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关于公示2023年中关村国家自主创新示范区提升国际化发展水平项目拟支持单位的通知
按照《中关村国家自主创新示范区提升国际化发展水平支持资金管理办法（试行）》（京科发〔2022〕9号），现将2023年中关村国家自主创新示范区提升国际化发展水平项目拟支持单位名单进行公示。
国际合作处（港澳台科技合作办公室）
2023-07-12
我校化科院周小四教授课题组与沈健教授课题组合作在《Angewandte Chemie》发表重要研究成果
南京师范大学的周小四教授课题组与沈健教授课题组合作，通过多步模板法成功制备了蛋黄壳结构的FePO4（FePO4YSNSs），并用于钠离子电池正极。FePO4YSNSs由介孔结构的纳米蛋黄和坚固多孔的纳米蛋壳构成。另外，改变初始碳球模板的酸化程度，空心FePO4纳米球（FePO4HNSs）和实心FePO4纳米球（FePO4SNSs）也被相继合成。值得注意的是，这一多步模板法还可用于制备蛋黄壳、空心和实心结构的Fe2O3。 FePO4YSNSs在钠离子电池正极中具有独特的优势：首先，蛋黄壳结构和纳米颗粒构筑单元都可以有效地减轻在嵌/脱钠过程中的内部应力；大比表面积和小孔径可以减小钠离子/电子的扩散距离，从而提高储钠动力学。其次，介孔的纳米蛋黄可以改善FePO4YSNSs正极的电解质渗透，从而加速电荷转移和钠离子扩散；坚固的纳米壳可以增强FePO4YSNS的结构完整性，从而提高了循环稳定性。另外，高密度的FePO4纳米壳的带隙比低密度的FePO4纳米蛋黄的带隙小，导致在纳米壳和纳米蛋黄之间形成一个内置电场，这将提高电荷转移动力学并导致高倍率性能。将上述获得的FePO4YSNSs用于钠离子电池正极，电化学测试表明：与FePO4HNSs和FePO4SNSs相比，FePO4YSNSs的储钠性能最优（在100 mA g−1的电流密度下，可逆容量为106.3 mAh g−1；循环1000圈后，容量保持率为91.3%）。更重要的是，这种简单易行的多步模板法与独特的蛋黄壳结构，不仅使FePO4具有优异的储钠性能，还将为催化等其它领域提供新思路。
南京师范大学
2021-02-01
西北农林科技大学化药学院常明欣教授团队在合成手性二氢喹喔啉酮方面取得新进展
该研究利用二胺作为不对称还原胺化的胺源，与酮酯在手性铑催化剂作用下高效合成手性3,4-二氢喹喔啉酮。
西北农林科技大学
2022-10-13
关于2022年度河北省科学技术突出贡献奖、科学技术合作奖提名候选人（组织）的公示
根据《河北省科学技术奖励办法》（河北省人民政府令[2021]第4号）、《河北省科学技术奖励办法实施细则》（冀科成市规[2022]1号），现将拟受理人（组织）向社会公示，公示期15天。自公布之日起15日内，任何个人、单位对公示内容持有异议的，可以书面形式向我厅实名提出，并按要求提供身份证明、有效联系方式以及必要的证据材料或者调查线索，逾期不予受理。
河北省科学技术厅
2022-10-24
海南省科学技术厅关于2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单的公示
根据《海南省科学技术厅关于印发的通知》（琼科规〔2022〕42号）相关规定，现将2022年度海南省技术创新和科技成果转化平台名单予以公示，公示期为7月24-28日。
省科学技术厅
2023-07-21
青海省科学技术厅关于2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议结果的公示
根据《青海省科学技术奖励办法》及其实施细则的规定，现将通过2022年度青海省科学技术奖励委员会会议审议的1名科学技术重大贡献奖建议获奖人，40项建议获奖项目予以公示。
青海省科技厅
2023-08-04
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10