识别技术以及基于应用程序和浏览器的设备指纹识别技术等。移动应用指纹识别技术通过综合应用动态流量采集和静态特征抽取技术，在保证应用规模和流量覆盖率的前提下，实现流量数据的大规模自动化采集。设备指纹识别技术针对Android系统终端，在零权限的前提下分别基于应用程序和浏览器提取层次化标识符组合形成指纹实现设备识别。
东南大学
2021-04-11