一.软件介绍浙科旅行社经营管理教学软件开发是以《旅行社经营管理》课程为依据，引入项目教学法。让学生通过分组形式参加旅游项目设计与运作，从而弥补课程讲授与案例讨论在教学中的不足，增强学生学习的主动性和创新性，培养学生的综合能力和团体合作精神。二.软件优势1.实验角色丰富采用角色扮演，分组合作方式，让学生真实体验旅行社的业务经营与管理，使学生积极主动地参加实验项目，培养学生的团队合作精神。2.实验角度多样多角度的实验方式，可以创建地接或者全陪实验，也可设置导游技能管理实验。不仅在实验中了解业务流程，而且也在实验中锻炼实际问题的解决能力。3.营销方式实用模拟旅游业的网络营销方式。游客可以通过模拟的旅游营销网站，预定旅游团、单项预定、评论旅游团等。4.实验管理高效系统在教师端自动统计实验过程内容，协助教师对学生实验过程进行考核，能够及时掌握学生的学习状况，对自身的教学进行调整，增强教学效果。三.主要功能1.导游技能培训包括前景推理、导游词和导游知识拓展等内容。情景推理中通过添加情景分析题目，让学生根据实际的情景题目答题。教师在导游词模块中，可添加导游词知识，管理景点按理、导游词欣赏等。导游知识拓展通过添加相关导游知识帮助学生拓展视野，加强知识储备。2.导游管理该部分中经理可查看导游的整体情况。通过导游管理，经理可以及时了解旅行社的带团情况，并及时回复导游咨询的信息以及查看各导游提交的工作报告，整体了解旅行社的经营状况，及时进行经营战略调整。3.交流讨论在该功能中，各用户之间可以相互发送和接收信息，既可以一对一发送，也可一对多发送。在线交流双向互动中不仅能够及时发现问题，交流心得，还能增强用户之间的情感连接，增强相互之间信任感。4.合同管理合同管理是对该旅行社下所有旅游团的合同进行管理，已审核通过的预订单可操作生成合同，有效的合同管理,能帮助旅行射节省交易时间，降低交易成本，保证交易正常进行，加速资金周转，减少费用，以最少的消耗获取最大的收益，提升旅行社资金使用效率。5.我的团队该部分包括自组团和地接团。组织团和地接团中可浏览团队详细信息、游客名单、以及游客问题列表和经理回复列表信息，对于疑难问题可向经理咨询，可将团队的的基本情况向经理汇报，进行及时的沟通。6.导游信息管理情景推理题按地陪、全陪、海外领队服务、景点景区导游、导游应变能力、导游带队技巧分类。每一类别下，都有多个案例，根据系统中原始案例或教师添加的案例，学生将依据案例中的情景内容，回答每个案例下的题目。四.软件特点1.业务完整，操作严谨系统严格按照旅行社管理的业务流程来设计，系统分为6个角色，分工完成业务流程，创建线路->新建团队->日程安排->成本计算->产品定价->报名预定->导游安排->发团->财务统计。通过实验进行了解旅行社的性质，业务运作方式和业务管理的第略和方法2.辅助功能设置提供交流讨论工具，系统为各角色之间提供交流辅助工具，可以根据业务需要，给各角色发送消息。系统还设置了导游技能管理模块，提供穿插有动画的情景案例推理题、导游词欣赏、导游词案例、导游知识拓展。使学生理论联系实际，增强实际问题解决能力，拓宽学生理论知识面。3.灵活的基础数据管理系统提供全面的业务相关基础数据，包括门票、机票、宾馆、交通车等数据。学生和教师可以根据业务需要增设业务相关数据。4.用户界面友好系统在业务流程细节处有详细的操作提示，引导学生按照正确的顺序和逻辑进行操作顺利完成业务。

本发明提出一种两层非均匀拓扑结构异构网络下的网络资源分配方法，目标模型构建为所有用户速率的对数累加和并将目标模型所要解决的问题拆分为三个子问题依次求解：首先，初始化其他的参数，求解当前情况下的用户连接及频率资源分配；第二，当用户连接及频率资源分配情况确定以后，求解当前最优的ABS比率配置；第三，求解每个Macro基站在ABS时隙的发射功率；设置终止条件，循环执行步骤一到步骤三，当满足终止条件时停止循环。该方法可以提高系统的总用户速率并且保证了用户之间的公平性。

