该研究详细阐述了由于实空间中Mg-Mg化学键构成的电子输运通道远离阴离子位置，使Mg3Sb2-yBiy材料体系中合金化原子散射声子降低晶格热导率的同时对电子散射较弱，有利于实现电热输运的解耦与分别调控（如图1）。最终，研究成功实现Mg3Sb2-yBiy材料体系室温功率因子的进一步提升，并在Mg3+δSb1.0Bi1.0:Mn0.01材料中实现室温下

产品详细介绍BKTEM-Dx全自动热电性能分析系统关键词：热电材料，Seebeck系数，电导率， 电阻率，V-1装置产品介绍：     BKTEM-Dx热电性能分析系统是一款全新的自动化热电赛贝克系数测试仪，该仪器实现了一体化设计，无需手动，电脑软件上可以直接抽真空，设置温度，只要将样品装上之后，实现一键式的测量，电阻率及各个表格能够直观出现，其测试性能远超越国内外热电材料测试仪，不仅可以用于块体材料同时也可以用于薄材料的测试，是目前国内高等院校和材料研究所的重要设备。对于热电材料的研究，热电性能测试是不可或缺的试验数据。BKTEM-Dx(x=1,2,3)系列可以精确地测定半导体材料、金属材料及其他热电材料(Bi2Te3, PbTe, Skutterudites等)及薄膜材料的Seebeck系数及电导率。主要原理和特点如下: 该装置由高精度，高灵敏度温度可控的电阻炉和控制温度用的微型加热源构成。通过PID程序控温，采用四点法的方式精确测定半导体材料及热电材料的Seebeck系数及电导率、电阻率。试样与引线的接触是否正常V-1装置可以自动检出，自动出来测试数据和测试报告。一、适用范围：1、精确地测定半导体材料、金属材料及其他热电(Bi2Te3,PbTe,Skutterudites康铜、镍、钨等金属，Te、Bi2Te3、ZrNiSn、ZnAgSb、NiMoSb、SnTe、FeNbSb、CuGaTe2、GeTe、Ag1-xCuS、Cu2ZnSnSe4等)的Seebeck系数及电导率、电阻率。3、块体和薄膜材料测均可以测试。4、试样与引线的接触是否正常V-1装置可以自动检出。5、拥有自身专利分析软件，独立分析，过程自动控制，界面友好。6、国内高等院校材料系研究或是热电材料生产单位。7、汽车和燃油、能源利用效率、替代能源领域、热电制冷.8、很多其他工业和研究领域-每年都会诞生新的应用领域。二、技术特点：      一体化设计，所有参数直接在电脑上操作，无须人工干预·解决高温下温控精度不准的问题，静态法测量更加直观的了解产品热电材料的真正表征物理属性。温度检测可采用J、K型热电偶，降低测试成本。·试样采用独特的焊偶机构，保证接触电阻最小以及测量结果的高重现性。每次可测试1-3个样品.采用高级数据采集技术，避免电路板数据采集技术带来的干扰误差，可控温场下同步测量赛贝克系数和电阻率。 采用原装进口的采集仪，测试报告自动生成。三：主要技术：测量温度：室温-600℃,800℃,1200℃ 可选同时测试样品数量：1个，2个，3个 可选控温精度：0.5K（温度波动:≤±0.1℃）升温速率：0.01 –100K/min，极大得提高测试时间测量原理：塞贝克系数：静态直流电；电阻系数：四端法测量范围：塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K；电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm分辨率：塞贝克系数：10nV/K;电阻系数： 10nOhm测量精度：塞贝克系数：＜±6％；电阻系数：＜±5％样品尺寸：块体方条形：2-3×2-3 mm×10-23mm长，薄膜材料：≥50 nm热电偶导距: ≥6 mm电   流: 0 to 160 Ma气   氛：0 to 160 mA加热电极相数/电压：单相，220V，夹具接触热阻：≤0.05 m2K/W图1 单一样品测试系统原理示意图

体-边对应关系是拓扑物态的一个基本特征。近期新发现的高阶拓扑物态由于呈现出新型的体-边对应关系而受到广泛关注。特别地，由于高阶拓扑超导体允许马约拉纳零模直接出现在二维和三维系统的边界上，这为寻找马约拉纳零模和实现拓扑量子计算提供了新的思路。近两年来，虽然已提出一系列实现高阶拓扑超导体的理论方案，但这些方案或要求超导转变前的正常态具有拓扑非平凡的性质，比如，拓扑绝缘体，或要求混合宇称的超导配对。如果正常态只是普通的金属，而超导配对只有奇宇称或偶宇称型的配对，是否能实现高阶拓扑超导体仍是一个重要的开放问题。

