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变温霍尔效应测试仪 COC-BWHL
实验内容
1、了解 HALL 效应的基本原理；
2、测量 HALL 样品在恒定磁场条件下，霍尔工作电
流与霍尔电压的函数关系；
3、测量 HALL 样品在恒定霍尔工作电流条件下，霍
尔电压与外加磁场的关系；
4、测量变温情况下，温度与霍尔系数，载流子浓度
之间的关系；
5、通过实验得出在不同温度下样品的霍尔系数和载
流子浓度，计算禁带宽
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
YZZ-10 直流电阻测试仪
产品详细介绍YZZ-10 直流电阻测试仪 仪器仪表 >> 电工及自动化仪表 >> 电阻测量仪
一．概述
本直流电阻测试仪采用单片机控制，大屏幕汉字液晶显示，具有打印输出功能（及232接口）。仪器八个档位均由软件校正，精度达万分之一。可自动换档。机器体积小、重量轻、耗电省、测试数据稳定可靠。是取代直流单、双臂电桥的高精度换代产品。是测量电力变压器等各种感性负载电阻及低压开关接触电阻、电线电缆或焊缝接口电阻的理想仪器。
二．工作原理
本仪器内有一个直流恒流源。在测量时，机器向被试品馈入恒流，该电流在被测体上产生相应的压降，这一电压值取回本机，经放大采样计算后得出电阻值。（R=U/I）
三．技术指标
1、使用条件：
环境温度： -15℃～40℃
相对温度： ≤85％RH
2、测量范围：1K档：1---999.9Ω; 1Ω档：0.1 ---999.9mΩ
3、测量精度：0.2%±5个字
4、分辨率： 1μΩ
5、恒流源： 1A/5ma（2A/10ma）
6、可交流 （AC220V）工作也可直流工作 功耗：≤15W(25W)
7、外形尺寸：330×300×160mm
8、重量： 3.8kg
2KΩ
陕西意联电子科技有限公司
2021-08-23
MXY5003光纤耦合与特性测试实验系统
一、产品简介
在光纤的使用过程中，光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题：1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤；2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。这两种情况都要考虑一系列因素，包括光纤的数值孔径、光纤的纤芯尺寸、光纤纤芯的折射率分布等，除此之外还要考虑光源的尺寸、辐射强度和光功率的角度分布等。每种连接方法都会受制于一些特定的条件，它们在连接点处都将导致不同数量的光功率损耗。这些损耗取决于一定参数，诸如连接点的输入功率分布、光源与连接点之间的光纤长度、在连接点处相连的两根光纤的几何特性与波导特性以及光纤头端面的质量等等。此外，多模光纤之间的连接和单模光纤之间的连接所产生的光功率损耗也有较大差异，需要区别对待。
该实验仪就是我公司针对以上问题而开发的，通过实验平台的搭建，可以让学生更深刻的了解光纤耦合的相关参数和特性，也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力。
二、实验内容
1、650nm激光器与光纤耦合实验
2、1550nm光纤激光器与光纤耦合实验
3、相同模式光纤之间耦合实验
4、不同模式光纤之间耦合实验
5、光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验
三、实验配置参数
1、平台组件，导轨长度：500mm；
2、光源，波长650/1550±2nm；输出功率≥0.5mW；输出尾纤FC/PC(可定制)；
3、光功率计：400-1100nm；输入接口：航空插头；校准波长633nm；测量范围：-65dB~10dB；
4、软件：配套仪器使用，数据采集处理；
5、配置：光源，光功率计，光纤跳线，法兰盘，准直器，显微物镜，实验操作平台，实验指导书及实验录像光盘等。
天津梦祥原科技有限公司
2021-12-17
MXY8301 LED/LD光谱分布测试仪
一、产品介绍
“MXY8301 LED/LD光谱分布测试仪”是一款能够探测与分析各种光源在可见谱区范围内分布的“CCD快速光谱仪”，它的探测器是线阵CCD多通道探测器，能够探测各种颜色LED发光管和其他发光体的光谱分布。
由以下几部分构成：由狭缝、分光光栅、凹面镜和线阵CCD光谱探测器等部件构成；
狭缝：仪器信号光输入口为可调缝宽的狭缝（缝宽可调）；
被测LED安装装置：用来安装被测LED等光源；
被测LD安装装置：用来安装被测LD光源；
衍射光栅：采用600lp/mm的衍射光栅对入射光进行分光；
凹面镜：将分出的发射光谱汇聚到线阵CCD像敏阵列上；
光谱探测器：用线阵CCD传感器为探测器，以便同步获得更多的光谱谱线；
数据采集：仪器采用12位A/D数据采集系统；以便获得更高的“强度”分辨率；
接口方式：采用0接口方式与计算机连接；
二、教学目的
1、能够同步快速探测可见光范围的多通道光谱，并对谱线进行分析；
2、进行“LED光谱分布的测量实验”，学习光谱探测原理与光谱分析方法；
3、进行“LED发光光谱半宽度的测量实验”认识LED发光光谱特性和测量方法；
4、利用设备提供的“SDK”软件开发包进行课程设计与毕业设计；
三、实验内容
1、测试各种颜色LED的光谱分布；
2、测试LD半导体激光器的光谱分布；
3、测试其他光的光谱分布；
天津梦祥原科技有限公司
2021-12-17
MICROTEST 7631耐压测试仪/AC/DC/绝缘阻抗
7631耐压测试仪
–True RMS 量测线路
–可设定爬升时间 (0.1s-10s)
–支持 Remote 远程控制信号
–7630 为 2 通道测试、7631 为 8 通道测试
–USB Host 可储存配置文件案及韧体的更新
–电弧侦测功能检测线圈是否有细微的放电现象
–提供 AC 耐压 5000V、DC 耐压 6000V、绝缘阻抗 12GΩ
