在民用和工业等用电场合，需投入电力电子等 非线性负载，在非线性负载投入后将对电网产生污染，而有源 电力滤波器则是用于这些用电场合以改善电能质量的控制系统 装置。 其主要功能包括：自动检测由非线性负载产生电流中的谐 波电流，并通过自身的调节与控制发出与谐波电流流向相反的 电流，补偿负载电流中的谐波电流分量，改善网侧电流的质量； 在非线性负载突变时，可以做出快速的响应，及时跟踪电流的 变化。项

本发明公开了一种含新能源电力系统调峰需求的评估方法，包 括：统计发生概率大于 0.95 的正净负荷预测误差边界值，发生概率大 于 0.95 的负净负荷预测误差边界值；生成位于正净负荷预测误差边界 和负净负荷预测误差边界之间的净负荷预测误差代表场景；根据所得 的净负荷预测误差代表场景，对次日可能发生的净负荷场景进行预测； 计算预测得到的净负荷场景中的最大峰谷差，作为所求的电力系统次 日的调峰需求。本发明可以根据日前预测的新能源出力的随机特征而 制定出更加准确的调峰需求容量，从而使得电力系统在保证安全运

本发明提供了一种基于曲面拟合的电力系统节点动态频率响应特性分析方法，本发明综合考虑了电 力系统初始运行方式及故障形式、故障位置对观测节点动态频率特性的改变和影响，并将节点动态频率 响应特性拟合为多变量的空间曲面形式，采用离线仿真方式提取有限的节点动态频率响应特性仿真值拟 合状态曲面；同时采用节点动态频率响应特性仿真值对曲面进行校核和修正，使得节点动态频率响应特 性在任意状态下均为曲面上一个对应的矢量点。本发明的计算快速性、简便性及准确性均有了本质性提 高，适用于频率响应快过程的电力系统节点动态频率响应特性分析。 

本发明公开了一种面向“双高”电力系统的最低惯量需求分析方法，由高比例可再生能源发电和高比例电力电子设备介入所导致的“双高”特性降低了传统电力系统的惯量水平以及调频能力，为实现惯量需求分析与受端电网频率稳定指标要求精准匹配，本发明公开了一种计入系统中可再生能源发电部分虚拟惯量控制和下垂控制的频率响应模型，并设计了反向调节“双高”电力系统中可再生能源发电部分的虚拟惯量控制参数，提出了系统中可再生能源发电部分未来建设规划方法。本发明内容能够有效确定“双高”电力系统在满足惯量安全条件下的最低惯量需求，为调控受端电网的惯量水平提供决策支持，从而提高新型电力系统运行的安全性、可靠性。