本发明提供了一种原料便宜易得，设备简单，合成温度低，工艺简单的方钴矿系热 电材料的合成方法。 本发明中采用钴、锑、铁、镍、锡的可溶性盐作为原料，在内衬聚四氟乙烯的高压 釜中于 140~200℃进行反应，经过滤洗涤后在真空干燥箱中进行处理，最终制得所需产 物。

本实用新型公开了一种加热接点热电偶电缆装置，其结构包括上盖板、紧固件、输出端口、电源线、传感器主体、加热线圈、安装弹簧件、热电偶导体、传感接线、框架、下盖板、电路管、稳压装置，所述上盖板上设有紧固件，所述电源线与传感器主体相连接，所述安装弹簧件与上盖板相连接，所述稳压装置由控制电路、电源箱、伺服电机、线圈、调压器碳刷、调压电路、输出口组成，所述控制电路与电源箱相连接，所述电源箱内设有伺服电机，所述线圈与调压器碳刷相连接，所述输出口与电路管相连接。本实用新型设有稳压装置，能够自动调整线圈匝数比，从而保持相对的输出电压稳定性，提高响应速度。

  和传统热电材料PbTe相比，SnSe原材料价格相对低廉、储量比较丰富、而且低毒环保，然后，长期以来，由于其多晶热电优值ZT很低而未受到广泛关注。2014年，美国西北大学研究组在Nature上报道了SnSe单晶沿b轴方向具有超低的热导率从而在923K取得极高的ZT峰值2.62，打破了块体热电材料最高值记录，故而在热电领域引起了广泛反响。然而由于本征载流子浓度过低，该材料在中低温区的热电性能并不理想。针对这一问题，在《科学》的文章中， 研究者通过调整SnSe的能带结构来调控其的导电性和温差电动势，从而在中低温区使得其热电性能得以大幅提升。其内在机理来源于SnSe非常复杂的价带结构，拥有不同有效质量和迁移率的价带之间能隙很小，当费米能级进入和接近多个价带时可实现多个价带同时参与电传输。其原理可以形象地解释为: 一条高速公路（对应单一价带）上有无数拥挤的车辆，因此车辆行驶的非常缓慢；但如果把同样数量的车辆分配到多条并行的公路后，车不但行驶的快而且在单位路面上通过的车也会曾多。通过这一调控费米能级的方法，使得SnSe的温差电动势获得极大提高，从了导致SnSe材料在中低温区的热电优值ZT得以大幅提升，理论上可以产生大约16.7 %的热电转化效率。何佳清教授课题组也在对SnSe热电材料体系进行更为深入的研究，后续会有更多相关成果整理发表。

运用大量的明场和高角暗场扫描透射电镜技术(ABF/HAADF-STEM)观测，意外发现SnSe的单晶晶格间存在着大量的间隙原子，模拟分析表明这些原子为Se原子；同时，亦发现大量Sn晶格位置的空缺。密度泛函计算结果表明这些点缺陷具有很低的形成能，电子探针成分分析亦从宏观方面证实了这种SnSe单晶确实偏离化学计量比。利用经典的Debye-Callaway模型，他们定量的证实了正是由于这种本征的偏离化学计量比的点缺陷的大量存在，大幅加剧了SnSe中高频声子的散射，从而造成了实验观测到的极低晶格热导率。

研究中发现，通过适当的退火工艺，可以有效调控Sb2Te3(GeTe)n基材料中阳离子缺陷的类型，该工作运用球差矫正电子显微镜的原位观测技术及高角暗场扫描透射电镜技术（in situ/HAADF-STEM）等, 通过比对退火前后的样品及在电镜下模拟退火过程，清楚地追踪到样品中阳离子缺陷由短程的点缺陷聚集演化成长程的面缺陷的过程，使得调控样品内载流子浓度降低到合适的程度，最终达到优化材料性能的目的。 该项工作使得Sb2Te3(GeTe)n基热电材料的总体性能大幅提升。据悉，热点材料优值ZT越高，其转换效率越高。在温度达到773K时，热电材料优值ZT达到了2.4，在323~773K较宽的工作温度区间内，材料的平均ZT高达1.51，能够满足中温区热电材料在商业应用中对性能的需求，有望解决Sb2Te3(GeTe)n基热电材料效率较低的问题。 本研究成果在目前热电材料亟待推广的低品位废热发电方向以及未来有可能实现的可穿戴自驱动电子器件与智能传感设备方面有较大的应用前景。