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节能环保颗粒氧化铅移动床深度氧化快速冷却
该技术以油代电、在移动床中实现深度氧化和快速冷却，设备密闭，过程连续，是生产颗粒氧化铅的国际首创全新技术。东南大学在实验室研究、数学模型研究的基础上，与江苏天鹏化工集团有限公司合作，开发出颗粒氧化铅移动床深度氧化煅烧和快速冷却新技术，设计了两套年产各为1500吨的生产装置，经过调试，各项技术指标均达到设计要求。在此基础上，经过工业试验和审慎的放大设计，2000年两套年产各为15000吨的放大装置相继投入生产。
东南大学
2021-04-10
高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法
本发明公开了一种高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法，以还原性多糖为原料在氧化剂的作用下制取水凝胶，采用如下的工艺条件：以高碘酸钠作为氧化剂，以至少一种以下物质：盐酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、柠檬酸、具有Lewis酸性质的绿色溶剂离子液为催化剂；调节体系的pH在酸性范围在室温下避光反应4小时，经后处理得到不同氧化度的天然高分子多糖高强度水凝胶。本发明方法获得的产品具有氧化度高，与其它反应物之间的交联更加容易，形成的化学键更加牢固的优点，能形成高强度水凝胶，并且凝胶的降解速率可以得到控制，适合用于制备骨组织功能材料。
西南交通大学
2016-07-05
小型核化探测遥操作机器人项目介绍
为应对核生化恐怖威胁以及保障核电站的运营安全，迫切需要研制一种适应各种复杂环境、高度机动灵活、远程控制距离远、现场可迅速展开并具有一定应急处理能力的小型核化探测遥操作机器人。 小型核化探测遥操作机器人主要由（1）机器人本体、（2）小型四自由度机械臂、 （3）遥操作控制箱三部分组成。机器人自身配有姿态传感器，GPS定位和激光雷达，结合摄像头的图像信息，可以将机器人周围的环境情况回传给操作人员，使得操作人员可以根据现场情况对机器人的行动进行决策，如图所示。
东南大学
2021-04-11
XM-617C脑干及下丘脑核团模型
XM-617C脑干及下丘脑核团模型
XM-617C脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件，主要显示了脑干的形状结构和间脑神经核团，脑干部除可观察延髓、脑桥、菱形窝和中脑的形态外，还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位，间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑，在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团。
尺寸：放大，14×11×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型
XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型演示面神经、舌下神经的核上下瘫和皮质核束的正常通路。
一、显示内容：
■ 椎体系：演示由中央前回和中央旁小叶前部的巨型椎体细胞和其他类型的椎体细胞以及额、顶叶部分区域的椎体细胞的轴突共同组成椎体束，其中一部分下行至脊髓的纤维束，另一部分止于脑干脑神经运动核的纤维束。
■ 面神经核核上瘫：演示核上运动神经元受损，产生对侧眼裂以下的面肌瘫痪，表现病灶为对侧鼻唇沟消失，口角低垂并向病灶侧偏斜，流涎，不能鼓腮、露齿等。
■ 面神经核核下瘫：演示面神经核核下神经元受损，可致病灶侧所有面肌瘫痪，额横纹消失，眼不能闭，口角下垂，鼻唇沟消失等。
■ 舌下神经核核上瘫：演示舌下神经核核上神经元受损，可产生伸舌时舌尖偏向病灶对侧。
■ 舌下神经核核下瘫：演示舌下神经核核下神经元受损，可产生全部舌肌瘫痪，伸舌时舌尖偏向病灶侧。
二、技术参数：
■ 尺寸：34×34×81cm
■ 材质：PVC材料+木框
三、标准配置：
■ XM-D023锥体系（皮质核束）电动模型：1台
■ 电源线：1根
■ 说明书：1册
■ 保修卡合格证：1张
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
带数字标识内囊与基底神经核解剖模型
XM- 644A内囊与基底神经核解剖模型（带数字标识）
XM-644A带数字标识内囊与基底神经核解剖模型可拆分为2部件，显示了脑部内囊与基底神经核各部分解剖结构的外形及位置，以及半侧脑干及脑神经附着部位，左半侧显示丘脑、尾状核、杏仁体、豆状核的形态位置及相互的关系，豆状核上外髓板外为壳，内为苍白球；右半侧显示内囊，内囊是在尾状核、背侧丘脑与豆状核之间，上下交错穿行的投射纤维，在模型中用彩色氛围表示投射纤维的不同去向，共有多个部位数字指示标志和对应的文字说明。
尺寸：12×12×12cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
脑干及下丘脑核团模型XM-617C
XM-617C脑干及下丘脑核团模型
XM-617C脑干及下丘脑核团模型可拆分为4部件，主要显示了脑干的形状结构和间脑神经核团，脑干部除可观察延髓、脑桥、菱形窝和中脑的形态外，还可观察第Ⅱ至Ⅻ对脑神经在脑干部位，间脑可观察到上丘脑、背侧丘脑、后丘脑和下丘脑，在背侧丘脑和下丘脑部显示了各主要核团。
尺寸：放大，14×11×22cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法
本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的 方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结 剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉 末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模 型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为 原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所 述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将
华中科技大学
2021-04-14