|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
柔性直流换流阀多物理场特性及其调控方法
柔性直流换流阀是直流电网构建的核心装备之一。针对换流阀塔多物理场的综合作用问题，提出了多介质共存时复杂导体结构的伽辽金匹配和点匹配结合的快速多极子边界元电场计算方法，提出了阀塔高电场强度区的电位钳制、屏蔽和优化方法；建立了换流阀电-热-流体等多物理场计算模型，获得了金属钳制电极形状对水路局部放电、电化学腐蚀速率的影响等规律；建立了含散热器在内的IGBT子单元的热场整体仿真模型，提出了IGBT内部芯片的稳态与瞬态结温预测模型及其变流量修正方法。研究成果应用于我国±320kV柔性直流换流阀自主研制，有效性在厦门±320kV柔性直流示范工程中得到进一步验证，并推广应用于±500kV及±800kV柔性直流换流阀研制。参与研究的成果“新一代电压源高压直流换流器关键技术及应用”获得2017年北京市科学技术奖一等奖，华北电力大学作为项目主要完成单位排名第3，齐磊教授作为主要完成人排名第10。
华北电力大学
2021-02-01
高强韧金属结构材料的外物理场改性技术
提高金属结构材料的强度和韧性对拓展材料的应用领域具有重要意义，特别对于颗粒增强铝基复合材料，其具有高的比强度、比刚度、耐磨、耐疲劳、低热膨胀性、低密度、高微屈服强度、良好的尺寸稳定性和导热性等优异的力学性能和物理性能，在航空航天和轨道交通领域有广泛应用前景，是新型结构材料中的新生中坚力量。本项目在掌握了颗粒相设计、复合材料熔体制备、铸造、挤压和热处理工艺的前提下，以低温场和电磁场为加工途径，通过调控低温处理时的降温速度、处理时间、处理温度和循环次数，调控电磁场强度、磁场作用时间等参数，对固溶时效态的
江苏大学
2021-04-14
复合物理场协同强化菜籽蛋白糖基化改性的方法
其他成果/n一种复合物理场协同强化菜籽蛋白糖基化改性的方法，包括如下步骤：1)菜籽蛋白的制备；2)菜籽蛋白溶液的配制；3)蛋白质‑糖混合溶液的配制；4)微波‑超声波复合物理场协同处理；5)离心分离；6)透析与干燥。其中，步骤3)中，微波的功率为200～500W，超声波的功率为100～300W，反应体系的温度为60～70℃，反应时间为6～10min。本发明利用微波快速加热效应和超声波的机械搅拌与加速扩散作用，可避免反应体系出现局部高温现象，使糖基化反应更为均匀；同时微波的电磁场与超声波的空穴作用会在反应体系中形成超临界高温与高压的微环境及界面浓缩现象，从而避免传统湿热法下由于长时间持续高温作用而产生褐变物质，消除了色泽对产品的影响。
武汉轻工大学
2021-04-11
基于粒子群多物理场协同优化的高效感应电机轻量化方法
本发明提供了一种基于粒子群 多物理场协同优化的高效感应电机轻量化方法,包括:根据高效感应电机的主要尺寸、额定数据等参数,给出高效感应电机的电磁设计总体目标；对电机定转子拓扑结构进行选择,确定电机的可行性方案集；选定高效感应电机电磁设计初步方案；采用智能算法对高效感应电机进行成本优化,得到高效感应电机的成本最优；采用磁路法及电磁场有限元并行方式对高效感应电机的工作特性和主要运行数据进行计算；采用有限元法对高效感应电机的温度场进行校核；对优化后电机的重量与电磁设计初步方案中计算出的重量相比较进行计算。本发明实现了高效感应电机轻量化的目标,并采用多物理场对优化后的结果进行校核,保证计算结果的准确性。
北京交通大学
2021-04-13
IGBT模块
产品详细介绍IGBT模块 型号：F4-75R12KS4 特点：.最高耐压 1200V.额定电流 100A @25度.4单元H桥.开关时间<0.2微秒典型应用：.逆变电源.UPS.直流电机驱动器
哈尔滨瑞哈科技发展有限公司
2021-08-23
Zigbee核心模块
南京邮电大学
2021-04-14
静脉穿刺模块
XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）
功能特点：
■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。
■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。
■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。
■ 可反复进行练习。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
静脉穿刺模块
XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）
功能特点：
■ XM-S14静脉穿刺模块（皮下注射模型）采用高分子材料制成，肤质仿真度高。
■ 模块内部有4条模拟血管，可进行静脉穿刺练习。
■ 可选择不同类型的穿刺针进行训练，进针有明显的落空感。
■ 可反复进行练习。
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
IGBT驱动模块
产品详细介绍IGBT驱动模块
型号：SKHI22AH4
特点：
.半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容
.输入兼容COMS电平 .短路电流保护
.驱动高低边互锁 .使用变压器隔离
.低电压保护（13V） .故障输出
.开关时间1微秒
.可驱动MOSFET Vds(on) <10V
典型应用：
.驱动MOSFET模块用于桥式电路，逆变器，UPS
.直流总线电压最高1200V
哈尔滨瑞哈科技发展有限公司
2021-08-23
物理支架
产品详细介绍
天津市东丽教学仪器厂
2021-08-23