|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
天然气泄露报警器，天然气泄漏报警器
产品详细介绍天然气泄露报警器济南中诚专业生产厂家，【TEL：0531-88883789 联系人：李经理】 天然气作为一种新兴的
无污染可再生的新能源改变着人们生产和生活的模式，然而天然气遇明火极易发生爆炸的这个特性
也给人们的生产生活带来很多的隐患。RBK-6000型广泛应用于石油、化工、冶金、燃气等存在易燃
、易爆气体的危险场所，成为生产生活不可缺少的一部分。天然气泄露报警器固定式天然气泄露警器是由两部组成的
,一部分是RBK-6000型气体报警控制器,一部分是RBT-6000的天然气气体探测器,探测器与控制器之
间采用三芯屏蔽电缆或ZRRVV三芯电缆连接，探测器和控制器上都有接线端子。RBK-6000型天然气
泄漏检测仪控制器高端的人性化设计，主机采用了壁挂式箱体设计，面板状态直接显示，安装简单
，操作方便。探测器采用工业专用防爆装置，进口气敏传感器检测灵敏度使用寿命长。
济南中诚仪器仪表有限公司生产证书齐全,有公安部及消防部颁发的型式认可证书,防爆合格证
,ISO-9000认证等,液氨气体泄漏报警器销往全国各地，十年的生产经验和高端的科研队伍是各行各
业厂家值得信赖的产品，愿广大消费者前来采购。
天然气泄露报警器产品特点：
RBK-6000使用高速CPU处理器，能够快速精确地处理系统任务，保证系统的可靠性。
LCD液晶屏幕，可实时显示探测器的浓度、状态。
使用485通讯协议，可靠性高。
4组可编程的继电器，无源常开、常闭触点，触点容量240V5A
采用模块化结构设计，便于系统维护。
可通过计算机实现本地监控及远程监控，探测器运行状态数据可永久存储。
实现可燃与毒性气体探测器的混合配置。
选购配件
备电电源转化模块。
中继器模块
联动控制模块
执行器
天然气泄露报警器技术参数：
与RBT-6000气体探测器配套使用
工作电压：AC220V±10%
使用温度：-20℃～60℃
使用湿度：≤95%RH
LCD液晶屏幕显示：ppm/%LEL
报警系统：声光报警
报警音量：≥75dB
传输距离：≤2000m
外形尺寸：370mm(L)×305mm(W)×90mm(H)
重量：≤4.5kg
济南中诚仪器仪表有限公司
联系人：李经理
电话：0531-88883789
手机：13969050081
邮箱：sdzclar01@163.com
QQ：1245851641
济南中诚仪器仪表有限公司
2021-08-23
高性能VGA长线抗干扰滤波器-地回路隔离滤波器
产品详细介绍音视频信号处理-业界领军企业网盒视通原装正品-http://www.utpbox.com高性能VGA超强抗干扰隔离滤波器高性能VGA增强型抗横纹网纹干扰产品型号：UB7211SW-E增强型超强抗干扰VGA隔离滤波器产品特性：-业界独有的高达680MHz广播级地回路隔离滤波-VGA通道带宽-高达168dB的共模干扰抑制(CMRR)专利科技，较通用型VGA隔离器高出近40dB(增强能力提高100倍)- 彻底消除因周边干扰源(如高频变频电机、专用大功率机床钻机、高频高压射灯-探照灯、大功率微波辐射、医疗或安检专用X光射线机、高层变频电梯电机、大型起重机、化工电解系统、核电-水利发电机组)重复接地而导致图像出现的大面积横纹、网纹、斜纹、发虚和抖动等干扰现象- 超强ESD泄放及电涌浪涌抑制、感应雷击防护，支持VGA电缆输入输出热插拔，设备即插即用- 配合专用VGA抗干扰放大器(放置于信号源端)+优质屏蔽VGA电缆甚至可以明显减弱或消除业界还无法解决的图像白条纹和亮线顽固干扰- 具本地端和远端调试切换测试(电缆与显示终端功能故障校验)- 本地显示(LOCAL近端)或VGA源信号延长(REMOTE远端)地环路重复接地(地握手干扰)或空间辐射干扰(共模干扰)辨别及测试功能网盒视通独家专利产品!消除图像大面积网纹、横纹、斜纹干扰，改善图像发虚和毛边、上下抖动以及黑白相间缓慢滚动条纹干扰，消除干扰引发的间歇式黑屏屏闪现象，专业应用于大型投影工程和大屏幕拼接系统工程应用!-高达680MHzVGA带宽-高达128dB的共模噪声抑制-远端(Remote)地回路隔离滤波降噪-采用较普通VGA抗干扰高1万倍性能的优质抗干扰进口器件-独特的消雪花、消横纹、消网纹、消黑屏闪烁功能-改善和消除图像发虚、上下抖动和毛边现象-ESD防护，泄放电路，支持热插拔-金属电磁干扰防护机壳-兼容CE、FCC、ROHS国际标准-独特的本地(Local)VGA切换调试测试端口，迅速判别远端VGA电缆或显示终端故障 消除高频射灯、高压高频干扰、重复接地、工程接地干扰、地回路隔离滤波电路高达168DB的共模干扰抑制适用于大屏幕拼接、投影显示、舞台音响、医疗、煤矿和工业控制的VGA音频干扰抑制。 