该产品是一种碱性氧化硅分散体，具有极强的润滑性，即使凝结也不受影响。精度最高的胶质硅产品适用于精密五金、硅、蓝宝石和其他多种氧化晶体。与去离子水的推荐稀释比为1:1，PH值为9.5-11.5，与#450沥青或LP聚胺脂抛光皮搭配使用。

仪器概述 pH自动控制加液系统(单泵)是集pH值实时在线或静态控制、测量与自动加酸、加碱调整于一体的新型自动化控制设备。pH精度高，稳定性好。广泛应用于高等院校、科研院所实验室：组织培养特定pH溶液的配制，pH自动滴定。制药、生化、化工、喷涂、电镀厂：反应器、反应罐、反应釜、溶液池中pH调节控制加液。生物工程反应器及食品发酵工厂：pH缓冲液的配制及培养过程调节控制。植物提取物车间：离子交换柱的酸碱洗涤调节控制。医院分析室：制剂、检验中调节控制pH值。环保发电、循环水、自来水净化、工业废水与市政污水处理过程的pH控制等场所。 技术参数 1、工作电源：AC220V±10%，50Hz 2、控制范围：0～14 pH 3、测量精度：±0.05 pH 4、分 辨 率：0.01 pH 5、泵头速度：0.1～300转/分 无级调速 6、转速显示：OLED高清液晶窗口显示 7、加液速度：0.12～190ml/min(自来水) 8、加液泵头：单泵 9、测量电极：pH三复合电极 或玻璃电极 10、温度补偿：自动温度补偿(PT1000) 11、pH控制器：高精度智能控制器 12、pH电极适用温度 ：0～80℃ 13、pH标准液：6.86/4.00 14、外形尺寸：330*310*230mm 15、环境温度：室温～40℃ 相对湿度：<80% 16、整机重量：约8kg 性能特点 1、高精度智能pH控制器，大屏幕液晶即时显示动态pH值与温度值，超出范围报警。 2、 多种控制测量模式：自动、手动、停止,可自由转换，实现一机多用。 3、单泵实现加酸或加碱，适用于只用一种液体(酸液或碱液)来调节控制PH值。 4、采用OLED高清液晶窗口，单独显示当前电机转速及工作状态，加液速率可无级调速。 5、pH值上下限自由设定，设定值与实测值同时显示。 6、pH电极可单点或两点校正，pH值与温度自动测量，pH值能根据温度自动校正。 7、采用步进电机控制蠕动泵加液,液体接触进口泵管，不接触泵体，无污染。 8、选配不同形式的pH精密复合电极，及配四氟材质的电极护套和延长杆可在高温、反应釜、反应器中适用实现特殊容器内pH值的监控与调整。 9、控制方式：自动、手动、停止 A:自动方式：仪器会根据实时检测的pH值与设定值，自动启动/停止加酸(加碱)，调整pH值至设定范围。 B:手动方式：不受pH控制器控制，一直转动，人工启动/停止加酸(加碱)，调整pH 值至设定范围。也可用于快速调整，或驱赶管内气泡，或用于其它液体的输送 C:停 止：停止加液动作，但pH值实时检测并显示;用于待命或调整结束时，也可作为在线pH值测量显示终端时使用。 本产品荣获国家发明专利,专利号为：ZL 201420406055.8 ZL 201420406067.0 ZL 201410349779.8  

本方法通过对粉体进入碱溶液后产生的气体释放量的测定，来判断材料的引气作用。 粉液反应气体释放量试验装置内置气压及温度检测电路板时，是由电路板采用电脑USB口供电，USB通讯，设备上有预留USB接口。

本发明公开一种复杂电磁环境下的天线阵列校准方法及其装置。 该装置通过在天线阵列中心点发射校准信号，根据自适应滤波器的原 理，利用维纳解形式，提取阵列天线及接收前端的幅度不一致性和相 位不一致性参数。在存在密集干扰的复杂电磁环境中，能够自动抑制 小幅度的同频或邻频干扰对该频点阵列校准结果的影响；而当同频或 邻频干扰的幅度比较大以致对通道参数有较大影响时，能对提取的通 道参数进行处理，消除或极大减弱该干扰带来的影响，然后对接收的 阵列信号进行宽带补偿或多窄带补偿，消除通道不一致性引起的误差。 本发明适用于复杂电磁环境下，对工作在任意频率范围的圆形天线阵 列及接收通道实时进行通道参数提取和自动补偿。

