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一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管
本发明公开了一种具有双掺杂多量子阱结构的紫外发光二极管,包括:由下至上依次设置的衬底,AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、双掺杂的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源区、AlzGa1?zN电子阻挡层,其中z>y>x,p型AlGaN层和透明导电层,在n型AlGaN层和透明导电层上分别设置的n型欧姆电极和p型
东南大学 2021-04-14
一种基于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法
本发明属于纳米复合材料制备及应用领域,具体公开了一种基 于分形维数的碳纳米管分散状态的数值化表征方法。该方法首先通过 获取分散体系中碳纳米管分散状态的扫描电镜图片,然后采用图像处 理软件(ImageJ)将所得扫描电镜图片进行二值化处理,再提取出图片中 单根碳纳米管或者碳纳米管团聚体的边界轮廓,最后利用盒子算法计 算处理后图片的分形维数,所得的分形维数值即是对碳纳米管分散状 态中丰富信息的定量化描述,从而实现分散体系中
华中科技大学 2021-04-14
喹噁啉类三种兽药的食品安全性评价与风险管控技术
该项目2016年获得湖北省科技进步一等奖。由于乙酰甲喹和喹烯酮尚未确定每日允许摄入量(ADI)、残留标识物(MR)和靶组织(TT),未能制订最高残留限量(MRLs)和休药期(WP),喹乙醇仅有猪肌肉暂定MR及MRL,这三种药物一直没有科学的食品安全标准和风险管控技术,消费者健康受到威胁。 该项目主要创新如下: 1、针对代谢资料缺乏、无MR等问题,在猪、鸡和鲤开展放射示踪研究,鉴定出代谢物33种,发现残留物20种,阐明了代谢机制、残留消除规律及种属差异,确定了MR及TT,为有害残留的风险评估与管控提供了翔实、科学的基础数据。 2、针对毒理资料缺乏、无MRLs等问题,开展全面、系统、深入的毒理和暴露评估研究,揭示药物的毒性和毒作用特点,阐明量-效、时-效关系,确定了ADI,制订MRLs 18个、休药期6个,为有害残留的风险管控与交流提供了理论依据。 3、针对缺乏新型、高效检测技术的问题,自主研制残留物的标准品17种,建立定量/确证分析方法9种,发明快速检测的核心试剂22种,创制基于抗体的高效检测试剂盒6个,为有害残留的风险管控提供了技术支撑。 发现的代谢物和残留物,自主研制的标准品、检测方法及其标准,发明的快速检测核心试剂及试剂盒,填补了国内外空白,提升了兽医兽药科技的自主创新能力。喹乙醇新MR的发现改正了国际食品法典委员会以往推荐的错误标准。 成果完成时间:2012年
华中农业大学 2021-01-12
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
华北电力大学(保定)碳循环与碳捕集实验平台采购(二次)公开招标公告
华北电力大学(保定)碳循环与碳捕集实验平台采购(二次)招标项目的潜在投标人应在招采进宝河北专区(http://hb.zcjb.com.cn)获取招标文件,并于2022年07月04日09点00分(北京时间)前递交投标文件。
华北电力大学(保定) 2022-06-14
工信部等七部门印发《信息通信行业绿色低碳发展行动计划(2022-2025年)》
推动“十四五”时期信息通信行业绿色低碳高质量发展,赋能全社会节能减排促达峰。
工业和信息化部信息通信发展司 2022-08-25
工信部等五部门联合印发《加快电力装备绿色低碳创新发展行动计划》
支持具备条件的高等院校联合企业、科研院所等培育高端研发、技能及管理人才。引导专业服务机构创新人才培养模式,培育一批高端复合型人才。优化人才引进机制,建立健全人才激励制度,鼓励企业积极引进海外高层次人才。
工业和信息化部装备工业二司 2022-08-29
第二届科创中国·高等学校技术交易大会低碳与储能产业论坛在渝举办
4月9日,第二届科创中国·高等学校技术交易大会—低碳与储能产业论坛在重庆国际博览会议中心举办。
云上高博会 2023-04-10
超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料的一步法制备方法
