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核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管,二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc,是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学 2021-04-14
高性能红外光电探测器件
红外光电探测器在国防军事方面有重要的应用前景,比如红外制导、红外追踪、夜视仪等等。目前国外使用的主流红外光电探测器是基于碲镉汞的制冷型探测器和氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器。对于碲镉汞探测器来说,一方面在高质量的材料生长上存在很大的挑战;另一方面它需要辅助制冷装置来提供 77 K 的低温环境,极大地限制了其便携性和广泛使用性。而基于氧化钒/非晶硅的非制冷型探测器由于其热辐射引发电阻变化的机制极大地限制了探测率(小于 10
南京大学 2021-04-14
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题 功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标,我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域,对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本,是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而,受工作机理和制备工艺限制,IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA,已接近瓶颈,无法满足能源发展需求。因此,亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。 2020年,中国功率半导体市场规模达2000亿元,但90%以上依赖进口,尤其是4.5kV以上器件,近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。 2. 解决方案 本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求,提出了自主化IGCT器件(集成门极换流晶闸管)的设计、制备和驱动控制方案,可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗,且可以结合应用工况开展定制优化,如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等,从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。 目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件,功率等级全面覆盖IGBT,且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比,本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势,符合能源发展趋势,且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线,制造成本低,国内工艺基础好。
清华大学 2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略,显著调控了MoS2载流子浓度和功函数,为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段,研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊,应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学 2021-04-14
一种 MEMS 器件的封装方法
本发明公开了一种 MEMS 器件的封装方法,包括 S1 在框架基 板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层;S2 在 框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜;S3 将芯片键合固定 在框架基板上并实现信号互连;S4 将固定有芯片的框架基板与封盖进 行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构;S5 对封装结构施加压力、 预热后引燃自蔓延多层膜,自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金 互连。本发明将封盖直接与框架
华中科技大学 2021-04-14
光谱仪器光栅分光器件与部件
中阶梯光栅的刻划: ICP光谱仪的分光核心部件主要是中阶梯光栅,中阶梯光栅的二维分光系统,具备更高的分辨能力,使光谱仪具有分析精准、多元素同时检测以及检测速度快等优点。 √ 分辨力高 √ 制作难度大
上海理工大学 2021-04-13
二维材料中红外发光器件
