Ø 多氯化物废物是生产氯代烃的副产物，氯碱工业是基础化工，产量大，产生的多氯化物废物也较多。多氯化物废物是氯化物蒸馏残液，是纯的有机多氯化物的混合物，难溶于水，不燃烧，比水中重。有刺鼻的气味，较大的挥发性，毒性大，诱发癌症，污染环境；大气中的氯化物还破坏臭氧层。该处理技术和处理设备能够快速有效地降解多氯化物，使其转化为有价值的工业材料，不产生二次污染物。该技术填补国内和国际空白，能够高效地处理多氯化物废物，具有实用性和广阔的应用范围。

本发明公开了一种 FCoE 读写处理系统，包括交换 ID 管理模块、 请求帧封装发送模块、数据帧封装发送模块、数据帧接收处理模块、 准备帧接收处理模块、响应帧接收处理模块和接收队列；本发明还公 开了一种基于该 FCoE 读写处理系统的读写处理方法，对来自上层的 对应多队列块通用块层请求或块设备驱动层请求，按照 FCoE 协议和 FCP 协议处理，生成的 FCoE 帧通过标准以太网网络接口传输；缩短 了读写路径，减小处

一种大规模并发数据流处理系统及其处理方法,涉及数据处理技术领域,所解决的是提高流处理器处理效率的技术问题.该系统包括数据流单元缓冲区,数据流单元聚类队列池,数据流单元映射表,流处理器池,数据流读取部件,DSU聚类分配部件,任务调度部件,计算后处理部件,所述流处理器池由多个GPU构成,其中数据流读取部件用于将并发数据流写入数据流单元缓冲区,DSU聚类分配部件用于对数据流单元缓冲区中当前被处理的数据流单元进行分类,任务调度部件用于将数据流单元聚类队列池中的就绪队列加载至流处理器池中的GPU上执行流计算,计算后处理部件用于将GPU的计算结果返回到数据流.本发明提供的系统,能提高流处理器的处理效率.

成果简介：多氯化物废物是生产氯代烃的副产物，氯碱工业是基础化工，产量大，产生的多氯化物废物也较多。多氯化物废物是氯化物蒸馏残液，是纯 的有机多氯化物的混合物，难溶于水，不燃烧，比水中重。有刺鼻的气味， 较大的挥发性，毒性大，诱发癌症，污染环境；大气中的氯化物还破坏臭氧 层。该处理技术和处理设备能够快速有效地降解多氯化物，使其转化为有价 值的工业材料，不产生二次污染物。该技术填补国内和国际空白，能够高效 地处理多氯化物废物，具有实用性和广阔的应用范围。 项目来源：合作开发

研发阶段/n制浆原料的微波预处理方法，其特征在于：对传统制浆的植物原料的料片，预先用微波进行辐射处理。植物原料料片经微波辐射处理后，相对封闭的植物原料内部物理结构通道得以改善，有利于制浆化学药品的快速均匀渗透；木素大分子得以活化，有利于化学脱木素反应；纤维素化学结构的活性基团“钝化”，有利于保护纤维素，提高纸浆质量。

本发明公开了一种基于广义量子超声陷阱的颗粒物聚集方法、聚集处理方法和聚集处理系统。本发明颗粒物聚集方法首先通过向空间中发射超声波生成超声陷阱；然后，超声陷阱使和超声陷阱感应的颗粒物，向超声陷阱的中心聚集，在超声陷阱中心形成高浓度颗粒物聚集处，即超声陷阱中心。本发明所述的颗粒物聚集处理方法在经过前面所述的步骤形成高浓度颗粒物聚集处后，对高浓度颗粒物聚集处的颗粒物进行吸附处理，从而实现对环境中颗粒物的收集。进一步地，本发明还提出了一套基于上述方法的系统，来配合本发明所述方法的特定需求。本发明所述的方法和系统可应用于对各类与超声陷阱感应的颗粒物的收集处理，比如对环境空气中PM2.5、PM10等颗粒物的聚集、吸附和处理。

本发明公开了图像合成方法及图像处理装置。

研发阶段/n内容简介：本发明涉及一种大豆乳清废水处理方法，并且从大豆乳清废水中提取低聚糖和蛋白。大豆乳清废水是指在以低温脱脂豆粕为原料生产大豆分离蛋白过程中，豆粕经碱溶、酸沉、离心分离提取蛋白后产生的有机废水，其中含有蛋白、低聚糖等类物质，COD为1800-20000mg/L，生化处理投资大，而且浪费了资源。本技术方案运用多级膜分离方式对大豆乳清水进行处理，可提取大豆低聚糖和蛋白形成产品，增加企业经济效益，处理后的水可循环使用，无污水排放，不需建污水处理装置，节约水资源。本产品获得一项专利，专利号：

发明属于文档保存技术领域，涉及一种纸质文档保质处理方法；通过防虫剂制备、保质液浆制备、保质液制备、文档预处理、文档保质液层膜制备和文档封膜保存六个步骤处理的纸质文档能有效避免文档变质损坏和字迹脱落并防虫蚀，实现纸质文件档案和字画的长期保质存放，特别是文件上的字迹不能够脱落或互相粘贴；其操作步骤简单易行，纸质文档保质处理装置原理简单，结构合理，处理工艺可靠，应用环境友好，使用效果良好，经过处理的纸质文档保质周期长。

HMDS真空预处理烘箱产品用途:该产品主要用于半导体行业，HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。     一、产品规格： 型号：BD/HMDS-6090   内形尺寸：450×450×450     型号：BD/HMDS-6210   内形尺寸：560×640×600   二、 技术参数： 1、控温范围：RT+10～250℃  2、温度分辨率：0.1℃     3、温度波动度：±1℃ 4、达到真空度：小于133Pa 5、真空度：100Pa～100000Pa 6、定时范围：1～9999min 7、工作室材料：316L 8、样品架：2块、3块 9、真空泵：4L/S 10、电源电压：220V/50Hz、380V/50Hz三相五线制 11、总功率：3000W、4500W 三、产品特点： 1、外壳采用冷轧钢板制造，表面静电喷塑。内胆、样品机、连接管路均采用优质不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。 2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。 3、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。 四、HMDS预处理系统操作流程： 1、首先确定烘箱工作温度； 2、预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到达到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分; 3、再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应; 4、当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。 五、控制系统： 1、7.0英寸维纶彩色触摸屏，三菱PLC控制器； 2、富士微电脑双数显温度PID控制器，控温精确可靠； 六、保护系统： 1、漏电保护； 2、超温保护； 3、缺液保护；              七、设备使用条件： 1、环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃） 2、环境湿度：≤85%R.H 3、操作环境需要室内通风良好,机器放置前后左右各80公分不可放置东西; 八、HMDS真空预处理烘箱服务承诺： 保修十二个月，免费送货上门,在对该设备安装调试结束后,在用户现场对相关技术人员免费做相应的操作培训,人数不限。