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一种适用于血氧饱和度检测的电压比较器
本发明公开了一种适用于血氧饱和度检测的电压比较器，包括 依次连接的预放大级模块 A、正反馈判断模块 B 和输出缓冲级模块 C； 所述预放大级模块 A 用于将两个模拟输入信号进行预放大处理；所述 正反馈判断模块B用于对经过预放大级模块A处理的信号进行比较判 断后输出信号差；所述输出缓冲级模块 C 用于对所述信号差进行转换， 并输出一个二进制信号。本发明采用全模拟电路，将采集并初步处理 后的血氧信号与参考值比较，以实现自动增益控制，继而检测血氧饱 和度。本发明在具有正确输出逻辑的前提下，还具有精度高、功
华中科技大学
2021-04-14
开关变换器双缘恒定关断时间调制电压型控制方法及其装置
本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310005181.2），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘恒定关断时间调制电压型控制方法及其装置，根据输出电压与电压基准值的关系，采用恒定关断、导通、恒定关断组成的控制时序，或导通、恒定关断、导通组成的控制时序，控制开关变换器开关管的关断与导通。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，稳压精度高。
西南交通大学
2016-06-27
一种 IQ 光调制器偏置电压的控制系统及方法
本发明公开了一种 IQ 光调制器偏置电压控制系统及方法，该控 制系统包括顺次连接的激光光源、偏振控制器、IQ 光调制器、光耦合 器、光电探测器、数据处理模块，IQ 光调制器的输出经光耦合器分光 后连接到光电探测器，其输出与数据处理模块的输入相连，数据处理 模块的三个输出分别送至 IQ 光调制器的三个子调制器的直流偏置电 压输入端口。该控制方法为首先通过测量输出光功率的最大值及相邻 最小值，优化子相位调制器的偏压，然后
华中科技大学
2021-04-14
基于零共模电压和零序环流抑制的两并联变流器调制方法
本发明公开了一种基于零共模电压和零序环流抑制的两并联变流器调制方法，该方法首先分析了所有64个开关组合对零序环流和共模电压的影响，同时考虑共模电压消除与零序环流抑制，筛选出18个最优开关组合；其次，为实现低频零序环流消除，设计6种四分之一周期对称的开关序列模板，将每个开关周期的零序环流平均值限制为0；接着，基于序列模板，从零序环流峰值最小化、开关损耗优化的角度出发，将矢量平面分为6个大扇区，每个大扇区包含6个子扇区，得到了每个区域的最优开关序列；最后，为最优开关时序计算调制波、设计开关动作模式，得到开关的驱动信号。本发明解决现有零共模电压调制算法存在低频零序环流以及零序环流峰值较大的问题。
南京工程学院
2021-01-12
额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆电线和软线
本电缆采用GB/T5023-2008,JB/T8734-2016标准生产，该电缆适用于额定电压450/750V及以下固定布线用动力装置。电线敷设温度不低于0度，长期允许工作温度不超过70度，电缆外径D25mm及以下电缆允许弯曲半径不小于4D，25mm及以上电缆允许弯曲半径应不小于6D，D为电缆直径。
山东昆嵛电缆有限公司
2021-06-25
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展，研制出国际首款实时超光谱成像芯片，相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学
2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头，联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价，一致认为：该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题，成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片，并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案，多项关键技术属首创；在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破，在大规模相控阵天线集成度方面国际领先；成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景，在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破，已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前，用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz，在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破，将带来无线通信行业的一次变革，解决相控阵系统“不是不想用，只是用不起”的问题，把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺，CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势，但其输出功率相对较低，器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新，克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题，所研制的芯片噪声系数为3dB，发射通道效率达到15%，无需校准便可实现精确幅相调控；基于大规模相控阵的波束成形能力，克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学
2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术，包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度（PVT）偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术；面向工业控制微控制器关键技术，包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学
2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域，公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学
2021-04-10
基于超陡摆幅器件的极低功耗物联网芯片
随着集成电路的发展，功耗问题越来越成为制约的瓶颈问题。特别是在即将到来的万物互联智能时代，物联网、生物医疗、可穿戴设备和人工智能等新兴领域更加追求极低功耗，尤其是极低静态功耗。面向未来庞大的物联网节点应用的需求，极低功耗器件及其电路芯片受到越来越多的关注。受玻尔兹曼限制，传统晶体管的亚阈摆幅存在理论极限，这一限制是阻碍器件功耗降低的关键因素，基于传统CMOS晶体管的集成电路已经无法满足物联网节点等对极低功耗的需求。 本项目基于标准CMOS工艺研制新型超陡摆幅隧穿器件，并进一步研发具有极低功耗的物联网节点芯片。新型超陡摆幅隧穿器件采用有别于传统晶体管的量子带带隧穿机制，可突破亚阈摆幅极限，同时获得比传统晶体管低2个量级以上的关态电流性能，具备极其优越的低静态功耗性能。通过超陡亚阈摆幅器件及电路技术的研究和突破，可促进我国物联网芯片产业的发展，显著提高物联网节点的工作时间，具有重要的应用价值。
北京大学
2021-02-01