仪器概述  本仪器是根据中华人民共和国行业标准SH/T0689《轻质烃及发动机燃料和其他油品的总硫含量测定法（紫外荧光法)》规定的要求设计制造的，采用紫外荧光法原理测定总硫含量，适用于包含国Ⅴ标准在内的汽油、柴油硫含量的测试。可广泛应用于测定粗苯、煤焦油、汽油、柴油、润滑油、原油馏分油液化石油气、煤气、天然气、塑料、石油化工产品、煤炭等中总硫含量本仪器也适用于ASTM D5453标准的要求，是目前国内外先进的硫分析仪器。 技术参数 1、工作电源：AC220V±10% 50HZ 整机功耗：不大于3KW 2、测量范围：1 mg/L～10000mg/L～百分含量(液体)（0.1ppm～8000ppm)3、可测样品状态：固体、液体、气体（选配相应进样器,标配为液体进样） 4、推荐进样量：固体：≧5mg 液体：1到100ul  气体：2到5ml 5、控温范围及精度：室温～1100℃，±1℃  6、重复性误差(液体)：0.2 mg/L≤X≤1.0mg/L， ≤±0.2mg/L    1.0mg/L＜X≤10mg/L， Cv≤±10%   10mg/L＜X Cv≤±5% 性能特点 1、仪器采用Windows操作系统，USB通信技术，人机直接对话，实现了偏压全时监测，便于用户操作 2、自主研发的操作软件和测试软件，自动完成数据采集、处理、贮存和打印3、测试样品少，每次仅需8μl，测试时间快，每一试样上机测试时间约为（1～2）分钟 4、微电流检测采用国内首创硫检测器，进口的荧光激发源﹑膜干燥器﹑滤光片﹑金属封装式光电倍增管，测试的灵敏度高、快速、稳定、精度高、一致性好 5、仪器采用风冷散热，风扇自动开关，关机降温不需要有人值守 6、仪器采用独立的温度控制系统。采用宇电的全自动温度控制器，故障率接近零 7、仪器实现了样品峰行自动放大和缩小技术 8、标样校正可采取单点校正或多点校正，方便、快速、准确 网址链接 http://www.csscyq.com/proshow.asp?id=818

产品详细介绍主要特点：零点、满度均可自动调整，无需精确调整，直读吸光度或百分比含量，操作简单、实用、稳定性好，更换不同的冷光源或滤光片，可扩大测量元素的种类和含量范围；采用先进的光电转换技术，适用于各种金属材料化验。仪器共设四个通道，每个通道可储存多条工作曲线，每条工作曲线可检测一种元素含量。采用品牌电脑控制，台式喷墨打印机打印检测结果，包括材料批次、采购批次、炉号、日期、浓度百分含量等；金牛仪器服务承诺：   1、所售化验仪器三包一年，终身服务，产品售后服务热线电话24小时开通，定期回访客户；    2、免费为客户安装、调试、代办托运化验仪器 ；   3、免费培训化验人员，现场培训或来公司培训均可；   4、提供材料分析工艺，代办化验仪器配套理化检测设备和配件；协助筹建化验室    5、常年提供化验仪器所需各种配件(特制硅钼粉、纯锡粒、各种标准物质、玻璃器皿、分析天平、添加剂等仪器所需的各种配件)。   6、视频服务。 

产品详细介绍e1 DWJ-10L型 低温冷阱产品展示低温冷阱产品介绍：　低温冷阱中可放置玻璃容器，玻璃容器中放置所需要试验的物料，在低温冷却下进行生产、化学反应试验。技术参数：l冷冻液放置量：15kgl冷冻液最低温度：-40℃l整机净重：92kgl外形尺寸：530*560*980(mm)l适用电源：AC220V 50Hze2 DWJ-3L型 低温冷阱产品展示低温冷阱产品介绍：　低温冷阱中可放置玻璃容器，玻璃容器中放置所需要试验的物料，在低温冷却下进行生产、化学反应试验。技术参数：l冷冻液放置量：4.5kgl冷冻液最低温度：-40℃l整机净重：52kgl外形尺寸：782*418*340(mm)l适用电源：AC220V 50Hz

产品详细介绍深圳市费希尔燃气阀门有限公司（陈小姐13537704290）是fisher工业阀门深圳办事处，是FISHER产品国内专业销售公司FISHER CS400减压阀的技术资料如下：FISHER CS400减压阀CS800调压器、CS404调压阀型号来完全取替代原S300、S301、 S302等型号天然气减压阀；FISHER CS400减压阀性能比原S300减压阀更加稳定、调压精度更高、使用寿命更长、另CS404附加超压切断功能, 反应速度快，特别适合各种直燃设备；CS400调压阀具体参数如下：● 灵敏的关闭特性 ● 可选内置式安全放散装备 ● 可选一体式监控式调压装置 ● 压力设定简单 ● 调压精度高 ● 进口压力范围：最大8.6bar ● 出口压力范围：27-520mbar多种弹簧陈供选择● 最大流量：400Nm3/h ● 精度：±2.5%  ● 特别适合于直燃设备 ● 可用于天然气、人工煤气、液化石油气、空气等多种气体 ● 为经济型减压控制设计，适用于居民区、商业、工业等多种场合 ● 调压精确、关闭灵敏、压力设定简单 ● 一体化的过压、失压切断和安全放散装置确保用户安全 ● 可在线维修，可安装于任何位置 ● 连接方式：2" 螺纹，● 材料：铸铁/WCB 钢制阀体 ● 温度：-29°～66℃如果您现在用的是FISHER减压阀是S301天然气减压阀，S301H液化气调压器，S302煤气减压阀的话，在您更换时可以选用新的CS400系列减压阀，原S300系列减压阀我公司备有库存，也可以进行选择。我司大量FISHER CS400减压阀，FISHER CS403调压器，FISHER CS404超压切断调压器；※ 深圳市贝斯特燃气设备有限公司   联系人：陈小姐※ 办公地址：深圳市宝安区龙华镇布龙路赤岭头301栋※ 电话：0755-29049559 手机13537704290※ 传真：0755-28127295     服务QQ：664064711※ 网址：http://www.ccbestgas.com  ※ 网址：http://www.fishergas.com  ※ 网址：http://www.cigas.com  

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).