网盒视通VGA隔离滤波抗干扰器工程实例：美国加州圣何塞(SanJose)BEST-Buy商场VGA信息发布系统上海-苏州-深圳香格里拉酒店投影会议显示系统TCL 46"DLP大屏幕拼接、电视墙BENQ明基台湾工厂LCD屏液晶显示器生产线重庆国际商贸大厦多媒体矩阵大屏拼接系统LG烟台工厂信息发布工程深圳某迪厅灯光舞台多媒体发布系统广州亚运会开闭式团体操排练系统上海浦东机场X光机VGA安检显示系统。。。 。。。 。。。 。。。VGA长线抗干扰滤波器 - 远端地回路隔离滤波器2-1+1 本地远端VGA音频切换器 (远端地环路隔离滤波，本地调试监测端口)型号: UB7211SWHD-15母头输入输出,本地输出自锁输出, 自锁型按键开关，金属机壳远端视频地环路隔离滤波, 匹配电路,图像横纹干扰抑制Http://www.utpbox.com在多数VGA信号和音频传输安装工程应用中常遇到因传输线屏蔽不良，屏蔽不充分或地环路电位差引发的图像画质“发虚”或部分整体图像“抖动”、等干扰现象，此外工程的质量和稳定性还有可能存在因线缆热插拨或静电浪涌等对信号源或显示设备冲击的隐患。网盒视通的VGA隔离抗干扰器具有高性能视频音频滤波、隔离功能，从而消除图像上的干扰。VGA长线抗干扰滤波器- 远端地回路隔离滤波器2-1+1 本地远端VGA音频切换器 (远端地环路隔离滤波，本地输出自锁型)型号: UB7211SWHD-15母头输入输出,本地输出自锁输出, 自锁型按键开关，金属机壳远端视频地环路隔离滤波, 匹配电路,图像横纹干扰抑制3.0mm 音频地环路隔离滤波输出http://www.utpbox.com
深圳市网盒视通技术有限公司
2021-08-23
低成本、高性能的新颖热电化合物的研究
随着社会的发展与进步，日益突出的能源供需矛盾不断将寻找清洁、高效、经济的新型能源材料推向研究前沿。热电材料是一类能利用热电效应，直接将热能（包括太阳能、地热、工业余热等能量）转换成电能的材料，由于热电转换技术便捷、环保等优势，在车载冰箱、深空探测器电源等领域具有不可替代的地位，受到科学家们的高度重视。而探索发现低成本、高丰度、低毒性的高效热电材料，是该领域基础研究的重点，是一项面临巨大挑战的研究工作。 吴立明2004年发明了独特且安全的固相合成方法——硼硫化法（J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 4676-4681.），近期，课题组利用该方法，发现了一种新的四方相α-CsCu5Se3，并实现宏量合成。该材料拥有前所未见的独特晶体结构：Cs+由类中国结形状的Cu8Se8结构单元构筑的三维无限扩展结构，其中镶嵌Cs+金属阳离子。α-CsCu5Se3热稳定性好，表现出典型晶态固体的热传输行为，并遵循Umklapp散射机制，这与具有类液态的热传导行为的二元化合物Cu2-xSe完全不同。晶体学及热传输性能研究表明α-CsCu5Se3指出了一个有效抑制Cu+液体传输行为特征的方法。与吴立明老师2016年发现的高性能热电材料CsAg5Te3（Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 11431–11436）相比，α-CsCu5Se3的晶体单胞体积减小了30％，导致材料具有更强的原子间d轨道重叠作用，从而显著降低有效质量(m*)，这使得α-CsCu5Se3相比于CsAg5Te3实现了功率因子200％的增长，达到8.17 μW/cm/K2，是目前报道的碱金属富铜硫属化合物中最高值；同时，理论研究表明，由于结构中的Cu–Se软化学键和Cs+ 离子扰动作用，该材料具有很低的热导率。综合上述各方面因素，该化合物的本征热电优值ZT达到1.03（980 K）。进一步通过Sb掺杂优化热电性能的研究发现：Sb3+的孤对电子能够增大材料的晶格非谐性，有效增强Umklapp型散射，从而降低声子速度，使得α-Cs(Cu0.96Sb0.04)5Se3的晶格热导率进一步降低至0.40 W/m/K，热电优值ZTmax提升到1.30。该工作系统深入研究了α-CsCu5Se3体系结构和热电相关性能的关系，为低成本，高丰度，高性能硫属化合物材料的设计探索研究迈出重要的一步。
北京师范大学
2021-02-01
单目视觉城市建筑物参数化三维建模
本书结合作者对图像处理,分析和三维重建等进行的研究和工作,对从数码相机拍摄的建筑物图像中以参数化建模的方法恢复建筑物的三维几何结构进行了论述和探讨.
