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氧化镓衬底晶片
氧化镓衬底晶片● 大功率高能半导体器件：电磁轨道炮、舰载电磁弹射系统等● 日盲探测类：大火监测、雷达预警、近地空间通讯器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探测设备等● 特高压输电、城市轨道及交通功率器件
青岛嘉星晶电科技有限公司
2021-08-30
厌氧氨氧化
青岛思普润水处理股份有限公司
2021-09-02
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将
华中科技大学
2021-04-14
节能环保颗粒氧化铅移动床深度氧化快速冷却
该技术以油代电、在移动床中实现深度氧化和快速冷却，设备密闭，过程连续，是生产颗粒氧化铅的国际首创全新技术。东南大学在实验室研究、数学模型研究的基础上，与江苏天鹏化工集团有限公司合作，开发出颗粒氧化铅移动床深度氧化煅烧和快速冷却新技术，设计了两套年产各为1500吨的生产装置，经过调试，各项技术指标均达到设计要求。在此基础上，经过工业试验和审慎的放大设计，2000年两套年产各为15000吨的放大装置相继投入生产。
东南大学
2021-04-10
高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法
本发明公开了一种高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法，以还原性多糖为原料在氧化剂的作用下制取水凝胶，采用如下的工艺条件：以高碘酸钠作为氧化剂，以至少一种以下物质：盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、柠檬酸、具有Lewis酸性质的绿色溶剂离子液为催化剂；调节体系的pH在酸性范围在室温下避光反应4小时，经后处理得到不同氧化度的天然高分子多糖高强度水凝胶。本发明方法获得的产品具有氧化度高，与其它反应物之间的交联更加容易，形成的化学键更加牢固的优点，能形成高强度水凝胶，并且凝胶的降解速率可以得到控制，适合用于制备骨组织功能材料。
西南交通大学
2016-07-05
岩心渗透率 5MHz核磁岩心分析仪
产品详细介绍产品简介： MicroMR系列5MHz核磁岩心分析仪是经典的岩心分析设备，主要用于常规岩心的孔渗饱测试，该产品专为不同特性岩样的检测需求而精心研制，为石油岩心测试领域提供最专业最匹配的分析解决方案。 5MHz核磁共振岩心分析仪，可满足石油勘探领域的孔隙度、渗透率、饱和度、可动流体饱和度、束缚流体饱和度等相关分析测试，测量结果客观真实、精准度高、重复性好，仪器性能稳定，性价比高。技术指标：1、磁体类型：永磁体；2、磁场强度：0.12±0.02T，仪器主频率：5MHz；3、探头线圈直径：25.4mm；应用解决方案：标准岩心孔隙结构及流体饱和度；；应用案例一：玻璃珠孔隙模型测试（不同饱和度下T2弛豫图谱分析）应用案例二：核磁共振T2图谱与岩样孔喉分布注：仪器外观如有变动，以产品技术资料为准。
上海纽迈电子科技有限公司
2021-08-23
脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型
XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型
XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型分别为沿丘脑内髓板的中心脑作水平切，示断面立体结构，沿丘脑内髓板的中心平面以上脑作冠状切面，示其平面结构，显示脑干主要核团的断面及立体结构与立体神经核团位置关系，模型控制面板上设有36个按钮功能键，可任意选择电动显示了解神经核团位置、形态和毗邻。
尺寸：34×34×70cm
材质：PVC材料+木框
标准配置：
■ XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型：1台
■ 电源线：1根
■ 说明书：1册
■ 保修卡合格证：1张
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑干脑神经核及脑神经XM-655E
XM-655E脑干脑神经核及脑神经
XM-655E脑干脑神经核及脑神经根据脑神经核纤维的分布、功能和发生来源，将脑神经核用各种颜色加以区分，深红色代表体躯传出（运动）核柱，黄色代表一般内脏传出（付交感）核柱，粉红色以示特殊内脏传出核柱，蓝色代表一般体躯，内脏和特殊内脏传入（感觉）核柱，黑绿色代表特殊体躯传入核柱，延髓背侧的薄、楔束核亦用蓝色表示，中脑红核用橙黄色，黑质用紫色，脑神经纤维鱼核柱颜色一致。
尺寸：放大，30×23×45cm
材质：优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23