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一种具有防冻保护装置的液氮美容笔
本实用新型提供了一种具有防冻保护装置的液氮美容笔，包括：液氮美容笔和液氮美容笔防冻保护套，所述液氮美容笔和液氮美容笔防冻保护套相互独立；液氮美容笔在使用时处于液氮美容笔防冻保护套内腔中。本实用新型能够减少液氮在使用中的挥发、浪费，使用时可根据患处大小，选用不同规格的冷冻头从液氮罐中及时提取用于治疗，避免了对医生皮肤的伤害，操作起来更加方便、快捷。
青岛农业大学
2021-04-13
用热缩材料对预应力锚具保护的方法
本项目涉及一种对预应力体系中锚具进行保护的方法，解决其技术问题所采用的技术方案是：预应力筋张拉完成后，将预制的形状、尺寸与锚具相符的热缩材料套（缠）于锚具上，进行加热，则该种由热缩材料制成的管（帽、带）受热收缩，其内层是专门设计的热熔胶内壁；加热时内壁熔融，并随外壁收缩填充到锚具缝隙上，冷却后从而能够紧紧包裹该锚具，并确保密封良好。 技术特点: 本项目所提供的封锚技术基于发明专利“用热缩材料对预应力锚具保护的方法（专利号：ZL 2007 1 0304303.2）”，使热缩材料管（帽、带）受热收缩紧紧包裹在锚具及外露的钢绞线上。由于该技术使用的热缩材料为非水溶性材料，具有良好的绝缘效果，且抗机械强度高，耐老化，并能很好地与锚具、锚垫板粘结。因此，能够有效地克服现有使用水泥砂浆对锚具进行保护所产生的不利影响，很好地保护锚具免受水汽腐蚀和侵害，起到密封防潮、防水、防蚀和绝缘保护的目的。 应用范围： 本项目所开发的对预应力体系中锚具进行保护的方法，主要应用于后张法预应力构件施工中。
北京交通大学
2021-04-13
一种限流式UPFC直流侧过压保护电路
本实用新型公开一种限流式UPFC直流侧过压保护电路，其并联在限流式UPFC的直流电容两端，包括限流电阻、二极管、击穿二极管、滤波电阻、滤波电容、IGBT、IGBT驱动电路和放电电阻，过压保护电路由击穿二极管触发动作，IGBT作为放电支路的开关，击穿二极管与限流电阻串联，滤波电阻和滤波电容构成防止IGBT误触发的低通滤波支路，击穿二极管的阴极与控制器信号通过一个或门连接到IGBT驱动电路，放电电阻与IGBT相连。上述限流式UPFC直流侧过压保护电路，当短路故障发生后，所述过压保护电路在限流器的配合下能极大的减少直流电容承受的冲击电压幅值和上升速度，并且保护自动动作，没有时延。
浙江大学
2021-04-13
一种 Windows 平台下的通用数字版权保护方法
本发明公开了一种 Windows 平台下的通用数字版权保护方法，本发明通过硬件指纹验证能实现本地 自动解密授权使用受保护文件，当硬件验证不通过时还提供在线认证方式，满足了用户部分自主性，如 多台设备共享、硬件变更等。在文件 I/O 拦截的处理上，采用内核层文件过滤驱动和应用层 IAT?API?Hook 技术配合使用，内核层对文件读写内容进行拦截可以忽略应用层任何的文件读写细节，而且更准确和高 效；而 IAT?API?HOOK 与特定的应用程序紧密联系，相对于通过应用层键鼠钩子实现监控而言，将更 具有针对性地在应用层对复制粘贴、另存为等文件操作进行监控和限制。此外通过文件过滤驱动与明文 内存区权限设定的方法对内存中明文进行了较好的保护，极大地降低了内存明文被泄露的可能。
武汉大学
2021-04-13
一种列联表数据发布的隐私保护方法
华中科技大学
2021-04-14
一种具有神经保护活性的药物及其制剂
本成果提供一种具有神经保护活性的药物及其制剂。
西南交通大学
2016-06-24
云计算环境用户数据隐私保护关键技术
本课题主要围绕项目中云数据隐私保护的目标，研究在云提供商不完全可信的条件下，如何既能保证用户数据的隐私性，又能利用云平台的计算和存储能力。课题综合采用数据隐私感知、访问控制、数据加密等技术手段，以期达到最大限度保护用户数据隐私的目的。形成具有隐私感知的云数据存取方案、针对密文云数据的基于属性加密和代理重加密的动态数据访问共享技术、基于谓词加密的多条件融合密文云数据查询技术和基于安全多方计算的数据分析与计算技术。本课题成功搭建了4个原型子系统、1个基于医疗管理的云数据隐私保护原型系统，在长城网际、3
哈尔滨工业大学
2021-04-14
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10