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一种钼酸锂纳米棒电子封装材料
简介:本发明公开了一种钼酸锂纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明钼酸锂纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:钼酸锂纳米棒65‑80%、聚乙烯醇8‑12%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、异丙醇铝4‑8%、微晶石蜡4‑8%、水3‑7%,钼酸锂纳米棒的直径为50‑100nm、长度为1‑3μm。本发明提供的钼酸锂纳米棒电子封装材料具有绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、导热系数高、热膨胀系数小、易加工、制备过程简单及制备温度低的特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。  
安徽工业大学 2021-04-11
高性能电子封装材料用联苯型环氧树脂
1、 成果简介:(500字以内)环氧模塑料作为微电子封装材料,以其低廉的成本、高性能化和可靠性等特点,已成为最重要的封装材料。目前,95 %以上的集成电路都用环氧模塑料进行封装。近年来,环氧树脂封装模塑料紧随超高集成电路的快速发展,新品种虽然不断地涌现,也面临着前所未有的挑战。耐高温、低吸水率一直是高性能环氧模塑料的发展方向。我们开发的联苯型环氧树脂是高耐热性、低吸潮性、低应力环氧树脂的一个典型代表。在环氧树脂骨架中引入联苯基团,一方面可以提高其耐热性;另一方面可以减小自由体
吉林大学 2021-04-14
一种铋酸钡纳米棒电子封装材料
简介:本发明公开了一种铋酸钡纳米棒电子封装材料,属于电子封装材料技术领域。本发明铋酸钡纳米棒电子封装材料的质量百分比组成如下:铋酸钡纳米棒65-80%、聚苯乙烯10-15%、辛基酚聚氧乙烯醚0.05-0.5%、三甲氧基硅烷5-10%、聚乙烯蜡4-10%。本发明提供的电子封装材料使用铋酸钡纳米棒、聚苯乙烯、辛基酚聚氧乙烯醚、三甲氧基硅烷和聚乙烯蜡作为原料,具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学 2021-04-11
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
一种基于SOI封装的六轴微惯性器件及其加工方法
本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件,包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙;六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上;金属电极为一个以上,均匀设置在玻璃衬底一侧,金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接,SOI盖帽设在玻璃衬底正上方,SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间,形成空腔结构;每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔,梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通;梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点,在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测,应用范围广,有着良好的市场前景。
东南大学 2021-04-11
一种用于片式元器件编带封装的双路同步热压装置
本发明属于电子元器件的封装设备技术领域,并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置,包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等,其中热压机构被设计为双路结构,并 用于实现料带的封合,保证压力的一致性,进而完成料带的良好热封; 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动;调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距,进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明,能实现单侧压头的温度均匀分布,两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封,同时具备 结构紧凑,便
华中科技大学 2021-01-12
一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料
(专利号:ZL 201510560801.8) 简介:本发明公开了一种铋酸锂纳米棒复合电子封装材料,属于封装材料技术领域。本发明铋酸锂纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下:铋酸锂纳米棒65‑80%、聚丙乙烯10‑15%、脂肪醇聚氧乙烯醚羧酸钠0.05‑0.5%、三羟甲基丙烷5‑10%、硅树脂甲基支链硅油4‑10%。本发明提供的复合电子封装材料使用铋酸锂纳米棒作为主要原料,具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学 2021-04-11
一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料
简介:本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料,属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下:锡酸锶纳米棒65-80%、聚乙二醇10-15%、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5%、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10%、乳化甲基硅油4-10%,锡酸锶纳米棒的直径为80 nm、长度为1-2 μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点,在电子封装材料领域具有良好的应用前景。
安徽工业大学 2021-04-11
一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法
本发明公开了一种柔性电子制备、转移与封装系统及方法,该系统包括基板转移模块、柔性电子制备模块、激光剥离模块以及封装与装卸模块,基板转移模块用于拾取基板并放置到柔性电子制备模块上,然后将制备好的柔性电子连同基板一起转移到激光剥离模块,最后从激光剥离模块上取回被剥离的基板;柔性电子制备模块用于在基板上完成柔性电子的制备;激光剥离模块用于将制备好的柔性电子与基板分离;封装装卸模块用于将需封装的产品放在封装模块上,并将从基板上剥离的柔性电子封装在产品上,最后将封装好的产品取下。所述方法利用所述系统进行柔性电子的制备、转移与封装。本发明大大缩小了系统的体积,减少了中间环节,节约了空间,提高了生产效率。
华中科技大学 2021-04-14
一种 LED 封装玻璃及其封装结构
本实用新型公开了一种 LED 封装玻璃及其封装结构。封装玻璃由玻璃基片及分别附着于玻璃基片上、下表面的凸点结构层构成,凸点结构层由分布在低温玻璃层表面的凸起构成。封装结构为:LED 芯片贴装在支架的凹槽内,LED 芯片电极与支架底部焊盘间通过引线键合实现电互连,LED 封装玻璃覆盖在 LED 芯片上方。将该封装玻璃应用于 LED 封装,封装玻璃与 LED 芯片间既可填充硅胶(用于白光 LED封装),也可不填充硅胶(实现紫外 LED 封装)。由于封装玻璃上表面的凸点结构减小了玻璃与空气界面的全反射,下
华中科技大学 2021-04-14
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