产品详细介绍：Z轴旋转微动平台是由压电陶瓷致动器驱动柔性铰链机构可实现Z轴旋转输出，输出转角为毫弧度级别，输出转角分辨率为微弧度级别。并可集成电阻应变片式传感器以实现高精度闭环控制。主要应用于光学、激光扫描、通信、光束偏转和光束偏摆。

产品详细介绍奥龙数字化校园软件系列数据门户产品列表：1、奥龙-统一信息门户平台2、奥龙-统一身份认证平台3、奥龙-统一数据库平台4、奥龙-数据综合分析平台管理产品列表：1、奥龙-研究生教育综合信息管理系统2、奥龙-高校教务管理系统3、奥龙-高校学工管理系统4、奥龙-高校资产管理系统5、奥龙-高校科研管理系统6、奥龙-高校人事管理系统7、奥龙-流媒体服务平台8、奥龙-图书馆自动化管理系统9、奥龙-网络教学平台系统10、奥龙-数字迎新系统11、奥龙-共享型专业教学资源库

产品详细介绍 对教师：纸笔围绕课堂教学场景，智能批改，增效减负，双向互动，提升学生动能和效能。 智慧纸笔平台以个人电子终端为载体的智慧课堂，开启名校联盟资源共享模式，贯穿预习、上课、作业、辅导、评测等各个学习环节，覆盖课前、课中、课后全过程，支持各种高效学习方式和师生平等互动。 具有区域视图、学校视图、班级视图、学生视图，从多维度记录学生的学习成长轨迹。 1. 传统纸笔书写，保护视力 3. 作业自动批改，减负增效 5. 精准资源推荐、提分提质 对于学生——学习问题诊断更精准；AI辅导更具个性化；伴随式成长数据驱动智能适应学习。 对于家长——指导孩子更科学；辅导孩子更有方向。 对于教师——减轻作业批改负担；教学效果反馈更即时；教学调整更有依据。 对于学校——教育进步可视化；更科学的管理；更明确的教育质量提升方向。 对于教育系统——区域教育质量检测更专业。 联系方式： 地址：广州市黄埔区科学城南翔一路62号3楼宏途教育 电话：176-8839-3738

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骨肉瘤是一种青少年常见的恶性骨肿瘤，目前治疗手段主要是外科切除加化疗，这种治疗方式存在很多不足。该课题拟通过放射与基因手段联合应用进行治疗骨肉瘤研究，依据可信，立项充分。自杀基因CD/5-FC 和HSV-TK/GVC 系统基因治疗临床试验方案已经得到了一定程度地开展，并且取得了不错的结果，而本课题通过辐射诱导基因Egr-1 启动子调控双自杀基因CD/TK，治疗骨肉瘤，从一个新的角度开展治疗骨肉瘤的研究，立体新颖，如果该方法被验证可行，将会为骨肉瘤的治疗提供一种新的治疗手段。该课题组已经构建出GFP 做标志的Egr-1 调控CD/TK 双自杀融合基因的腺病毒载体pAdEgr-1-CD/TK，而且已经证明其序列正确以及Egr-1 的活性，因此在此基础上进一步研究其对骨肉瘤的治疗效果，实验方法可行，预计能够按时完成课题项目。

本发明公开了一种基于子空间融合和一致性约束的准稠密匹配扩展方法。首先获取可靠的种子匹配，在种子匹配周围选定待扩展区域。然后对区域内的所有待扩展像素点进行稠密 SIFT 特征提取，并通过子空间学习将待扩展点的特征信息和位置信息进行融合。在寻找匹配时，利用一致性约束学习一个局部非刚体变换，该变换与仿射变换·748·等模型相比可以更好地描述非平面复杂场景。每一次扩展完成之后，对扩展结果进行优化，剔除不好的匹配

本成果来自省部级科技计划项目，2012年获中国铁道学会铁道科技二等奖（主持）。其创新性如下：①首次研究高速条件下电气化铁路腕臂支撑绝缘子抗弯强度特性；②首次研究高速条件下过电压与绝缘子闪络特性；③首次研究高速条件下绝缘子机械特性与电气特性之间的内在联系。经济指标如下：①给出高速动车组运行条件下绝缘子抗弯强度容量选择建议值；②高速铁路过牵引供电系统过电压与绝缘子闪络间的关系，以及不同污秽等级区域绝缘子爬距的建议值；③为高速铁路腕臂支撑绝缘子的设计、制造、安装、维护提供建议规则，提高设计可靠性。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

李朝晖教授、张斌副教授团队自主开发了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平台，该平台具有低损耗、高光学非线性和高拉曼增益、可实现灵活的色散调控、硅基片上集成等特点，非常适合于实现可调谐的片上拉曼激光器。