产品详细介绍

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单级反渗透，适合电导率小于500μs/cm的水质，出水电阻率可达0.2-0.1MΩ.cm(电导率10-5μs/cm),单级反渗透的脱盐率可达90-99%。 一、设计依据： 1、   进水水质为城市自来水 2、   进水电导率＜150us/cm 3、产水技术指标                                        （1）产水流量：0.5M3/h      水温25 （2）产水水质：符合国家瓶装饮用水标准GB17323-1998 二、工艺说明： 1、采用目前先进的RO反渗透制取纯净水工艺，产水电导率一般 小于10us/cm 优于国标GB17323-1998。产水水质无菌、无颗粒、甘纯。 2、本系统反渗透膜脱盐率高达98%，回收率高达50-75%，并形成独特的技术风格。整套系统经多个纯净水生产厂家验证，对水中病菌、有毒重金属、放射性核素、有机微污染物去除率分别高达99.99%、95%、99%及95%，水质甘甜可口。根除了源水中有毒有害物质，多项毒理性指标，如三卤甲烷、四氯化碳、苯系物、多环芳烃、农药、酚类、以及铅、汞、铍、铬、镉、铀、铊等其它放射性核素均在检测限以下。 三、工艺流程： 整条纯净水生产线工艺流程： 自来水--》原水泵---》石英砂过滤器---》活性炭过滤器---》精密过滤器---》0.5T/h反渗透主机系统--》用水点 四、反渗透的工作原理 渗透是一种物理现象，当两种含有不同浓度盐类的水，如用一张半渗透性的薄膜分开就会发现，含盐量少的一边的水分会透过膜渗到含盐量高的水中，而所含的盐分并不渗透，这样，逐渐把两边的含盐浓度融和到均等为止。这个过程称为自然渗透。反渗透就是一种在压力驱动下，借助于半透膜的选择截留作用将溶液中的溶质与溶剂分开的分离方法。 预处理常常由石英沙过滤装置，活性碳过滤装置，精密过滤装置组成，主要目的是去除原水中含有的泥沙、铁锈、胶体物质、悬浮物，色素、异味、生化有机物，降低水的余氨值及农药污染等有害的物质。如果原水中钙镁离子含量较高时，还需增加软水装置，主要目的在于保护后级的反渗透膜不受大颗粒物质的破坏，从而延长反透膜的使用寿命。 五、用户需知： ①用户应提供原水化验的详细资料，以便我公司据以进行相关选型及排列计算。 ②用户应说明产水的水质要求，用途，产水量。 ③我公司备有多种型号的压力容器，膜，配件等，若用户特别说明，将尽力满足要求。 ④我公司对设计、销售的设备提供安装调试及对用户操作运行人员的培训。 ⑤我公司对用户实行设备一年保修，终身服务的原则，均建立档案，进行跟踪服务，确保质量水平。 六、反渗透技术的应用领域 v电子、工业、医药、食品等工业中纯水、超纯水的制备； v 轻纺、化工行业工艺用水/化工循环水、化工产品制造等净化与制备用水； v 食品饮料工业用水、饮用纯净水、饮料、啤酒、白酒、保健品等用水的净化与制备用水； v 工业生产中对水溶液进行有用物质和浓缩与回收； v 电力行业锅炉补给水、火力发电锅炉、厂矿中低压锅炉动力系统等企业高压锅炉补给水的预脱盐处理； v 苦咸水和海水的脱盐淡化； v 纯净水装置作为高纯水生产的一级除盐设备。　 v 社区、房产物业、学校、工厂、医院、茶楼、宾馆、美容院、食堂等人数较多的各类企事业单位。 v 可用于桶装水、矿泉水等灌装水的制取工作。　 v 电子工业用水集成电路、硅晶片、显示管等电子元器件冲洗水 v 制药行业用水大输液、针剂、片剂、生化制品、设备清洗等; v 海水、苦咸水淡化海岛、舰船、海上钻井平台、苦咸水地区 v 其它工艺用水汽车、家电涂装、镀膜玻璃、化装品、精细化学品等用超纯水。 七、主要技术参数： 型号 JYXRO-0.3T/H 产水量 500L/H   25摄氏度 输入功率  0.75KW 电源 AC22OV  18A/380V 9A  50Hz 膜元件 4040    处理量配置 多级泵 CDL2-180/2.2KW   1台 预处理器 Φ200*1000*ƒ1.5    2个 精密过滤器  Φ90*1000      2套 增压泵  CHL2-30/0.55KW     1台 石英砂   处理量配置 活性炭   处理量配置 外形尺寸  55X64X1450mm 正品承诺：本厂为正规生产厂家，所销售的产品均为正品，有正规增值税发票，提供质量保证和完美的售后服务。 售货服务：保质期内（非人为的损坏及故障）本公司提供一年免费售后服务；保质期外提供有偿终生维护，及时优质的维修服务和技术支持。 售前服务：本公司的服务工程师将秉承专业精神，为客户免费提供售前技术服务咨询，并根据贵厂的实际需求做出科学的设备平面设计布局，工艺流程等系统整体设计和规划，是贵厂整体更经济，更实用，更有效。

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宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。