针对载流子表界面复合的问题，研究团队通过在氮化钽薄膜上下界面分别修饰p型的Mg:GaN层和n型的In:GaN层，一方面钝化氮化钽薄膜的界面缺陷，另一方面通过构建异质结提升界面载流子分离能力，实现了最高为3.46%的ABPE，这是目前基于氮化钽光阳极的最高效率值（图）。将体相和界面载流子管理策略相结合，有望进一步提升氮化钽光阳极的效率。

罗正钱教授团队采用少模Pr/Yb共掺双包层ZBLAN光纤作为可见光增益介质，构建基于非线性偏转旋转（NPR）技术的锁模激光腔，利用腔内空间滤波效应和NPR可饱和吸收效应补偿阶跃折射率光纤中超大的模间色散，从而平衡了各横模之间的走离效应，首次实现了可见光波段的时空锁模光纤激光。

京津冀三地教育融合发展逐步深化，教育改革创新与产业转型、区域发展结合更加紧密，产教融合共同体建设需要政府、高校、企业等各方努力和协作，通过搭建育人平台、构建运行机制、创新人才培养模式，推动共同体建设深入发展。天津市大学软件学院基于十余年的先行先试，围绕“更好发挥企业重要主体作用，促进人才培养供给侧和产业需求侧结构要素全方位融合”等产教融合深化课题，不断探索创新，凝练成果，创建了“需求传导明确、校企高效协同、资源集约共享”的校企协同育人组织形态，即产教融合共同体的实现路径，为高校开展产教融合、校企合作提供可复制可借鉴的经验。

技术成熟度：技术突破 1.原理：结合磁浮列车极端运行工况，充分考虑运行环境的强磁场，深入研究机-电-磁耦合机制，精确调节磁体悬浮姿态，以实现超导磁体在液氮温区（-196℃）自稳定悬浮。 2.创新点： （1）研发国产化低功耗悬浮控制模块，能耗较进口设备降低35%； （2）突破-196℃环境下多系统协同控制技术，填补国内工程化应用空白。 3.应用场景： （1）高速磁浮列车静悬试验台 （2）精密仪器运输平台 （3）航空航天地面测试装备 4.应用案例：前期开发的自由度控制系统，已被合作团队应用且效果较好。

内蒙古电子信息职业技术学院是国办全日制高等院校，国家示范性软件职业技术学院，自治区示范性高等职业院校。设有软件工程系、电子工程系、计算机科学系、信息管理系、数字ý体与艺术系、财经管理系等6个系，开设专业40个,自治区品牌专业10个，重点建设专业2个。 办学实力：学院有专职教师493人，其中硕士研究生以上学历教师132人占26.7%，副教授以上教师166人占33.67%;具有理论教学能力和实践教学指导能力的“双师型”教师占86%，自治区级以上教学名师和教坛新秀13人;自治区级优秀教学团队10个，自治区级精品课程21门，自治区教学成果4项。学院是国家教育部、信息产业部批准的“计算机应用与软件技术专业技能型紧缺人才培养工程”的院校，内蒙古信息化技术技能人才培训基地，电子科技大学网络教育内蒙古学习中心。学院牵头组建了内蒙古电子信息职教集团，与自治区团委共同创建了内蒙古青年创业孵化基地，与区内多家本科院校建立专升本生源基地。学院设有国家级职业技能鉴定所，承担50余种职业技能培训与鉴定。 办学条件：学院总资产9.5亿元，占地面积1066亩，建筑面积31.8万平方米;教学实验实训场所10.4万平方米;学生公寓餐饮等生活场所13.5万平方米;文体活动场所7.9万平方米。教学仪器设备总值1.48亿元;藏书77.29万册，电子藏书4915GB;数字化教学资源覆盖了全部多ý体教室;无线网络覆盖全院，实现了智慧校园。 办学成果：全国职业教育先进单λ，全国职业指导工作先进单λ，中国教育创新示范单λ，全国高等职业院校就业工作“星级示范校”。内蒙古信息化建设和信息产业发展先进集体，连续八年被评为全区高校学生工作、就业指导、资助管理、维护高校稳定综合治理等四项工作“先进达标学校”。全区Ψ一连续九年被首府百姓评为最满意的教育品牌单λ。 办学质量：学院连续多年实现招生计划完成率100%，新生报到率95%以上;毕业率稳定在99%以上，毕业生一次性就业率连续九年96%以上，专业对口就业率60%以上。2014年学院荣获全国职业院校就业竞争力示范校。学院以培养电子技术、信息技术的中高端技能型人才为主，为国家培养大量云计算、物联网、动漫制作、大数据等技能型紧缺人才，毕业生广泛就业在华为、海尔、联想、中软、中国移动、CISCO等世界500强企业和自治区行政事业单λ。服务自治区电子产业、信息产业，促进信息化社会发展。

电子材料及器件噪声-可靠性测试平台，该系统是国内外首套电子器件噪声-可靠性分析系统。采用了基于虚拟仪器的微弱噪声测试、基于噪声的可靠性诊断方法、电子器件噪声的子波分析方法等关键技术，将子波分析用于噪声-可靠性表征，可对各种电子器件和集成电路模块进行噪声测试与分析、内部潜在缺陷诊断和无损预筛选。系统可以测量电子器件的各种噪声参数，同时对噪声进行频谱分析、子波分析、集总参数分析。具有实时检测、采集、和分析, 高精度、高可靠性、智能化、小体积的优点，良好的通用性和可升级性使其同时适用于科研和生产单位。

简介：本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料，属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下：铋酸钡纳米棒65-80%、聚苯乙烯10-15%、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5%、三甲氧基硅烷5-10%、聚乙烯蜡4-10%。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料，具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。

本项目采用FPGA加ARM的硬件处理平台，实现电网一次侧电压电流数据采集和多通道接收处理，并依据IEC618509-1/2标准实现将采样值通过光纤传输系统发送，通过上位机接收，可用解析软件对报文进行解析，对一次波形进行还原。