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第四脑室脉络组织和脉络丛模型XM-643
XM-643第四脑室脉络组织和脉络丛模型
XM-643第四脑室脉络组织和脉络丛模型可拆分为3部件，显示脑室及脉络丛，模型上可观察到部分侧脑室及其脉络丛，第三脑室及其脉络丛，中脑水管，第四脑室及第四脑室脉络丛，本模型除可观察以上内容外，尚可观察脑干，小脑和间脑的外部形态结构。
尺寸：自然大，14×9.5×16cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型XM-632
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型主要显示表情肌、咀嚼肌、颈部肌群、胸部、背部部分肌肉及颈外动脉的分布。
尺寸：自然大，38×25×45cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
Acura® manual 815F和835F系列固定容量移液器
产品详细介绍Acura® manual 815F和835F系列固定容量移液器• Acura® manual 815F和835F系列固定容量移液器，共34种规格• 三年质量保证，专利的人体工程学设计，操作舒适省力• 可以整支灭菌，而不会损坏移液精度• 特殊材料构成，专利结构设计，移液器容量调节控制部分可以轻松分解，进行清洁• 吸头推出简单省力, 更有专利的JUSTIPTM吸头连接杆高度调节设计，使移液器对吸头的适配性更强• 大容量移液器，配套过滤嘴可防止液体渗透和迸溅进入吸嘴套管• 2mL和5mL移液器，可购买巴斯德管适配器，配套巴斯德管使用
深圳市诺亚迪化学科技有限公司
2021-08-23
脊髓横断模型第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型
XM-620脊髓横断模型
（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）
XM-620脊髓横断模型（第五颈椎附脊髓和脊神经放大模型）显示第五颈椎、椎动脉、椎静脉与脊髓的横切面以及脊神经组成、硬脊膜、蛛网膜下隙等结构。
尺寸：放大，28×25×9cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型XM-632
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型主要显示表情肌、咀嚼肌、颈部肌群、胸部、背部部分肌肉及颈外动脉的分布。
尺寸：自然大，38×25×45cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-818A人胚受精、卵裂和胚泡形成过程模型
XM-818A人胚受精、卵裂和胚泡形成过程模型
XM-818A人胚受精、卵裂和胚泡形成过程模型由14部件组成，显示受精卵、卵裂球、受精后3天的桑椹胚、受精后5天的胚泡、受精后7天的胚泡、受精后12天的两胚层期胚、受精后18天的三胚层期胚、三胚层期胚放大并附有体蒂和绒毛膜、受精后23天的体节时期人胚、受精后25天的胚及胎膜全部、胎膜与胚胎以及胚内部构造、受精卵植入子宫内膜过程。
尺寸：放大
材质：玻璃钢材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型
XM-632头、面、颈部解剖和颈外动脉配布模型主要显示表情肌、咀嚼肌、颈部肌群、胸部、背部部分肌肉及颈外动脉的分布。
尺寸：自然大，38×25×45cm
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
基于多重路径集的最优交通流预测方法与拥挤收费方法
基于多重路径集的最优交通流预测方法与拥挤收费方法，算法具体步骤如下：步骤0.组织交通调查，确定每个OD对之间不同类别出行者的需求量及其合理路径集合。步骤1.在零流网络上，进行流量加载，得到辅助路径流量令初始路径流量置k＝0。步骤2.计算各路径的广义路径行驶时间向量步骤3.进行流量加载，得到辅助路径流量向量步骤4.如果满足收敛指标要求，则停止迭代，将当前迭代点fk作为系统最优路径流量；否则转步骤5。步骤5.沿方向利用某种线搜索方法，计算迭代步长λk。步骤6.更新路径流量，令k＝k+1，转步骤2。本发明严格证明了该方法的有效性和实用性：即使对不同类型的出行者施加同样的收费，仍然能够达到系统最优状态。
东南大学
2021-04-11
材料的制备方法及提高镁合金抗蠕变性能的方法
本发明公开了一种材料的制备方法及应用该方法提高镁合金抗蠕变性能的方法。将第一基体与第二基体相结合使第一凸起嵌入对应的第二凹槽、第二凸起嵌入对应的第一凹槽,确保在第一凸起与第二凹槽之间形成的空腔以及第二凸起与第一凹槽之间形成的空腔内填充改性粉末；对相结合的第一基体与第二基体进行搅拌摩擦加工，使第一基体、第二基体以及位于空腔中的改性粉末融合为一体并转化为最终材料。该方法生产效率高且所得材料中各物相分布均匀。应用时，所述第一基体和第二基体为镁合金基体，改性粉末与镁合金基体融为一体并且转化为均匀分散于融合后的镁合金基体中的强化相，从而显著提升镁合金的抗蠕变性能。
西南交通大学
2016-10-14
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
复旦大学
2021-01-12