一、成果简介 芽苗菜，包括绿豆芽、黄豆芽、豌豆芽等是民间广泛食用的传统蔬菜。由于豆类萌发过程中发生了大量复杂的生理变化，各种生物酶活化或合成，豆类子叶中贮藏的大分子物质被酶分解为可供胚利用的多肽、氨基酸 等小分子物质，维生素、异黄酮等对人体有益的营养物质也在发芽过程中积累，因此豆类芽菜较豆类种子营养价值明显提高。此外，经过发芽豆类种子中的一些抗营养因子如胰蛋白酶、植酸减少甚至消失，大豆的胀气性

采用试验检测与理论分析相结合、宏观测试与微观结构分析相结合气固还原反应基本原理与分子动力学模拟相结合的方法，研究了气固还原过程中的铁氧化物颗粒表面铁晶须的形成、生长形态；研究还原气体组成、温度、脉石成分或添加剂、表面改质预处理等对颗粒表面新生铁晶须生长状态、生长速度的影响和作用机理，重点探明铁矿粉颗粒表面铁晶须的形成、长大的机理，以及铁矿粉颗粒间铁颗粒间的粘结、桥接方式和相互作用规律；为揭示流态化还原中铁矿粉粘结失流问题及其控制奠定理论基础和参考依

本发明公开了一种水貂生长期补充饲料，各组分重量配比如下：植物性饲料70～80份，动物性饲料10～30份，氨基酸饲料1～5份，矿物质饲料1～5份，氯化胆碱0.1～0.5份，复合酶制剂0.1～0.5份，微生态制剂0.05～0.2份，乙氧基喹啉0.1～0.5份，添加剂预混料0.5～1份，本发明的饲料可以提高水貂生长期的生长速度、成活率、皮毛质量，提高饲料中蛋白质、脂肪的消化率，降低水貂幼貂的腹泻率和料重比。

产品详细介绍土壤PF曲线测定(沙箱法)在检验土壤中植物及树木能吸收的水的质量时，湿度特征（PF曲线）的测定是很重要的。依据需要的测量范围，可选用真空法（即所谓沙箱法），或过压法（膜设备）。采用沙箱法来测定湿度特征，需要静态样本。这些样本由不锈钢土样环取得，而土样环的填充则由其环座来完成。在实验室中，将土样浸透，然后称重，以得出增加的水湿张力。水湿张力是通过建立一系列的真空，或过压，来获得的。每一次平衡调节后，对样本称重，这样就能产生每一水湿张力的水分。pF测定装置，沙箱法(pF 0-4.2)全套装置可进行范围0到r4.2之间的pF测量。装置包括：一只沙箱，用于0 - 2.0之间的pF测量，最多可测40个土样环。一个膜设备，用于3.0-4.2之间的pF测量，最多可测15个土样环。一套土样环工具（螺口连接），用来采集静态土样，取样深度2米。带土样环的套管。铝制土样盒，用在干燥炉中干燥土样。装置还可配备直径53毫米(08.27.SA)、60毫米(08.27.SB)的土样环和环座。PF测定(沙箱法)，pF 0 - 2.0范围在pF 0 - 2.0之间(0 - 0.1 巴)的标准装置包括控制面板，吸力校准架，带支架的供水瓶，滤布（140-150微米），容器，约为73微米的合成沙和颗粒，以及各种附件。沙箱中最多可放置40个土样环。测量用的土样，就是由土样环取得的，其容量一般为100cc。除了标准装置以外，还必须有一套土样环工具、土样环套管，以及铝制的土样箱。要进行pF测定，实验室还应有天平和干燥炉。放置仪器的桌子应保持水平，并且不会震动。着手测量水湿张力之前，必须装好各个部件，并将滤布装到排水管上。随后，用水和合成沙（沙不应含有气穴或水窝），正确填充沙箱。如果操作过程都符合要求，可将土样环中饱和的土样放入沙箱，测量出完全浸透的土样的水湿张力。接下来，使用更大的吸力。每次平衡调节后都对样本称重，得出每一水湿张力对应的水分。如果每次测试后沙箱都被水淹没，那么它可以有几年的使用寿命。铜环可防止藻类生长。pF测定（2.0 - 2.7，0.1 – 1巴）标准装置包括一只带控制面板的沙箱/瓷土箱，一个带综合控制面板的电子吸力控制装置（压力范围0 - 600 hPa），装有合成沙的容器，装有瓷粘土的容器，以及各种附件。沙箱/瓷土箱适用于40个以下的土样环。PF测定是在土样环内的样本上进行的，这些环的容量一般为100cc。除了标准装置以外，还必须有土样环工具，土样环套管，以及铝制的土样箱。装置的最少配置还包括天平和干燥炉。验室中放置仪器的桌子应保持水平，并且不会震动。着手测量水湿张力之前，必须装好各个部件，并将滤布装到排水管上。随后，将水、合成沙及瓷粘土（沙/粘土不应含有气穴或水窝），正确填充到沙箱/瓷土箱中。排出的多余的水，用自动吸力控制装置去掉。样本上的不同吸力是由真空泵实现的。为了测量pF范围0 - 2.7，可以一步步地设置沙箱/瓷土箱并使用。填满的沙箱/瓷土箱，如果每次使用后都用水浸泡，那么可使用好几年。铜环用来防止水藻生长。pF测试，膜设备(pF 3.0 - 4.2)如果是在3.0-4.2（1.0-15.5巴）的范围内使用膜设备进行样本pF值测量，那么土样环中不用分割样本。这种设备中，实验室测量之前，半静态样本先浸透之后再放入合成塑料环。整套装置包括压力膜抽取器，最多用于15份样本，一个带减压阀和压力计的20巴压缩机，一个空气过滤器，.赛璐玢薄膜，滤布，合成土样保存环，以及各种附件。实验室中pF测量至少需要一个天平，一只干燥炉和带盖子的铝制土样箱。样本浸透后，部分放入一只合成土样保存环，进一步进行处理。将压膜抽取器闭合后，其中的压缩机产生过压。达到平衡后，取出样本，称重，干燥后再称重。为了测量更多的样本，还可将另一个压膜抽取器连接到第一个抽取器上。

差示扫描量热仪是一种测量参比端与样品端的热流差与温度参数关系的热分析仪器，主要应用于测量物质加热或冷却过程中的各种特征参数：玻璃化转变温度Tg、氧化诱导期OIT、熔融温度、结晶温度、比热容及热焓等。

目前该产品已应用于腹腔术后及周围神经修复手术动物实验中，效果良好。 本项目利用已有自主知识产权-分子定向进化 的高效表皮生长因子（ eEGF）为功能基因表达序 列，采用上游调控序列改造和多拷贝策略构建叶绿 体表达载体，转化和筛选优良的塔胞藻，作为海洋 生物反应器。在集成高效表达技术、代谢工程调 控、蛋白质分离和纯化四级技术平台基础上，实现 重组eEGF的高效表达和生产。进而结合全新的海绵 状胶体成膜技术，将含有eEGF充分吸附到海绵状胶 体膜囊腔中，起到抗挥发、控释缓释的强效作用， 其整合了新颖的精准皮肤营养和修复和先进的生物 工艺学技术，可大幅度提升企业在新兴产业链上的 辐射产品自主创新能力和国际竞争力。

研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。

一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。