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低透气性煤层群无煤柱煤与瓦斯共采关键技术
本项目揭示了采动影响区内顶板岩层裂隙 的动态演化规律和采空区侧“竖向裂隙发育区” 的形成规律;研制了新型充填材料;创新了无 煤柱快速沿空留巷、Y型通风、留巷钻孔抽采 卸压瓦斯等关键技术,解决了煤与瓦斯共采的 关键技术难题。
安徽建筑大学 2021-01-12
一种基于氯化胆碱-木糖醇低共熔溶剂的电镀锡方法
简介:本发明公开了一种基于氯化胆碱‑木糖醇低共熔溶剂的电镀锡方法,属于电镀技术领域。该方法首先将木糖醇、氯化胆碱和蒸馏水恒温搅拌得到透明的低共熔溶剂,接着将氯化亚锡加入到低共熔溶剂中再恒温搅拌得到含锡的低共熔溶剂,以此作为电镀液;将纯锡板作为阳极,低碳钢作为阴极,浸入到电镀液中进行恒电流电镀。本发明镀锡工艺安全无毒、环保节约,解决了氟硼酸盐镀锡、卤化物镀锡等工艺存在的环境污染问题。
安徽工业大学 2021-04-13
重要食源性人兽共患病原菌的传播生态规律及其防控技术
该成果获 2013 年度教育部科学技术进步奖一等奖, 2017 年国家科技进步二等奖。成果探明了我国食源性弯曲菌、沙门菌、单核细胞增生李斯特菌和副溶血性弧菌在全产业链的定量流行病学新特征,创建了其快速定性、定量检测新技术,菌种库和分子溯源数据库以及定量风险评估体系,建立了风险预测模型和软件,定量评估了鸡肉弯曲菌污染对我国人群的健康风险;创制了新型消毒制剂、有机酸和低温控制技术和新型系列防控疫苗等病原菌干预技术,形成了覆盖产业链全程的食源性病原菌集成防控技术体系,实现了传播和风险的有效防控。
扬州大学 2021-04-14
高压共轨式柴油机空穴湍流初次雾化机理及喷雾模型的研究
项目简介 本项目针对柴油机高压共轨式喷射系统内部所存在的空穴湍流流动对喷雾雾化特性 的影响机理尚不清楚及发动机 CFD 模型中喷雾雾化模型非常薄弱,进而影响到高压共轨 式发动机喷雾,乃至燃烧排放性能进一步提高的问题,将现代化的激光测试及高速成像246 技术和数值模拟方法相结合,研究揭示了喷嘴空穴流动特性及空穴湍流初次雾化机理, 并基于此,建立了耦合喷嘴内流的欧拉-拉格朗日 CAV-ELSA 喷雾模型,解决了喷雾研究 中喷嘴近场喷雾稠密及喷雾多尺度耦合
江苏大学 2021-04-14
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于,将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起,是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成,是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜,块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上,杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12~13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金,这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明,沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利,杨滨,刘宗峰,张勇,张济山,陈国良,一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法,专利号:ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”,获中国有色金属工业科学技术奖一等奖(2003.12)。
北京科技大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
一种超硬非晶碳薄膜的制备装置和工艺
项目为一种超硬的非晶四面体碳(ta-c)薄膜的制备装置和工艺,该薄膜具有极好的物理化学特性,在碳基薄膜中,是目前国际上公认的SP3键含量最高,超过85%,特性最接近天然金刚石的薄膜,硬度达到HV≥85Gpa,可见光和红外光透明,透光率达97%,吸收紫外光,达98%,薄膜均匀性好,薄膜平整度达0.2nm,摩擦系数≤0.08,电阻率达(1012Ω·cm),击穿电压3.5×106,(),热导率18(),密度3.5(g/cm3),薄膜致密耐腐蚀作用极好。 该项目可用于高精度专有刀具、模具和摩擦滑动部件,提高使用寿命,减小摩擦,如手术和美容刀具、丝锥、PCB钻、拉丝模、冲压模具、压缩机滑块,滑动环等;用于视窗、镜片和传感器表面,可防止划伤,增强散热,利于红外光传递,等;用于激光透镜,可提高损伤阈值;用于射线辐射测量传感器,可抗射线辐射损伤,提高测量的灵敏度。
西安交通大学 2021-04-11
一种非晶合金零件的快速成形方法
本发明公开了一种非晶合金零件的快速成形方法,包括首先对 电磁成形系统中的电容器充电,然后采用电脉冲放电对非晶合金进行 快速升温使其温度升至过冷液态温度,在温度达到设定温度停止电脉 ·549·冲放电,同时使所述电磁成形系统的电容器放电,产生电磁力并驱动 过冷液态的非晶合金变形至模具中,即可实现非晶合金零件的快速成 形。本发明还公开了利用上述方法所制备的非晶合金零件。本发明通 过对热塑性成形过程中的加热方式、成形驱动方式
华中科技大学 2021-04-14
一种大塑性非晶基复合材料的制备方法
本发明公开了一种非晶基复合材料的制备方法,其特征在于, 包括:将片状非晶合金与增韧第二相材料交替层叠后置于夹具中,其 中所述增韧第二相为板状且上下表面开有阵列通孔的结构;在恒压或 渐增载荷的条件下,对层叠的非晶合金及多孔板加热,同时对其实施 超声振动,非晶合金迅速软化并被压入第二相增韧板的孔中,使得非 晶相合金与增韧第二相的界面冶金良好结合,而且成形过程中不会发 生晶化,从而获得塑形良好的非晶合金复合材料。本发明还公
华中科技大学 2021-04-14
一种基于洛伦兹力的非晶合金成形方法
本发明公开了一种基于洛伦兹力的非晶合金成形方法及装置, 该方法包括:非晶合金样件在感应电流的作用下升温至过冷液态区, 同时在洛伦兹力的驱动下变形至模具冷却成形;感应电流和洛伦兹力均由成形线圈放电产生,感应电流由设置在成形线圈周围的导体在成 形线圈放电过程中感应产生,洛伦兹力由放电过程中成形线圈产生的 磁场与非晶合金样件流过的感应电流共同作用产生,导体与非晶合金 样件构成感应回路,以使感应电流流过所述非晶合金样件。非晶合金 样件的升温、成形、冷却过程在数毫秒脉冲放电时间内一次完成,具 有升温、成形、冷
华中科技大学 2021-04-14
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