– 7631 可外接 7508/7516(8/16) 信道扩充扫描盒，满足车用线或 PCB车用测试
‒高压输出安全开关，进行测试时需要将此端口进行短路机台才能输出测试电压
‒测试运行中若该端口发生开路现象，机台会立即停止测试(停止输出电压)
‒机台画面同步会显示INTER LOCK
‒抗电强度
确保电子材料足以抵抗瞬间高电压的测试
例如：检测制程造成的漏电距离和电气间隙不足的瑕疵产品
‒漏电流
预防产品发生故障或瑕疵所导致的危害，进行漏电流测试，如确保线材
绝缘层因制程破坏导致线材本身产生超出漏电流规范值的不良情况
‒绝缘电阻
在某些安全规范下，会先要求做决元电阻，再进行耐压测试，主要检测产
品的绝缘特性是否符合标准范围，测试结果以电阻值Ω表示
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东莞中逸-益和MICROTEST
2022-06-29
自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷
北京科技大学特种陶瓷研究室开发出一种自蔓延反应烧结氮化硅/氮化硼复相可加工陶瓷材料，其应用前景极其广阔。 Si和N2合成Si3N4反应的绝热燃烧温度高，体积有所增加，生成棒状的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反应烧结氮化硅多孔陶瓷的强度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但烧结性能差。本项目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，当加工时，弱界面上会形成微裂纹，并沿弱界面发生偏转，耗散裂纹扩展的能量使裂纹扩展终止；当载荷继续上升时，在下层的弱结合界面处将产生新的临界裂纹再扩展；如此反复，使裂纹成为跳跃式阶梯状扩展，断裂渐次发生而非瞬间脆断，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本项目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉为原料的普通烧结工艺节约了原料成本。产品的基本工艺为自蔓延高温合成（燃烧合成）工艺，在气体高压反应器中进行，烧结所需要的能量完全由原料自身放热提供，与其他制备方法（常压烧结、热压烧结、反应烧结）相比较，不需要高温烧结炉长时间烧结，大大节省了能源。本项目工艺简单，烧结速度快，效率高。可制作复杂形状一维，二维的大尺寸陶瓷材料。抗弯强度已做到188MPa，材料可加工性能优良。 已获中国发明专利《ZL 200610089013.6自蔓延反应烧结Si3N4/BN复相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大学
2021-04-11
北京科技大学液相色谱质谱联用仪公开招标公告
北京科技大学液相色谱质谱联用仪招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司电子邮箱获取招标文件，并于2022年07月11日13点30分（北京时间）前递交投标文件。
北京科技大学
2022-06-21
一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法
本发明公开了一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法，其工艺步骤为：按照Cd2+与Te(Ⅳ)的摩尔比为0.9～1.1的配比在酸中溶解镉和碲的氧化物、氢氧化物或盐，配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的浓度为0.2～1mol/L的溶液；然后将该溶液置于恒温水浴锅中，恒温温度为20～90℃；接着滴加入浓度为0.2～1mol/L的还原剂溶液，并不断搅拌，直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te(Ⅳ)离子物质的量和的3～5倍为止；反应结束后，将溶液过滤，滤出物置于真空干燥箱烘干，再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中，再在150℃～450℃下反应0.5～4h，冷却至室温即得碲化镉粉末。
四川大学
2021-04-11
一种六方相WO3纳米管及其制备方法
本发明公开了一种六方相WO3纳米管及其制备方法。称取3mmoL二水合钨酸钠(Na2WO4·2H2O)到50毫升的烧杯中；加入适量草酸胺((NH4)2C2O4)和20毫升蒸馏水，磁力搅拌10-15分钟；再加入10毫升浓度8mol/L的盐酸，继续搅拌30-50分钟；将反应混合液转移至40毫升带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，设置一定的温度，反应20-30小时；自然冷却至室温，即得本发明的六方相WO3纳米管。六方相WO3纳米管产量高，尺寸细小，分布均匀。管外径为8～12nm之间，管壁厚度为2～4nm之间
安徽建筑大学
2021-01-12
一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
本发明公开了一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法，属于化学功能材料领域。该制备方法以三异丙醇氧钒为溶质制备前驱液，将所得前驱液涂于蓝宝石衬底制备前驱物薄膜，最后将前驱物薄膜置于真空环境中烧制而成。本发明在液相法的基础上，通过控制真空烧结条件制备二氧化钒薄膜，所获得的薄膜均具有良好的生长取向，相变温度为60°C左右，相变前后电阻率的变化在三个量级以上；且制备工艺简单，适合大范围推广。
安徽建筑大学
2021-01-12