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渝薯12（原系号0812-33）
甘薯新品种渝紫香10号系2016年重庆市品种审定委员会鉴定紫薯品 种，具有产量高、大薯率较高、花色苜含量高、适口性好、抗病性好等特点,是鲜食、花色昔加工专用品种。具体指标如下: 1. 生长势及植株形态：紫薯型品系，萌芽性优，中长蔓，最长蔓长257.3cm ,茎粗0.51cm ,茎端茸毛中，平均分枝数5.4个,叶片心形带齿,顶叶和成年叶^色、叶脉绿色,茎色绿色。 2. 块根形态:结薯性较好，结薯集中；单株结薯数3.5个;薯形中膨 纺形，深红皮紫肉，薯干紫色。上薯率79.88%，大薯率较高。 3. 品质：该品系薯块烘干率27.71%、淀粉含量17.75%.薯块花色昔含量26.85mg/100g鲜薯,适合作鲜食、花色苜加工专用品种。 4. 产量:TS亩产1400-2200kg ,高产可达2500kg。 5. 抗病性与贮藏性:抗黑斑病,药剂浸种后宜贮藏。 6. 生育期:全生育期150天左右。 7. 种植区域:重庆市甘薯主产区。
西南大学
2021-04-13
三系杂交油菜品种华油杂62
研发阶段/n用波利马细胞质雄性不育系"2063A"与恢复系"05-P71-2"配组育成的三系杂交油菜品种。属半冬性甘蓝型油菜。株型紧凑，株高中等，生长势强，抗倒性较强，分枝性中等。苗期生长较慢，半直立，叶片缺刻较深，叶色浓绿；薹期生长势较强。茎绿色，花黄色，花瓣相互重叠。结荚性较好，籽粒中等大小。区域试验中株高176.4厘米，单株有效角果数323.3个，每角粒数20.3粒，千粒重3.63克。菌核病发病率12.91%，病指8.06；病毒病发病率0.75%，病指0.53。出苗至成熟216.7天，与中油杂
华中农业大学
2021-01-12
两系杂交稻培两优1108
研发阶段/n培两优1108是一个优质、抗白叶枯病、抗倒伏的两系杂交稻组合，2007年通过湖北省审定。母本是培矮64S、父本是通过分子标记辅助选择育种技术转入IRBB21的Xa21基因的华1108。区域试验产量8.23吨/公顷，与三系对照组合相当。糙米率80.2％，精米率70.1%，整精米率57.0%，垩白率18%，直链淀粉含量21.4%，胶稠度60mm，长宽比3.0。株高110cm，抗倒性强、适合机械收割。全生育期平均142天，在湖北主要作中稻种植。
华中农业大学
2021-01-12
XM-D018心脏传导系电动模型
XM-D018心脏传导系电动模型
XM-D018心脏传导系电动模型展示传导系与心电图，是按成人心脏放大，主要示心脏的外形与其连接的大血管，左、右心房，左、右心室中的结构，心脏的血管，心脏传导系是在此基础上显示出来的，传导系统包括窦房结、
结间束、房室结、房室束，左、右束支和浦肯野纤维等。
一、显示内容：
■ 灯光显示心脏传系各组成部分的位置分布（窦房结、结间束、房室结、房室束、右束支以及变异的副传导束等）。
■ 二十种心律的心电图，并与相应的心脏传导系统同时显示，以表示二者之间的关系。
二、技术参数：
■ 尺寸：按1:2放大，40×40×9cm
■ 材质：PVC材料+木框
三、标准配置：
■ XM-D018心脏传导系电动模型：1台
■ 电源线：1根
■ 说明书：1册
■ 保修卡合格证：1张
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
.一种环戊酰亚胺催化加氢合成八氢环戊烷[C]吡咯的方法
八氢环戊烷[C]吡咯是一种重要的医药中间体，主要用来合成治 疗丙型肝炎的关键药物特拉匹韦(Telaprevir)及治疗糖尿病的药物格 列齐特(Gliclazide)，八氢环戊烷[C]吡咯在医药工业中有着较大的需 求量，采用环保、经济的方法，大规模合成八氢环戊烷[C]吡咯有着 重要的意义。早期报道的八氢环戊烷[C]吡咯的合成方法是采用 LiAlH4 在四 氢呋喃溶液中还原环戊酰亚胺，八氢环戊烷[C]吡咯的收率可达 51%; 中国专利(CN2013106276
兰州大学
2021-04-14
催化二氧化碳和环氧化合物制取环碳酸酯
随着人们对于环境问题的日益重视，由于温室气体二氧化碳所引起的全球气候环境问题 受到广泛的关注。解决该问题除了从源头入手，倡导节能减排之外，寻求利用二氧化碳的方法 同样重要。二氧化碳和环氧化合物反应生成环状碳酸酯是目前广泛被研究的化学固定二氧化 碳的重要方法之一，该反应无其他产物生成，原子利用率100%。本项目所使用的催化剂是自 主开发的，将催化活性物质负载到生物质上构建绿色多相催化剂。结合之前的研究成果，催化 反应在连续实验装置
华东理工大学
2021-04-14
一种环戊酰亚胺催化加氢合成八氢环戊烷[C]吡咯的方法
八氢环戊烷[C]吡咯是一种重要的医药中间体，主要用来合成治疗丙型肝炎的关键药物特拉匹韦（Telaprevir）及治疗糖尿病的药物格列齐特（Gliclazide），八氢环戊烷[C]吡咯在医药工业中有着较大的需求量，采用环保、经济的方法，大规模合成八氢环戊烷[C]吡咯有着重要的意义。早期报道的八氢环戊烷[C]吡咯的合成方法是采用LiAlH4在四氢呋喃溶液中还原环戊酰亚胺，八氢环戊烷[C]吡咯的收率可达51%；中国专利（CN201310627653.8）公开了一种采用NaBH4为还原剂、ZnCl2为促进剂、在适当溶剂中还原环戊酰亚胺合成八氢环戊烷[C]吡咯的方法。上述两种方法中，前者所用的还原剂LiAlH4是一种遇水易剧烈分解的化学试剂，在较大规模使用合成八氢环戊烷[C]吡咯时，存在不可忽视的安全隐患，同时，有较大量有害废水排放；后者所使用的NaBH4/ZnCl2还原体系，在实际工业生产中易产生大量的含硼、含锌工业废水，不符合环保、绿色化学要求。
成果亮点
本课题针对现有以环戊酰亚胺为原料合成八氢环戊烷[C]吡咯的方法的缺点而提供一种更加绿色环保、高效、经济的催化加氢合成八氢环戊烷[C]吡咯的方法。本课题发明了一种PtV/-Al2O3负载型催化剂，采用高压催化加氢反应实现了环戊酰亚胺高效催化加氢合成八氢环戊烷[C]吡咯。催化剂的制备方法简单、成本较低；催化加氢方法更加绿色环保，操作简单、易控制，易于工业化放大生产。
兰州大学
2021-01-12
工信部组织开展工业领域数据安全管理试点工作
据工业和信息化部官网消息，工业和信息化部近期组织开展工业领域数据安全管理试点工作，旨在遴选一批示范企业、优秀产品和典型解决方案，形成可复制可推广的管理模式，促进提升行业数据安全保护水平。
人民网
2021-12-15