江苏海洋大学
2021-05-06
基于激光散射的空气污染物微粒测量仪
近些年，工业发展导致环境污染越来越严重，其中粉尘作为环境 恶化的重要污染源,严重危害着我们的生活环境和人们的身心健康。 因此,采取及时有效的措施对环境中的粉尘浓度进行检测,然后进行 除尘降尘,可有效提高人生安全系数和环境质量。 目前，现有的粉尘检测设备中,所用的传感器稳定性差,致使测量 精度不够高,且校准调节难度大,这也对产品的推广和后期维护带来 不便。课题组采用激光散射法在线监测粉尘浓度,并采用 3D 打印技术 设计系统总体及光路结构，采用串口通讯模块对系统进行了数据校准 及稳定性分析,测量精准度高。
南开大学
2021-04-11
污染场地土壤和地下水有机物污染修复技术
随着我国大规模的产业结构调整，沿海和经济发达城市搬迁了大量重污染企业，暴露出严 重的土壤和地下水污染情况，其中有机物造成的工业场地土壤和地下水污染十分普遍。近10年 来，围绕工业场地有机物污染土壤和地下水修复技术进行攻关，系统研究了有机物污染团的调 查、监测方法体系，有机污染物对场地环境生态风险评价和健康风险评价体系，土壤和地下水 有机污染物抽出吹脱技术、高级氧化技术和原位生物修复技术体系等。根据有机污染物的物理 性质和场地赋存特性，开发了有机污染物抽出吹脱一体化异位修复系统装备和尾气净化处理装 置；根据污染物化学性质，开发了污染物高级氧化技术和零价铁活性炭耦合还原降解技术；根 据有机污染物可生化降解特性，开发了污染物厌氧生物处理、好氧生物处理和植物微生物联合 修复技术，形成了污染场地有机物污染调查、风险评价与修复的技术体系。
华东理工大学
2021-04-11
聚合物基复合材料表面金属化新技术
聚合物基复合材料表面金属化常用的方法有真空蒸镀金属法、真空离子镀金属法、电镀法、化学镀法、电铸法、表面直接喷涂金属法等。这些方法各有其优缺点：如真空蒸镀和真空离子镀的镀层厚度均匀，但所需设备昂贵且制件尺寸受设备大小限制，涂层较薄且制备成本较高。电镀法工序复杂，镀层附着力相对较低；化学镀是大多数电镀工艺中都必须涉及到的，通常作为塑料制品电镀的前处理工艺，其优点是镀层致密、孔隙率低、适用的基体材料范围广，可在金属、无机非金属及有机物上沉积镀层；缺点是镀液寿命短、稳定性差，镀覆速度慢、不易制备厚涂层，存在环境污染。电铸法可制取高光洁度、高导电性、高精度、内腔结构复杂的制件，但每做一个制件就需一个模具，模具成本高、生产周期长。热喷涂法是把金属颗粒加热到熔融状态后沉积到基板或工件表面形成涂层；但聚合物基板材料的熔点很低，热喷涂时熔融金属颗粒和高温焰流将对聚合物基板材料表面产生严重的破坏；而且由于热喷涂的加热温度较高，所制备的金属涂层由于氧化和孔隙的产生很难满足使用要求。 冷喷涂技术不需要或者只需要很少量的热量输入，加热温度低、颗粒飞行速度高，这就有效防止了热喷涂时的热影响，减少了基体表面三维畸变，涂层中氧化、相变的发生，涂层残余热应力小，可制备厚涂层；另外，与热喷涂一个相同的技术优势是通过机械手挟持喷枪或者把基体工件放在数控工作台上，能够实现对一些复杂表面、较大工件的喷涂，加工灵活，适应性强。目前可制备纯Al涂层和Al-Cu等多层结构。 已申请专利：“一种聚合物基复合材料表面金属化涂层的制备方法及装置”，中国发明专利申请号：201010588064.X.，专利申请时间：2010.12.14，专利公开日：2011.05.18
北京科技大学
2021-04-11
低成本、高性能的新颖热电化合物的研究