中红外光谱技术被广泛应用于医疗诊断、军事侦察、工业控制、环境监测等领域。其中,中红外光源是实现中红外技术的核心部件之一。作为二维层状材料家族的新兴成员,黑磷(BP)已因其独特的性能而得到广泛研究。
南方科技大学 2021-04-14
有关微腔非线性光学的研究
左图:表面二次谐波效应示意图;右图:光学微腔增强表面非线性效应。 二阶非线性光学效应是现代光学研究与应用中最基本、最重要的非线性光学过程之一,被广泛地用于实现频率转换、光学调制和量子光源等。由于结构反演对称性的限制,常用的硅基光子学材料往往不具备二阶非线性电偶极响应。借助材料的表面或界面,这种反演对称性可以被打破,进而诱导出二阶非线性光学响应。然而,传统的表/界面非线性光学研究存在两个重要挑战:一是非线性转换效率极低,即使在高强度的脉冲光激发下也仅能产生极少量的二阶非线性光子;二是体相电四极响应严重地干扰表面对称性破缺诱导的非线性信号分析。 该项工作中,北京大学课题组利用超高品质因子回音壁光学微腔极大增强光与物质相互作用的优势,在二氧化硅微球腔中获得了高亮度的二次谐波和二次和频信号。为了充分发挥微腔“双增强”效应,研究人员发展了一种动态相位匹配方法,利用光学微腔中热效应和光学克尔效应的相位调制,高效地实现了基波和谐波信号同时与微腔模式共振。实验上获得的二次谐波转换效率达0.049% W-1,相比传统表面非线性光学,该效率增强了14个数量级。左图:实验获得的激发光和二次谐波光谱图;右图:动态相位匹配过程二次谐波功率变化。 研究人员进一步通过对基波偏振和二次谐波模式场分布的测量分析,成功提取得到只有表面对称性破缺诱导的非线性信号,排除了体相电四极响应的干扰。这种表面对称性破缺诱导的非线性信号有望作为一种超高灵敏度的无标记“探针”,用来检测和研究材料表面分子的结构、排布、吸收等物理与化学性质,为表面科学研究与应用提供了一个全新的物理平台;同时,该项研究发展的动态相位匹配机制具有普适性,可进一步推广到不同材料、不同形状的光学谐振腔中,有望在非线性集成光子学中发挥重要作用。
北京大学 2021-04-11
飞秒-纳米时空分辨光学实验系统
为了更加直观地探究纳米世界,大量研究者致力于发展高时间-空间分辨能力的微纳探测技术,由龚旗煌院士负责的“飞秒-纳米时空分辨光学实验系统” 国家重大科研仪器研制项目正是围绕这一目标开展工作。近日,该重大仪器项目在基于超快光电子显微镜技术实现表面等离激元的多维度探测方面取得重要进展,相关成果于2018年11月19日发表在《自然通讯》 杂志(Manipulation of the dephasing time by strong coupling between localized and propagating surface plasmon modes, https://doi.org/10.1038/s41467-018-07356-x)。 基于金属纳米粒子的局域表面等离激元因其高局域强度,小局域尺度,高灵敏度等特点,被大量应用在不同领域。但是,几个飞秒的超短模式寿命(dephasing time)大大限制了其应用的广泛性和实用性。该工作设计的多层结构实现了局域表面等离激元和传播表面等离激元的强耦合(图1(a))。动态数值模拟结果也清晰地证明在强耦合下局域表面等离激元模式和传播表面等离激元模式之间的能量交换。近场方面,光电子显微镜对表面等离激元模式进行直接成像,大大突破了原有的远场探测技术的限制。并且结合不同激发光源,实现不同维度的探测。结合波长可调的激光光源,光电子显微镜在频域记录下表面等离激元模式随波长变化的强度演化过程(图1(b))。结合超快泵浦探测技术,光电子显微镜在时域记录下表面等离激元模式随时间变化的演化趋势。该工作更加深入并直观地探测强耦合体系中的能量转换过程,并通过强耦合中失谐量的改变实现模式寿命的操控,相较于未耦合的局域表面等离模式,强耦合的模式寿命由6飞秒(10-15秒)提高到10飞秒。这一研究成果对进一步发展基于表面等离激元的人工光合成、生物传感等应用具有重要的指导价值。图1、(a)光电子显微镜和多层结构示意图,(b)远场和近场探测曲线、不同波长激光激发下光电子显微镜记录的局域表面等离激元模式分布图。 此研究是由北京大学和日本北海道大学共同合作完成,北京大学物理学院博士生杨京寰和重大仪器项目的国际合作者、北海道大学助理教授孙泉为该文章的共同第一作者,北京大学龚旗煌院士和北海道大学Misawa教授为共同通讯作者。除了自然科学基金委的国家重大科研仪器研制项目,该工作还得到了科技部、北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、极端光学协同创新中心、“2011计划”量子物质科学协同创新中心、日本文部科学省及学术振兴会、北海道大学纳米技术平台等单位的支持。目前国家重大科研仪器研制项目“飞秒-纳米时空分辨光学实验系统”的研制正在有序推进中,已经取得了一批包括此工作在内的阶段性成果。该实验系统的核心仪器是附带低能电子显微功能的光电子显微镜(PEEM), 其激发光的波长覆盖范围从极紫外到近红外(图2)。下一步该实验系统有望在二维材料、光电材料与器件、表面介观物理等研究领域大显身手、发挥积极作用。图2、北京大学研究团队的飞秒纳米时空分辨系统
北京大学 2021-04-11
飞秒-纳米时空分辨光学实验系统
该实验系统能够同时实现几个飞秒的超高时间分辨率和四纳米的超高空间分辨率,成为介观光学与微纳光子学研究的强大实验测量手段。
北京大学 2021-04-11
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