产品详细介绍 MMW-1A组态控制万能摩擦磨损试验机 1、性能特点：         该机引入过程控制原理，将工业控制计算机与组态软件技术、网络技术紧密结合；并采用一体化的结构设计，将嵌入式工业控制计算机、组态软件、采集模块、执行器组合在一个框架内，完成对整个试验过程的控制，所有的试验操作都能在计算机主界面中进行，是国内首次应用该项技术的摩擦磨损试验机，具有组态控制方式灵活、摩擦副种类多、调速范围大、能够模拟高温环境，自动化程度高、使用调整方便的特点。 2、适用范围：         该机在一定的接触压力下，能够模拟滚动、滑动或滑滚复合运动，具有多种摩擦副，能够完成点、线、面摩擦模拟试验。可用来评定润滑剂、金属、塑料、涂层、橡胶、陶瓷等材料的摩擦磨损性能。既能满足传统石化行业用户研制、开发、检测各种中高档系列液压油、内燃机油、齿轮机油的需求，又能满足新兴材料开发、新工艺研究用户进行模拟评定测试的需求。 3、主要技术经济指标   序号 项目 技术指标 1 试验力工作范围 10～1000N（无级可调） 2 试验力示值相对误差 ±1% 3 摩擦力矩测量范围 2.5N.m 4 摩擦力矩示值相对误差 ±2% 5 主轴转速范围 1～2000r/min 6 使用减速装置时： 0.05～20r/min 7 试验介质 油、水、泥浆、磨料等 8 温度控制范围 室温～300℃ 9 试验机主轴与下副盘最大距离 ＞75mm 10 时间控制范围 10s～9999min 11 计算机及数据处理系统      使用工业控制计算机及组态软件，实现对整机和试验过程的全程控制，实时显示各种参数，自动记录摩擦力—时间曲线和温度—时间曲线

本发明公开了一种铜-环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料、以及制备方法与应用，该配位框架材料采用包括铜离子和配体L在内的原料反应形成，其中所述配体L为六-(4-羧酸苯氧基)环三磷腈，其化学式为C42H30O18N3P3；此外，该配位框架材料为三维框架材料，并且具有一维直线形孔道。本发明通过对配位框架材料的组成及结构、制备方法中的各种参数等进行改进，能够获得结构有序的铜-环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料，并且该系列材料的制备方法能够有效的保证反应产率，便于实用应用。

本发明涉及一组具有结构的吡唑酸氧代螺杂环酯衍生物，其中R、Y、Xm基团选自说明书特定含义。本发明公开了这些化合物的结构以及对农业害虫的防治效果，同时公开了这些化合物作为杀虫剂的应用。

本发明公开了一种铜-环三磷腈六羧酸衍生物配位框架材料、以 及制备方法与应用，该配位框架材料采用包括铜离子和配体 L 在内的 原料反应形成，其中所述配体 L 为六-(4-羧酸苯氧基)环三磷腈，其化 学式为 C42H30O18N3P3；此外，该配位框架材料为三维框架材料，并 且具有一维直线形孔道。本发明通过对配位框架材料的组成及结构、 制备方法中的各种参数等进行改进，能够获得结构有序的铜-环三磷腈 六羧酸衍生物配位框架材

本实用新型公开了一种网格方环加载过孔结构的2.5维超宽带移动通信天线罩。主要由多个相同周期单元阵列组成的周期性频率选择表面，每个周期单元主要由上下两层介质层、设置在介质层上的金属贴片和金属过孔以及两层介质层之间的空气缝隙层组成；空间内的电磁场入射于所述天线罩，依次经过上层介质层、空气缝隙层和下层介质层的选择性滤波后，从下层介质层输出所需频段的电磁场，能在电磁波入射角度变化的情况下抑制杂波的能量。本实用新型适用于超宽带移动通信天线罩的设计，通带带宽大，带内插入损耗极小且稳定，尤其是入射电磁波在大角度变化时宽带性能稳定，频率选择性能佳。在移动通信、雷达、电磁屏蔽等领域都具有巨大的应用价值。

受益于自优化配体效应和原子精度结构，Pt团簇基电催化剂表现出高质量活性、优异稳定性和抗CO毒化能力。理论计算证实，增强的电催化性能归因于三苯基膦配体的双重效应，它不仅可以调节原子级精确Pt团簇的形成，还可以改变Pt原子的d带中心，从而有利于获得*H、*OH 和 CO等中间体的良好吸附动力学。

本发明公开了一种基于降阶电流环的永磁同步电机转动惯量识别方法，基于电流环ＰＩ控制器，根据电机电磁参数进行电流环降阶，使电流环成为一阶响应系统；通过测量系统在一个正弦叠加直流偏置的参考转矩激励下的频率响应，获得电机机械惯量参数。本发明只需要使用通用变频器，算法可以集成进电机控制器程序，降低转动惯量测试复杂度，简便易行，容易工程实现，对于设计智能电机控制器具有重要意义。

本发明公开了一种基于分数阶的伺服系统位置环 IP 控制器无模 型自校正方法，包括以下步骤:设定参考模型，激励系统获取离线数 据库，初始化系统相关参数，然后根据当前时刻新采集的输入和输出 数据进行数据库的更新，接着根据相似度准则函数进行相似数据队列 的选择，之后进行分数阶控制器阶次的选取，最后采用粒子群优化算 法对分数阶 IP 控制器参数进行自校正。