姚宏斌课题组充分利用氯基金属卤化物钙钛矿宽带隙、成膜性好、制备简单等优势，开发出基于金属卤化物钙钛矿的梯度导锂层，实现了金属锂负极与电解液的隔离，大幅度提升了锂金属电池的循环稳定性。作为一种新型可溶液加工的离子型半导体材料，金属卤化物钙钛矿成为近年来光电研究领域的热点材料。然而，金属卤化物钙钛矿材料框架内的锂离子传导特性以及相关应用却少有研究。研究人员发现，利用旋涂法制备的金属氯基钙钛矿具有容纳和传输锂离子的特性。研究人员发展了方便的固相转印方法，避免了锂枝晶生长和锂金属电极的粉化。测试表明，在金属卤化物钙钛矿导锂层的保护下，锂电池的稳定性显著提升。

高质量钼系硫族化合物单层材料的CVD生长一直受限于难以控制的化学动力学条件，其中最为重要的是对于Mo蒸汽释放的合理调控。近日，课题组在传统的MoO 3

本发明公开了一种具有共振隧穿结构电子阻挡层的发光二极管，包括：由下而上依次设置的衬底、ｎ型氮化物层、多量子阱层、电子阻挡层、ｐ型氮化物层、ｐ型氮化物欧姆接触层，所述ｎ型氮化物层上设置的ｎ型电极和所述ｐ型氮化物层上设置的ｐ型电极；其中电子阻挡层由由下而上依次设置的ｐ型掺杂氮化物势垒层，非掺杂氮化物势阱层、利用共振隧穿效应增大空穴透过率的非掺杂势垒层联合

近日，我校化工学院功能膜与电子化学品团队青年教师庄黎伟博士，与美国约翰霍普金斯大学、北卡罗来纳州立大学等单位合作，开发了一套原子层沉积（ALD）技术在多孔材料纳米孔道内进行薄膜沉积的数值模型，可用于预测2-5纳米孔道内前驱体扩散、吸附、脱附、沉积反应以及孔道收缩直至堵塞的动态过程。

传统的空穴传输材料——以Spiro-OMeTAD为代表的芳胺类化合物由于其结构多样性、易于调节的前线轨道能级、较好的成膜能力和高的热稳定性与形态稳定性，在多个技术领域也受到了极大的关注。 氮原子的易氧化和有效传输正电荷的能力，使芳胺基团成为强电子给体。然而，由于芳胺的非平面构象及核心氮与芳基之间的扭曲，芳胺化合物大部分是无定形的。这降低了芳胺化合物的电荷载流子迁移率，并导致芳胺化合物需

本项目针对矿井瓦斯爆炸早期探测与抑制的技术难题，采用实验与光谱分析方法，得到了瓦斯爆炸感应器内自由基变化的光学特征及其辨识方法，并以此为基础，利用量子化学软件分析瓦斯爆炸微观动力学过程，得出了瓦斯爆炸感应器内的关键基元反应、自由基和其围观动力学参数，以及微观反应与宏观现象的关系，为瓦斯爆炸抑爆技术提供理论支持，受到国内相关研究人员的普遍认可。项目成果在国内外重要期刊发表学术论文13篇（9篇已刊出，4篇已录用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收录），CA收录2篇，CSCD收录及中文核心期刊5篇，完成硕士学位论文2篇。

我校物理与材料科学学院新组建的天体物理团队，与中国科学院国家天文台合作，在太阳暗条感应爆发研究领域取得新进展。 太阳暗条是悬浮于太阳高温稀薄大气中冷而密的等离子体。暗条爆发是触发太阳耀斑和日冕物质抛射等严重影响近地空间环境太阳爆发事件的重要诱因。多个暗条间的感应爆发是一种常见的暗条爆发形式，但是，由于高质量观测数据积累有限等客观条件的限制，对于此类暗条爆发完整过程的观测报道较为罕见，因此，相应的物理图像也难以获得直接的观测证据支持。近期，安徽大学物理与材料科学学院天体物理团队张军、宋志平、汪鹏和中国科学院国家天文台侯义军、李婷等人综合利用空基和地基太阳观测数据，并借助非线性无力场外推方法，对一个典型暗条感应爆发事件的完整物理过程进行了详细研究。从感应爆发发生前的磁场位型、发生时的观测特征和发生后的磁场重构等角度构建一个完备的演化证据链条，揭示了暗条感应爆发过程的完整物理图像，并指出发生在两个暗条上覆磁场间的外部磁重联及其造成的上覆磁场重构触发了暗条间的感应爆发。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。