该研究在微纳尺度下对单晶智能材料（二氧化钒）进行相畴结构的工程化有序调控，是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。

蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料，在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率，可以满足多模式复合制导（如电视等）的要求；同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高，强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高，在民用领域得到广泛应用，作为集成电路的衬底材料，替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路；是发光二极管（LED）衬底的首选材料，采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管，其光源无灯丝、工作电压低，使用寿命可达5万到10万小时，

在超大尺寸单晶金属箔库的制备领域再次取得重要进展，研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。 发现氧化物衬底释放的游离氧可以把石墨烯单晶畴的生长速率提高150倍（Nature Nanotech

远苏精电 PCB自动换刀雕刻机 快速PCB制板机 钻铣雕一体 技术参数 加工范围：单面板/双面板 工作台面积：330×330mm 最小加工线径：3mil 最小加工线距：5mil 分辨率：03mil 换刀系统：气动换刀 工作速度：4m/min（Max） 主轴转速：0～80000r/min，无级可调速，软件自动优化转速 主轴功率：500W 主轴电机：变频电机 定位系统：500万像素工业级摄像头 刀具库：φ55mm 钢刀具库 刀具安装座：全铝防锈 刀具类型：自带定位环 刀具检测分辨率：1mm 刀具间距：5mm 换刀时间：3-20s 刀具检测时间：15s 直线导轨：进口直线导轨 传动方式：进口滚珠丝杆 钻孔孔径：1～3.175MM 钻孔深度：02-6.0mm 钻孔速度：150(孔/min) 控制方式：电脑控制，标配5寸工业一体电脑 通信方式：RS-232/USB 操作系统：Windons 98/2000/XP/Vista/7/10 体积：750mm（L）×665mm（W）×1250mm（H） 重量：180kg 消耗功率：800 W 电源：220V/50HZ 防尘静音安全罩：金属安全罩、气动撑柱、透明可视窗、外置急停按钮及所有操作按键 支持软件：支持Protel99se、Altium Designer、CAD等常用EDA软件（支持所有pcb及gerber格式的文件） 产品亮点 超强兼容：能兼容市面上大多数设计线路图软件，如：Protel 99SE、DXP、Altium Designer系列、Cam 350、Eagle、pads、proteus、Auto CAD等线路板厂通用Geber格式软件。 定位技术：视觉识别自动原点定位，消除目测误差，定位更准确。 操作自由：对电路板的制作过程，没有苛刻的顺序限制，适应不同用户操作习惯；操作简单，即使不懂PCB工艺亦可轻松制作出电路板。 自动回位：可以从任意位置自动回到设定的零点。 断点续雕：在雕刻中突然断电，自动重新获取系统加工原点，从任意百分比开始雕刻，或雕刻到某一百分比结束。 虚拟加工：根据设定的参数，虚拟显示实际加工过程。 实时显示加工路径：加工前首先显示所有加工路径，在加工过程中实时显示当前位置。 任意区域选择雕刻：选择任意区域，进行雕刻。 组合雕刻/自动选择刀具：选择两把雕刻刀，自动分配雕刻区域。在不影响雕刻精度的情况下选择一把大雕刻刀，快速铣掉大块的空白区域。 万能钻孔：使用固定铣刀挖出任意孔，减少了换钻头的次数。 外形铣割：板子雕刻完成后进行外形铣割。 智能主轴转速优化功能：根据刀具自动优化主轴转速，从而提高雕刻精度。 视觉校正原点：配备高分辨率激光检测系统，保证每次开机复位后，机器的原点在同一位置，精确到01mm，保证取刀的可靠性。 自动换刀系统：设备采用气动换刀高速主轴，高分辨率激光检测道具系统，一体式多种刀具库。加工PCB只要点击鼠标即可轻易完成，“傻瓜式”制作PCB。 自动刀具选择：软件自动选择最适合的刀具参数，免除人工选择刀具参数的繁琐。 自带照明：工作主轴自带照明功能，更方便观察整个雕刻线路板过程。 超限保护：安全可靠，XYZ双重限位保护，超限自停。 工业吸尘系统：采用工业大功率低噪声吸尘器，迅速除去加工中产生的粉尘，消除对周边环境的影响，对使用者身体的伤害。同时在加工中保持覆铜板表面的清洁，利于用户观察加工的情况，采取必要的措施。

项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300

本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。

本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。

本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。 

通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。