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一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
专利内容是本发明针对背景技术存在的缺陷，提出了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到了1Oe以下（0.4Oe），薄膜表面的粗糙度、晶格匹配、应力、含铅量、杂相等都得到了较大的改善。
电子科技大学
2021-02-01
用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器
一种用于单晶生长装置的结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成;座板上设置有一底部为平面的凹槽,凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I,凹槽的环面上开设有调温孔I;动板的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽相匹配,动板中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II,动板环面上开设有调温孔II,调温孔II与调温孔I形状、尺寸、数量、间距相同;动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合,座板固定在坩埚下降法单晶生长装置炉体上。此种调节器结构简单,使用方便,调节单晶生长炉结晶区温度梯度时灵敏度高,使结晶区温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
四川大学
2021-04-11
可视化各向异性、分步记忆压致变色MOF单晶
提出了一种配位空间双配体定向配置策略，分别将刚性三角配体和具有柔性动态压敏变色属性的四角配体定向配置于微晶格的“基座”和“立柱”方位。这种设计赋予三维MOF框架单向形变的特征，并由此带来各向异性压力响应的荧光分步变色性能。利用微米尺度的MOF单晶，首次可视化观察到独特的各向异性压致变色效应，即沿六棱柱状单晶的上下底面施压，荧光颜色由蓝色变为黄绿色，而沿侧面施压则无变色效应。该压致变色特性同时具有超敏感（Pa~MPa压力范围）、分步化和信号记忆与逐级放大的效果，为多色压敏荧光纸、高等级防伪条形码、单向压敏荧光开关、程序性压力-荧光信号收集和放大器等微材料与器件构造提供了相关的模型基础，在微纳光电子学等材料和信息产业领域具有重要的应用前景。
中山大学
2021-04-13
航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片
项目目标产品是航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片，基于国际先进的超纯净熔炼和镍基单晶涡轮叶片制造技术，广泛应用于航空发动机领域。以江苏省优秀科技创新团队为依托，以国际合作为桥梁，以国家急需、国际前沿为宗旨，通过产学研联合，瞄准航空发动机用单晶高温合金涡轮叶片生产的国际先进水平，以国产大飞机项目为导向，实现具有自主知识产权的航空发动机用镍基单晶高温合金涡轮叶片生产共性关键制造技术突破。本项目所开发的航空用新一代单晶叶片具有在高温度下拥有优异综合性能，适合长时间在高温下工作，能够抗腐蚀和磨蚀，长寿命
江苏大学
2021-04-14
航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片
项目简介项目目标产品是航空用新一代镍基高温合金及其单晶叶片，基于国际先进的超纯净熔炼和镍基单晶涡轮叶片制造技术，广泛应用于航空发动机领域。以江苏省优秀科技创新团队为依托，以国际合作为桥梁，以国家急需、国际前沿为宗旨，通过产学研联合，瞄准航空发动机用单晶高温合金涡轮叶片生产的国际先进水平，以国产大飞机项目为导向，实现具有自主知识产权的航空发动机用镍基单晶高温合金涡轮叶片生产共性关键制造技术突破。本项目所开发的航空用新一代单晶叶片具有在高温度下拥有优异综合性能，适合长时间在高温下工作，能够
江苏大学
2021-04-14
环保型高性能Sn-Zn基无铅焊料
本项目在Sn-9Zn的基础上进行性能改进，重点解决了以往Sn-Zn基焊料润湿性差，抗氧化性差及外观不良等问题，并针对波峰焊和手工焊等工艺，进行了产品生产工艺实验，自主研制了如下系列产品：/line（1）Sn-Zn基无铅焊料合金丝（焊丝）；/line（2）波峰焊用Sn-Zn基焊料抗氧化添加剂。/line成果的主要技术指标：/line（3）润湿性：润湿力及润湿时间等指标超过国外Sn-8Zn-3Bi；/line（4）抗氧化性：260℃空气中保温3h无明显氧化物，和Sn-Cu-Ni等市售主要波峰焊无铅焊料相比，外观光亮无明显差别。
东南大学
2021-04-10
台式无铅回流焊机/回流焊QS-5128
产品详细介绍整个工艺曲线全部自动控制完成，可完成双面贴装或混装焊接工艺
一、台式无铅回流焊机/回流焊QS-5128 产品简介