该设备研制成功，解决了广大学校直流电机实验元器件难以购置、难以管理、难以开出实验课的烦恼。该设备把交直流电机实验有机地融于一体，节省实验室，节省管理人员，节省资金。本设备安全可靠，实验操作方便，是较完善的电力拖动实验室设备。该设备是广大学校一步到位、上规模、上档次的理想选择。   结构与功能： 一、学生台桌：配有学生桌12台，尺寸：160×68×80cm，一台2座，桌左右各有一个元件储存柜，中间抽屉放工具。 二、示教控制台：能分别控制12台学生桌的电源，示教屏具有演示讲解功能。其它功能与学生实验桌基本一样。 三、学生实验桌中部装有通用实验底板，实验时把元件盒插入实验板，即可连线实验。 四、通用电力拖动实验台: 1、电源输入指示  2、UFU、VFU、WFU三相电源输入熔断器  3、电源总开关:具有漏电，过载、短路保护功能 4、电压换相开关:用来观察三相线电压，450V电压表指示。 5、电流表2A3只，分别指示U、V、W相电流输出值。  6、急停按钮:按到底切断实验台电源 7、三相四线输出接线座 8、三相电源插座  9、220v市电插座，供外接仪器使用 l0、电源开关:控制"交直流调压电源"  11、 FU：交直流调压电源保险座 12、0～240V交流输出 0～240V交流输出接线座 13、0～220V直流输出 0～220V直流输出接线座 14、电压表250V:指示调压电源的输出电压值 15、Ra、Rf调节旋钮　  16、Ra、Rf接线座  17、直流电机Ia、If指示表 实验项目  电力拖动带交直流电机实验室设备 1、闸刀开关正转控制线路 2·接触器点动正转控制线路 3·具有自锁的正转控制线路 4·具有过找保护的正转控制线路 5·倒顺开关控制正反转控制线路 6·接触器联锁的正反转控制线路 7·按钮联锁的正反转控制线路 8·按钮接触器复合联锁控制线路 9·自动往返行程控制线路 10·接触器控制串联电阻降压起动线略 11·时间继电器控制串联电阻降压控制线路 12·手动Y/△降压起动 13·接触器控制Y/△降压起动 14·时间继电器控制Y/△降压起动 15·QX3-13型Y/△自动起动控制线路 16·半波整流能耗制动控制线路 17·全波整流能耗制动控制线路 18·C620车床电气控制线路 19·手动降压起动 20·单相运行反接制动控制线路 21·电动葫芦电气控制线路 22·C6163车床电气控制线路 23·控制电路联锁控制线路 24·主电路联锁控制线路 25·直流电机启动 26·直流电机的调速 27·直流电机的反转 28、直流电机制动实验

研究者通过X射线光电子能谱证明界面修饰层对电子传输层与钙钛矿层缺陷的双重钝化作用；通过光、电信号的瞬态响应，证明苯丙氨酸层可提升界面处的载流子电荷转移；通过本课题组创建的宽场荧光成像显微镜，实现了抑制碘缺陷移动的实时原位观测。

主要研究铁路电子商务的安全保障体系和针对互联网应采取的防范手段；研究系统内部的安全问题，及实施铁路电子商务所需的认证技术和电子支付技术，解决与外部行业和国家单位的认证系统互联的和使用各种银行卡进行安全电子支付的问题；研究铁路网上订票、售票和查询服务，确保铁路客票网上安全交易。课题从认证技术、内网安全交易技术、安全通讯技术、加密技术、安全存储技术、安全部件网络管理技术和安全审计、实施技术、安全代理系统、流量智能控制和管理系统、访问控制系统和安全接入系统等方向深入研究电子商务及其安全支付在铁路客票上的应用。 提出了能够确保客票网上进行安全交易的系统架构和系统解决方案；形成了网上售票整体安全保障体系：可用于推广的基于PKI的认证系统；支持3级CA、RA，连接于内外核心系统，可完成所有网点和用户的入网，支持全铁道部范围内的基于客票、货票和网上业务系统的安全认证；安全系统软件、通讯及安全代理系统软件和安全支撑平台、监控分析系统、访问控制系统等；据铁路运营的实际情况，开发出铁路网上客票安全交易系统、安全支付系统和流量智能控制和管理系统、访问控制系统及安全接入系统。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。

本发明公开了一种用于高可靠性WLCSP器件焊接的无铅钎料，属于金属材料类及冶金领域钎焊材料。该种无铅钎料中的纳米Al颗粒的含量为0.01~1%，纳米CeO2的含量为0.01~1%，Ag的含量为0.5~4.5%，Cu的含量为0.2~1.5%，余量为Sn。使用市售的Sn锭、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按设计所需成分配比，预先熔化，然后加入纳米颗粒，采用高能超声搅拌的制造工艺冶炼无铅钎料，为防止元素的烧损在惰性气体保护气氛中冶炼、浇铸成棒材，然后通过挤压、拉拔即得到所需要的钎料丝材，也可将新钎料制备成焊膏使用。本无铅钎料对应无铅焊点的抗疲劳特性和抗跌落特性得到显著提高。