本发明公开了一种圆形口径平面阵列天线的方向图数值优化方法，首先根据天线发射频率、阵列口径形状和尺寸、阵列单元间距等系统参数建立圆口径分布的阵列单元布局；根据用户指定的波束指向角度确定每个单元的相位加权；然后设定幅度加权优化矢量，并初始化幅度加权优化矢量矩阵，采用差分进化算法对幅度加权优化矢量矩阵进行迭代数值优化，直到最佳优化矢量的适应度值低于设定阈值。本发明很好地解决了圆形口径矩形网格平面阵列和圆形口径三角网格平面阵列的数值优化问题，可快速优化出所需的幅度加权矩阵，使阵列方向图上的副瓣电平和零陷电平等方向图特征满足指标。

发明(设计)人：李涛, 徐贝贝, 祝世宁。本发明涉及一种基于超构透镜阵列的大视场集成显微成像装置。该装置包括：光源、超构透镜阵列、线偏振片和图像传感器；所述线偏振片固定于所述光源的后方，且所述线偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超构透镜阵列固定于所述线偏振片的后方，且所述超构透镜阵列位于所述线偏振片的出射光路上；待成像物体位于所述线偏振片和所述超构透镜阵列之间；所述图像传感器位于所述超构透镜阵列的后方；所述超构透镜阵列中包括周期性排布的多个超构透镜。本发明可以实现在不牺牲分辨率不增加工作距离的条件下，扩大成像视场。

本发明公开了一种虚拟 SSD 与 SSD 异构镜像的磁盘阵列缓存方 法，包括：将磁盘进行逻辑分区为两个部分。其中上半部分组成 RAID0 或 RAID5 结构作为虚拟 SSD。用于备份真实 SSD 中脏数据。虚拟 SSD 采用日志写的方式。并设置有 ram 写缓存。下半部分根据用户需要组 装成不同 RAID 结构，用作数据阵列，以存放冷数据。建立数据盘和 真实 SSD 缓存之间地址映射哈希查找表。设置计时器，用于定期地将

本发明公开了一种基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路。所述读出电路包括：行多路选择器、列多路选择器、扫描控制器、负恒流源、电压采样装置以及第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器；所述负恒流源的输出端连接第一运算放大器的反相输入端，第一运算放大器的同相输入端与第二运算放大器的同相输入端连接后接地，第二运算放大器的反相输入端与第二运算放大器的输出端连接，第三运算放大器的反相输入端与第三运算放大器的输出端连接；电压采样装置用于对第三运算放大器的输出端电压、第一运算放大器的输出端电压进行检测。本发

本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法， 该方法包括如下步骤： （1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层； （2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘； （3）用 PDMS 模板作为压印 模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构； （4）用氧等离子体 进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构； （5）将跨尺度的光刻胶阵 列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。 该方法简单，便 于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积 和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物 芯片和微型传感器等微机电系统领域。

本发明公开了一种基于电流体动力喷印的阵列化图案喷印装置，包括金属针头，承印层，金属基板，运动平台和高压发生器，其中，所述金属针头设置在承印层上方，该承印层设置在金属基板上，该金属针头和金属基板分别连接到高压发生器正负端，从而在两者之间形成电场，所述金属基板可在运动平台的驱动下作平面运动，从而带动承印层运动，在电场作用下，喷印溶液通过金属针头流出并形成射流喷射到运动的承印层上，即可在该承印层上形成所需的喷印图案。本发明还公开了利用上述装置制备图案的方法。本发明基于拉伸辅助的高精度定位，实现了在工程环境下，高精度阵列化图案的简单、快速制造，突破了传统静电喷印技术在射流定位与喷印特定图案方面的限制。