“QS-5128C红外线回焊炉”（回焊炉）是一种用于生产和维修SMT等各种工艺产品的台式回焊设备。该产品采用高效率远红外线加热元件以及分布式热电偶测温装置。通过微电脑的精密控制，使回焊炉的温度曲线控制更为精确和回焊平面的温度更均匀。完全适应各种不同合金和无铅焊料的回焊要求。其温度曲线精密可调，此外设备还具有自动故障检测报警、自动关机等功能。本产品具有回焊、维修、烘干等多种用途。适合于小批量的SMT电子产品生产、试制、电子产品开发部、学校培训班等单位的使用。
1、操作软件为最新升级的中英文双语双显示可选操作系统。
2、电路结构上采用高效、便捷一体化的开关电源，采用硅酸铝耐高温环保保温棉，在性能结构和操作等各方面上进行了改良和升级。
3、可时时显示温度曲线，专门满足研发、教学、芯片测试等实验，满足国际标准的SMT工艺温度特性曲线，炉内温度根据时间设定走出预热、升温、焊接、保温、冷却自动流畅进行，温度曲线平滑无抖动。
4、客户亦可根据实际情况在工艺允许范围内调整工艺曲线。
5、专业满足倒装芯片及普通集成电路芯片焊接。
6、功能强大，有线路板预热器、可进行有铅焊接、无铅焊接、芯片的老化、红胶固化。
7、预热时间短，开机3分钟即可生产。
8、可根据需要在焊机中设定5条温度曲线。
二、台式无铅回流焊机/回流焊QS-5128 主要技术参数
1、输入电源：AC220V/（AC110V定购）
2、工作频率：50～60Hz
3、最大功率：1200W
4、加热方式：红外线辐射和热风混合加热方式
5、操作系统：QS-5128中英文双语操作系统
6、显示模式：图形模式/文本模式可选显示模式
7、工作模式：自动回焊模式、可调恒温维修模式
8、温度曲线段：预热段、加热段、焊接段、保温段和冷却段共五段
9、预热段温度设置范围和时间：70～150℃、时间：0～5min
10、加热段温度设置范围和时间：预热段温度～220℃、时间：0～5min
11、焊接段温度设置范围和时间：加热段温度～300℃、时间：0～30s
12、保温段温度设置范围和时间：焊接段温度-（0～50℃）
13、有效焊接面积：220×280mm
14、外型尺寸： 428×350×220mm
深圳市勤思科技有限公司
2021-08-23
LED焊接专用无铅台式回流焊机QS-5188
产品详细介绍
焊接区采用红外加热与强制热风循环
独特的热风循环风道设计，使炉膛内的温度更均匀，从而焊接效果更好
一、无铅台式回流焊机QS-5188 产品简介
QS-5188精密无铅回焊炉是一种用于SMT研究与小批量生产高级回焊设备。该产品采用高效率远近红外线加热元件与热风循环系统以及分布式热电偶测温装置。通过微电脑的精密控制，使回焊炉的温度曲线控制更为精确和回焊平面的温度更均匀。完全适应各种不同配方的二元及多元合金钎料和无铅钎料的回焊要求。其温度曲线精密可调，此外设备还具有自动故障检测报警、自动关机等功能。本产品具有单双面PCB的贴片回焊、铝基板的贴片回焊、SMT/插件混合工艺贴片元件的红胶固化、PCB/FPC层压加温、高温阻焊油固化、高温型的丝印工艺固化、元器件及厚膜电路固化封装、电子变压器的环氧灌封固化、电子变压器的烘干烘烤等多项功能。适合于小型及中小批量SMT电子产品制程的生产与研究。是电子产品制程工艺研究与生产的最理想设备。
操作软件为最新开发的中英文双语操作系统。操作简便、功能强大、界面良好、使用方便、各项参数设置灵活。软件的控制原素多，多点的温度采集、控温系统、热风系统、冷却系统等多项功能的混合编程的功能。用户工艺参数的采集存储、软件升级空间大。电路结构采用高效、耐用、便捷一体化的主板结构，机械结构上采用S形的空气流道，在没有额外空气动力的作用下。工作室的热空气不会自然流动，有利于减少有害气体对产品的污染和提高热空气效率。在排风动力作用下，整个工作室的的扫气通道无死角，热空气和废气扫除干清，散热速度快。可快速进行下一个工作流程。设置排气接口，可以方便把废气排到室外。减少废气和温度对工作环境污染。
热风循环系统的设置，有利于各种精密控温工艺和温度敏感型的电子器件精密调控，工作室温度更加均匀。热能传导速度更快，控温的效果更好。方便固化封装时的气体排出。减少封装气泡排出的瑕疵。
高温玻璃观察囱口。方便观察制程问题。采用硅酸铝耐高温环保保温棉，在性能结构和操作等各方面上进行了改良和升级。
二、无铅台式回流焊机QS-5188 主要技术参数
1、输入电源：AC220V/（AC110V定购）接口制式定购
2、工作频率：50～60Hz
3、输入最大功率：1650W
4、加热方式：红外线辐射和热风混合加热方式
5、操作系统：QS-5188中英文双语操作系统
6、工作模式：通用SMT回焊、低温无铅SMT回焊、中温无铅SMT回焊、高温无铅SMT回焊、SMT红胶固化、器件封装固化、烘干烘烤等模式，用户可根据需求设置多条
7、抽屉工作面积：300x400mm
8、工作盘空间高度：60mm
9、工作盘承重：7.5kg
10、外型尺寸：500x372x325mm
11、包装箱规格：600x500x400
12、机器重量：30kg
深圳市勤思科技有限公司
2021-08-23
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11