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一种支持固态盘缓存动态分配的混合存储系统和方法
本发明提供了一种支持固态盘缓存动态分配的混合存储系统和 方法，该方法用固态盘和磁盘构建混合存储系统，其中固态盘用作磁 盘的缓存，本发明方法实时监控应用的负载特征及固态盘缓存命中率， 并建立应用的性能模型，从而根据应用的性能需求和负载特征的变化 动态地分配固态盘缓存空间。本发明提供的固态盘缓存管理方法可以 根据应用的性能需求合理地分配固态盘缓存空间，实现应用级的缓存 区分服务，并通过将应用的固态盘缓存空间进一步划分为读
华中科技大学
2021-04-14
一种基于 iSCSI 的自适应加解密安全存储系统和方法
本发明公开了一种基于 iSCSI 的自适应加解密安全存储系统和 方法，系统包括相连的启动端和目标端，启动端包括启动端负载计算 器、启动端转换控制器和启动端加解密器；目标端包括目标端负载计 算器、目标端转换器和目标端加解密器。负载计算器每隔ΔT1 收集负 载信息，计算负载值；启动端转换控制器收集启动端和目标端负载值， 每隔ΔT2 计算负载均值，根据两端负载均值判断是否进行状态转换， 如果不进行转换则保持状态不变，如果进
华中科技大学
2021-04-14
存储系统中基于溯源信息的文件元数据查询方法与系统
本发明公开了存储系统中基于溯源信息的文件元数据查询方法。 在系统客户端收集溯源信息，通过分析得到文件相关性信息并传递给 元数据服务器；元数据服务器根据文件之间的关系信息实时维护关系 图；建立基于关联感知的元数据索引树；接收到查询请求后，先在索 引树中查找到种子结果集，然后在关系图中查找，得到初始结果集， 最后对初始结果集根据查询条件进行排序和精简得到最终结果发送给 客户。本发明还提供了相应的文件元数据查询系统。本发明
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
基于忆阻器实现计算与存储融合的处理器及其操作方法
本发明公开了一种基于忆阻器实质蕴涵操作的计算与存储融合 的处理器及其操作方法；该处理器由多个计算与存储融合单元 (Computing&、Memory-Unit，CMU)通过通信网络相连接。本发明 中使用一种能记忆电阻的器件，即忆阻器。在设计电路时，忆阻器的 阻变特性已参与完成相应的计算，并将计算结果用忆阻器的阻态来保 存，省去了传统计算机系统中将计算结果输出到存储器的步骤，实现 计算与存储的融合。通过通信网络
华中科技大学
2021-04-14
一种网络感知的虚拟机镜像存储系统及读写请求处理方法
本发明公开提供了一种网络感知的虚拟机镜像存储系统，该存 储系统包括私有缓存管理模块、公有缓存管理模块、网络监控模块、 决策模块和动态寻址模块；其中，私有缓存管理模块、公有缓存管理 模块、网络监控模块和动态寻址模块位于计算节点，决策模块位于管 理节点；还公开了一种基于以上存储系统的读写请求处理方法，使得 网络负载较轻的节点处理更多的镜像访问请求，而网络负载较重的节 点处理较少的镜像访问请求，从而避免产生 I/O 热点，
华中科技大学
2021-04-14
一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法
本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法， 包括多个垂直方向的三维 NAND 存储串，每一个三维 NAND 存储串 包括水平衬底、垂直于衬底的圆柱形半导体区域、分别位于半导体区 域上、下的第二电极和第一电极、包裹圆柱形半导体区域的隧穿电介 质、围绕隧穿电介质上、下分布了多个分立的电荷存储层、包裹了隧 穿电介质以及多个电荷存储层的阻隔电介质层、与绝缘层相堆叠的控 制栅电极；圆柱形半导体区域包括多个存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
两亲性Pt(II)配合物气致发光变色性质及存储器件
通过click反应设计合成了一类具有两亲性的磺酸根三齿Pt(II)配合物，这类配合物对VOC的刺激响应具有高度的选择性。在水蒸气和各种醇蒸气分子（甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等）之间具有迅速的变色和发光响应性行为，并进一步制备成薄膜，利用醇蒸气实现了快速写入?擦除功能。在溶液体系中，通过调控溶剂的组成，实现了配合物动态组装?解组装?重新组装的过程。研究组与香港大学任咏华教授合作，进一步制备了存储器件，阈值电压为3.4V，开关比可达105，保持时间达104s，具有良好的二进制存储性能。
中山大学
2021-04-13
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14
一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途
本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
东南大学
2021-04-11