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关于国家重点研发计划“黑土地保护与利用科技创新”重点专项2023年度项目正式申报书（含预算申报书）填报的通知
根据国家重点研发计划重点专项管理工作的总体部署，中国农村技术开发中心已完成“黑土地保护与利用科技创新”重点专项2023年度项目预申报书形式审查工作，通过形式审查的项目将进入项目正式申报书（含预算申报书）填报阶段。
科学技术部
2023-07-05
关于召开国家重点研发计划“农业生物种质资源挖掘与创新利用”重点专项2023年度项目视频答辩评审（论证）会的通知
根据国家重点研发计划2023年度项目评审（论证）工作安排，中国农村技术开发中心（以下简称“农村中心”）定于2023年8月30日至9月13日组织召开“农业生物种质资源挖掘与创新利用”重点专项2023年度项目视频答辩评审（论证）会。现将视频评审（论证）有关事项通知如下。
科学技术部
2023-08-14
关于公布2023年度内蒙古自治区级科技企业孵化器、加速器和自治区备案众创空间的通知
为贯彻落实党的二十大精神，深入实施“科技兴蒙”行动，完善科技创业孵化全要素、全链条服务体系，促进科技创业带动就业，加快自治区级科技企业孵化器、加速器和自治区众创空间高质量发展，根据《内蒙古自治区科技企业孵化器和加速器管理办法》（内科成字〔2022〕21号）、《内蒙古自治区众创空间管理办法》（内科成字〔2022〕13号）等文件精神，按照《关于组织开展2023年度自治区级科技企业孵化器、加速器和众创空间备案工作的通知》（内科成字〔2023〕21号）等有关规定和程序，经各盟市科学技术局等主管部门推荐，自治区科技厅组织评审并公示，现将内蒙古特如科技有限责任公司特如双创科技企业孵化器等4家孵化器备案为自治区级科技企业孵化器，将呼和浩特市科学技术成果转化中心呼和浩特科创中心加速器等3家加速器备案为自治区级科技企业加速器，将内蒙古云创企业孵化器管理咨询有限公司云创联盟众创空间等16家众创空间备案为自治区众创空间。
内蒙古自治区科学技术厅成果管理与转化处
2023-08-16
关于对2023年度拟确定为内蒙古自治区级科技企业孵化器、加速器和众创空间名单的公示
根据《内蒙古自治区科技企业孵化器和加速器管理办法》（内科成字〔2022〕21号）、《内蒙古自治区众创空间管理办法》（内科成字〔2022〕13号）和《关于组织开展2023年度自治区级科技企业孵化器、加速器和众创空间备案工作的通知》（内科成字〔2023〕21号）等文件要求，经各申报机构申请、各盟市科技局等主管部门推荐和实地核查、自治区科技厅组织专家评审和科研诚信审核等程序，现对2023年度拟确定为自治区级科技企业孵化器的4家机构，拟确定为自治区级科技企业加速器的3家机构和拟确定为自治区众创空间的17家机构予以公示（名单见附件）。
内蒙古自治区科学技术厅成果管理与转化处
2023-08-07
广西壮族自治区科技厅关于2023年中央引导地方科技发展资金拟立项项目(第一批)的公示
根据有关管理规定和要求，“2023年中央引导地方科技发展资金拟立项项目（第一批）”54个项目已完成申报、遴选、评审论证、专题审议等程序，现予公示。公示期为5个工作日（2023年8月2日-8月8日）。
广西壮族自治区科学技术厅
2023-08-01
浙江省科学技术厅 浙江省妇女联合会印发《关于鼓励和支持女性科技人才更好发挥作用的若干措施》的通知
为深入贯彻落实党的二十大关于实施科教兴国、人才强国、创新驱动发展战略部署，认真落实省委关于深入实施“八八战略”强力推进创新深化改革攻坚开放提升部署要求，进一步激发女性科技人才创新活力，促进女性科技人才在构建“315”科技创新体系，实施科技创新和人才强省首位战略，助力“两个先行”中更好发挥作用，结合我省实际，提出以下鼓励支持措施。
浙江省科学技术厅
2023-03-09
一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和方法
本发明公开了一种强磁场下电子枪式电子束注入约束的装置和 方法；装置包括分段的负极板、正极板和电子枪；负极板与正极板相 对并与磁场方向平行放置；电子枪位于极板边缘且平行于极板。本发 明采用电子枪，能发射出大量高速运动的电子束；电场由通电极板产 生，电场方向与磁场方向垂直；电子枪位于极板边缘且与极板平行， 电子枪能发射出大量高速运动的电子束。这些电子束经过分段的电场 区域时产生电漂移运动。在极板出口收集电子束，根据收集电子束大 小，反馈调整电子枪发射面角度与发射功率。本发明通过分段的电场， 克服单一极板
华中科技大学
2021-04-14
两部门关于开展财政支持中小企业数字化转型试点工作的通知
围绕100个细分行业，支持300个左右公共服务平台，打造4000-6000家“小灯塔”企业作为数字化转型样本，带动广大中小企业“看样学样”加快数字化转型步伐，促进专精特新发展。
工业和信息化部
2022-08-17
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10