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一种牙科用梯度结构金属烤瓷材料及其制备方法
本发明属于口腔修复领域中烤瓷材料的制备和应用技术领域,特别涉及采用镍铬合金为金属基底的梯度烤瓷材料的制备方法。合成一种以白榴石为主晶相的烤瓷粉,其组分的质量百分比为SiO2?66.67%、Al2O3?16.57%、K2O?12.81%、Na2O?2.64%、其它0.89%。在此烤瓷粉中加入梯度调节成分,其组分的质量百分比Ni为30%~40%、Cr为10%~20%、NiO为0%~10%,Cr2O3为40%~50%,将加入了梯度调节成分的烤瓷粉用层堆积法成型并烧结。制备出的成分梯度烤瓷材料具有缓和金瓷间热应力和提高强度等特点,为口腔烤瓷修复的临床应用打下基础。
四川大学 2021-04-11
多段进料式反溶剂喷射结晶器及其喷射结晶方法
本发明是一种多段进料式反溶剂喷射结晶器及其喷射结晶方法,该结晶器为竖直设置的管式结晶器,在所述管式结晶器的上部设有主管入口(1),从上到下沿主管壁的不同高度位置处开有对称分布的小孔或者狭缝(2),相同高度位置的小孔或者狭缝(2)的周围设置有缓冲室(3),每一个缓冲室设置有侧进料口(4),在所述管式结晶器的下部设有主管出口(5)。将杂环类有机药物颗粒、无机盐或者氧化物、硝基类含能材料的颗粒P溶解于良溶剂S配置成一定浓度的溶液体系A,采用管式结晶器对粗品颗粒P进行重结晶,溶液体系A和不良溶剂快速混合,不断形成晶核并继续生长,最终在喷射结晶器的出口得到含有细颗粒P的悬浮液。通过本方法得到的颗粒产品具有粒径大小及分布可控、粒径分布窄等优点。
东南大学 2021-04-11
一种碲化镉粉末的高温液相合成方法
本发明公开了一种碲化镉粉末的高温液相合成方法,将镉块和碲块,按摩尔比1:1分别装入到“Y”形管的A,B两端,并将“Y”形石英管水平放入三段加热的开合式“Y”形炉膛中;然后对石英管抽真空至1×10-3Pa~1×10-4Pa,并对“Y”形石英管的A,B,C三段分别加热到?350-400℃,480-600℃和600-1100℃,保温至试验完成。当碲和镉熔化成液体后,通过支架8将三段加热的开合式炉垂直放置,然后关闭真空阀门1和2,打开通气阀3、4和放气阀5,并通入0.01-1MpaAr气,使碲和镉液体分别从6和7喷口喷出雾化,碲和镉的雾化液滴接触即可合成的高纯碲化镉粉末,并散落于“Y”形石英管的C端底部。雾化完成后,停止加热,冷却至室温,打开C端封头9,即可收集高纯碲化镉粉末。
四川大学 2021-04-11
一种含铁富锂锰基正极材料的制备方法
一种含铁富锂锰基正极材料制备方法,属于锂离子二次电池正极材料领域。本发明采用“共沉淀-混料-煅烧”工艺制备含铁富锂锰基正极材料,制备方法如下:采用沉淀剂与可溶性铁盐和其它过渡金属盐的混合溶液进行共沉淀反应,生成前驱体;前驱体与锂化合物混合后,直接煅烧,制备出含铁富锂锰基正极材料。该方法优点在于简化了目前含铁富锂锰基正极材料制备工艺“共沉淀-混料-水热合成-煅烧”中的水热工序,有利于降低含铁富锂锰基正极材料的制备成本。
四川大学 2021-04-11
一种高性能锰酸锂正极材料及其制备方法
本发明针对现有尖晶石锰酸锂和层状锰酸锂正极材料性能的不足,通过原料配比的设计,以及控制合理气氛和热处理温度、时间来制备高性能的锰酸锂正极材料,该材料既有较高的放电比容量,又有优良的循环性能。
四川大学 2021-04-11
一种硬质合金用稀土添加剂及其制备方法
本发明所述硬质合金用稀土添加剂是一种稀土-粘结相合金粉末,粒度小于10微米,其原料各组分的重量百分数:粘结相原料60~99%,稀土1~40%,所述粘结相原料由Co、Mn和M组成,M为Ni、Fe、Cr、V、Cu、Al中的至少一种。上述稀土添加剂的制备方法有两种:1、将粘结相原料和稀土浇铸成铸锭,并破碎成小于20mm的块料,将所述块料在真空条件下进行均匀化退火,或在电弧重熔快淬炉中快淬形成稀土-粘结相合金薄带,并进行吸氢处理,将吸氢处理的产物在氩气保护下进行球磨破碎。2、将粘结相原料和稀土浇铸成铸锭,并破碎成小于20mm的块料,将合金块料熔炼成合金熔体后进行雾化形成雾化粉末。
四川大学 2021-04-11
白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法
本发明涉及一种白光LED用含氮硅酸盐绿色发光材料及制备方法。该发光材料的化学组成可表示为:Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+,0.003≤x≤0.06,0.1≤y≤0.8。其制备过程为:(1)以硝酸钙(CaN2O6·4H2O)、硝酸铕(EuN3O9·6H2O)正硅酸乙酯(C8H20O4Si)、氮化硅(Si3N4)为原料,采用溶胶凝胶法,获得前驱体,(2)将所得前驱体与氮化硅粉体混合均匀,在非还原性气氛下于1000~1200℃焙烧2~4小时,获得Ca2-xSi(O4-yNy) : xEu2+荧光粉。所得发光材料,发光性能显著,在近紫外到紫光波长范围(300~400nm)有宽带吸收,发射出强度高的绿色光(500~504nm)。通过氮化硅与前驱体的混合焙烧,在不需要任何还原气氛下,将Eu3+还原为Eu2+,制备方法简单、安全。
四川大学 2021-04-11
一种凹凸棒矿物制造印染废水脱色材料的方法
本发明是一种凹凸棒矿物制造印染废水脱色材 料的技术方法,它是以凹凸棒石粘土为主原料(80~100目), 与1.5~ 3.0mol/LH2SO4,固液比1∶2~3,在常温下活化1~2h,并加入 0~5%的Fe、Mn、Al等金属硫酸盐(按金属氧化物计),再经3~ 6mol/L碱溶液中和至pH值7~8,一次固液分离,造粒(3~ 5mm),烘干,再经700℃煅烧0.5~2h后制成。产出的滤液副 产回收 Na2SO4·10H2O或 (NH4) 2SO4;该脱色料 对印染废水脱色后,颗粒料经1.5~6.0mol/L硫酸铵溶液浸泡 2~5min、在300℃下焙烘5~25min后,可重复循环使用四次 以上;脱色材料对印染废水的脱色率≥94%,循环使用的脱色 率≥91%。具有制造过程简单、成本低廉、无污染物排放等特 点。
四川大学 2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
一种带可控风门的多风扇冷却模块及控制方法
本发明公开了一种带可控风门的多风扇冷却模块及控制方法,包括散热器、安装框架、减震支架、可控风门、导风罩、电子风扇和控制器ECU。车辆高温季节低热负荷运行工况时,通过调节可控风门的开度,可使得多风扇冷却模块的冷却效率明显提高,本发明实施案例中提高幅度为6.5%~17.7%。车辆在低温季节运行时,调节可控气门的开度,避免车辆被过度冷却,进而避免车辆耗油过高。
浙江大学 2021-04-11
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