(专利号:ZL 201410081879.7) 简介:本发明公开一种超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料的一步法制备方法,属于碳材料制备技术领域。该方法是以有机金属配位化合物为碳源和模板,氢氧化钾为活化剂,两者研磨混合后转移至陶瓷坩埚中,采用微波加热制得超级电容器用三维中孔纳米笼状碳材料。所得三维中孔纳米笼状碳材料的比表面积介于1041~1595m2/g之间,总孔孔容介于0.79~1.52cm3/g之间,平均孔径介于3.05~4.88nm之
安徽工业大学 2021-01-12
GZX92A绝缘电阻表检定装置 兆欧表检定装置
产品详细介绍  /////////////////////////////////////////////////////////////////////////                                                                //////////////// 深圳市世纪经典检测仪器有限公司 销售热线:15914142916 传真:0755-84812743 邮箱:186jl@163.com                                                                //////////////// ///////////////////////////////////////////////////////////////////////// 一、概述 绝缘电阻表(兆欧表)是国家强制检定计量器具,其检定规程为JJG622-89。检定装置的主要标准器为高压高阻箱和高压电压表。GZX92A型绝缘电阻表检定装置将高压高阻箱(高阻输出部分)和高压数字电压表(电压输入部分)合为一体。 检定装置中电阻输出部分的测量上限为200GΩ,标称工作电压为5kV。该装置设计有独立的泄漏屏蔽端钮和接地端钮,在测量过程中无明显不稳定及短路、开路现象。满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程和JJG166-93直流电阻器检定规程的要求。可用于各种型号的指针式绝缘电阻表的检定。 检定装置中电阻输出部分选用获得专利的滚动式高压开关,使用10万次后仍可满足检定规程的要求。其具有较长的技术寿命和机械寿命。检定装置中电压测量部分的标称测量电压为5kV,输入阻抗≥10GΩ。本装置能测量兆欧表的开路电压、中值电压和峰值电压。 二、主要技术参数 1. 电阻输出(高压高阻箱)部分 1.1 电阻输出部分的准确度等级及工作电压(电流)    阻值   100GΩ ×10GΩ ×1GΩ ×100MΩ ×10MΩ ×1MΩ 准确度等级 5 5 2 1 0.5 0.2 标称电压 5000V 5000V 5000V 5000V 2500V 1000V   阻值   ×100kΩ ×10kΩ ×1kΩ ×100Ω 准确度等级 0.2 0.2 0.2 0.2 标称电流 1mA 8mA 20mA 50mA   1.2 调节范围:100Ω~200GΩ,调节细度为100Ω 1.3 使用环境条件 1.3.1 参考温度范围:20~25℃    1.3.2 标称使用温度范围:18~28℃        1.3.3 参考湿度范围:40~60% 1.3.4 标称使用湿度范围:25~75% 1.4 电阻变差极限:在参考条件下,由单一影响量发生变化所引起的变差 影响量别   标称使用范围 允许的变差 环境温度 18~28℃ a/2 % 相对湿度 25%~75% ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a% 工作电压 (1~1/5)标称电压 ≤10GΩ a/2 % >10GΩ a%   ★ a为检定装置中电阻输出部分电阻盘准确度等级(各电阻盘a值不同) 1.5 绝缘电阻:检定装置中电阻输出部分的电路与电路无电气连接的任何其它外部金属间的绝缘电阻,在标称电压下测得的电阻值不小于5TΩ。 1.6  绝缘强度:检定装置中电阻输出部分的电路与测试用参考接地点之间,应能承受频率为45~65Hz的实际正弦交流电压11kV并历时1min的试验,而不出现击穿与飞弧现象。 1.7 检定装置中电阻输出部分输出端的残余电阻应<0.1Ω,其变差<0.01Ω。 1.8 外形尺寸:442mm×270mm×145mm 1.9 重量:<5kg 2.电压测量(高压直流数字电压表)部分 2.1 测量范围:0~5500V 2.2 准确度:±(1%读数±1个字) 2.3 供电电源:DC9V 2.4 输入电阻:≥10GΩ 2.5 显示:四位半、液晶显示 2.6 峰值电压测量回路满足JJG622-97绝缘电阻表检定规程中图3的要求。  
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
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