一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法, 该方法包括如下步骤:(1)清洗硅片,去除表面杂质和氧化层;(2)在硅片上涂覆负性光刻胶,并进行前烘;(3)用 PDMS 模板作为压印 模板,进行压印工艺,得到光刻胶半球阵列结构;(4)用氧等离子体 进行刻蚀,得到跨尺度的光刻胶阵列结构;(5)将跨尺度的光刻胶阵 列结构进行热解,得到三维跨尺度碳电极阵列结构。该方法简单,便 于控制,重复性好,制备的碳电极阵列结构稳定,具有大的比表面积 和良好的生物兼容性,可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物 芯片和微型传感器等微机电系统领域。
华中科技大学
2021-04-11