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头颈部层次解剖模型附脑N、AXM-633
XM-633头颈部层次解剖模型附脑N、A   XM-633头颈部层次解剖模型附脑N、A模型显示头部、颈部深、浅层血管和神经,在显示头部、颈部的肌肉基础上显示血管、神经的分布和走向,头部、颈部作正中矢状切面显示各种器官结构,左侧半脑拆下可示脑神经外形及脑神经进出脑及脑颅底部位,脑可拆下示眼外肌。 尺寸:自然大,38.5×24×50cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-634头颈部血管神经附脑模型
XM-634头颈部血管神经附脑模型   XM-634头颈部血管神经附脑模型由头颈部正中矢状切面(左侧半可向上移动)、颅顶、脑正中矢状切面、眼、左侧半胸锁乳突肌、三角肌、胸大肌、斜方肌、下颌骨、锁骨等19个部件组成,并显示头顶部正中矢状切面、颅顶、颅底、大脑半球、间脑、小脑和脑干各个部分,以及脑神经和脑血管等结构。 尺寸:自然大,34×37×20.5cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型
XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型   XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型分别为沿丘脑内髓板的中心脑作水平切,示断面立体结构,沿丘脑内髓板的中心平面以上脑作冠状切面,示其平面结构,显示脑干主要核团的断面及立体结构与立体神经核团位置关系,模型控制面板上设有36个按钮功能键,可任意选择电动显示了解神经核团位置、形态和毗邻。   尺寸:34×34×70cm 材质:PVC材料+木框   标准配置: ■ XM-D022脑、脑干水平切、脑神经核立体关系电动模型:1台 ■ 电源线:1根 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-616大脑皮质功能定位模型
XM-616大脑皮质功能定位模型   XM-616大脑皮质功能定位模型可拆分为2部件,大脑作正中矢状切面,左侧大脑半球作水平切面,并剖开颞叶显示间脑,小脑作矢状剖面,按不同功能部位进行定位,并用颜色加以区别。 尺寸:自然大,21.5×17×14cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-604C脑外形及右半侧脑血管模型
XM-604C脑外形及右半侧脑血管模型   XM-604C脑外形及右半侧脑血管模型可拆分为5部件,大脑作正中矢状切面,显示脑的外形结构、大脑外侧面主要结构、大脑半球内侧面和底面的主要结构、脑干各面的主要结构、小脑的主要结构、右半侧脑的动脉分布。 尺寸:自然大,20×20×15cm 材质:PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法;提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术;提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数,进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法,并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证,并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍,准确率提高到95%;定位技术误差一般不超过30cm;总体运算时间在秒级,Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白,对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项,发表SCI、EI论文14篇,并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学 2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法;提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术;提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数,进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法,并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证,并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍,准确率提高到95%;定位技术误差一般不超过30cm;总体运算时间在秒级,Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白,对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。
华北电力大学(保定) 2021-02-01
基于工作流技术的电力生产指挥自动化系统
 系统利用电力企业局域网络,按电网运行的情况合理进行检修停电安排,快速、准确、安全地执行各种计划的起草、批转、签字、审核、批阅、封存、统计、查询等工作。系统可应用于各级供电公司,既能大大提高系统的管理水平,又能在很大程度上提高工作效率,为电力安全生产提供有力的保障。可使电力企业获得良好的经济效益和社会效益。     系统可实现电力检修生产管理中的停电申请与批答;调度日检修计划、月检修计划、春、秋检检修计划的编排;电网稳定通知单、运行方式的审批;大型停电的组织措施计划的编排;新设备投运计划的编排;生产技术文件查询;生产信息发布等任务。
北京交通大学 2021-04-13
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