随着社会的发展与进步，日益突出的能源供需矛盾不断将寻找清洁、高效、经济的新型能源材料推向研究前沿。热电材料是一类能利用热电效应，直接将热能（包括太阳能、地热、工业余热等能量）转换成电能的材料，由于热电转换技术便捷、环保等优势，在车载冰箱、深空探测器电源等领域具有不可替代的地位，受到科学家们的高度重视。而探索发现低成本、高丰度、低毒性的高效热电材料，是该领域基础研究的重点，是一项面临巨大挑战的研究工作。 吴立明2004年发明了独特且安全的固相合成方法——硼硫化法（J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 4676-4681.），近期，课题组利用该方法，发现了一种新的四方相α-CsCu5Se3，并实现宏量合成。该材料拥有前所未见的独特晶体结构：Cs+由类中国结形状的Cu8Se8结构单元构筑的三维无限扩展结构，其中镶嵌Cs+金属阳离子。α-CsCu5Se3热稳定性好，表现出典型晶态固体的热传输行为，并遵循Umklapp散射机制，这与具有类液态的热传导行为的二元化合物Cu2-xSe完全不同。晶体学及热传输性能研究表明α-CsCu5Se3指出了一个有效抑制Cu+液体传输行为特征的方法。与吴立明老师2016年发现的高性能热电材料CsAg5Te3（Angew. Chem. Int. Ed. 2016, 55, 11431–11436）相比，α-CsCu5Se3的晶体单胞体积减小了30％，导致材料具有更强的原子间d轨道重叠作用，从而显著降低有效质量(m*)，这使得α-CsCu5Se3相比于CsAg5Te3实现了功率因子200％的增长，达到8.17 μW/cm/K2，是目前报道的碱金属富铜硫属化合物中最高值；同时，理论研究表明，由于结构中的Cu–Se软化学键和Cs+ 离子扰动作用，该材料具有很低的热导率。综合上述各方面因素，该化合物的本征热电优值ZT达到1.03（980 K）。进一步通过Sb掺杂优化热电性能的研究发现：Sb3+的孤对电子能够增大材料的晶格非谐性，有效增强Umklapp型散射，从而降低声子速度，使得α-Cs(Cu0.96Sb0.04)5Se3的晶格热导率进一步降低至0.40 W/m/K，热电优值ZTmax提升到1.30。该工作系统深入研究了α-CsCu5Se3体系结构和热电相关性能的关系，为低成本，高丰度，高性能硫属化合物材料的设计探索研究迈出重要的一步。
北京师范大学
2021-04-10
基因放疗引起放射性脑损伤相关SNP标志物
放疗是鼻咽癌首选的治疗方式，而放疗引起的放射性脑损伤是鼻咽癌患者最严重的晚期不良反应之 放疗是鼻咽癌首选的治疗方式，而放疗引起的放射性脑损伤是鼻咽癌患者最严重的晚期不良反应之 一。该不良反应往往具有不可逆性，极大地影响患者的生活质量。放射性脑损伤一旦发生，治疗颇为困 一。该不良反应往往具有不可逆性，极大地影响患者的生活质量。放射性脑损伤一旦发生，治疗颇为困 难，因此，对接受放疗的鼻咽癌患者进行放射性脑损伤发病风险预测，对高危个体提前采取针对性的保护措施，实现肿瘤的个体化治疗，显得尤为重要。 本发明公开了DISC1FP1基因上的SNP位点rs10501719作为与肿瘤放疗引起的放射性脑损伤发病风险相 关的标志物的应用。同时，制备得到一种预测肿瘤放疗引起的放射性脑损伤发病风险的试剂盒，利用该试 剂盒检测SNP标志物分型，联合患者临床信息可以更加全面准确的评估鼻咽癌患者发生放射性脑损伤的患 病风险。
中山大学
2021-04-10
一种偶氮类铜配合物水氧化催化剂
（专利号：ZL 201410545691.3） 简介：本发明公开了一种偶氮类铜配合物水氧化催化剂，属于化学催化剂技术领域。该水氧化催化剂为1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚(PAN)铜(Ⅱ)配合物，其为1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚与Cu2+配位形成的五配位化合物，含一个三氟甲基磺酸根配位，分子量为477.97。本发明合成的1‑(2‑吡啶偶氮)‑2‑萘酚(PAN)铜(Ⅱ)配合物水氧化催化剂，其结构稳定、价格低廉。该催化剂在催化水氧化制备氧气的反应中效果良好，且在不同溶剂体系中，均具有良好的催化效果。
安徽工业大学
2021-04-11