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微电子器件高效冷却技术
小试阶段/n通过发展被动式和主动式冷却技术能实现典型移动装备和电子器件的空间冷却需求,具体包括热压/风压自然换热冷却、相变热管换热冷却等被动式技术,半导体热电制冷冷却、喷射冷却和合成射流冷却等主动式冷却技术,获省自然科学一等奖。成果市场前景:有散热需求,就有应用前景。
武汉大学 2021-01-12
电子器件的高效散热技术
随着微电子技术的发展,电子器件的热流密度越来越高,散热已成为其技术发展的主要障碍之一。本项目采用直接液体浸没的沸腾换热方式,开发了高效沸腾换热微结构面,可极大幅度提高散热性能,在电子器件温度低于其正常操作上限温度85oC的条件下,散热热流密度可达150W/cm2以上。沸腾强化换热技术往往在微重力条件下由于气泡难以脱离导致性能恶化而无法应用。近期在微重力条件的实验表明该技术即使在微重力条件下,依然能充分利用热毛细现象进行强化换热,显著提高换热性能。因此,该技术可应用于地面和空间的电子器件高效散热。
西安交通大学 2021-04-11
核心真空电子器件关键技术
项目研制出倍频程和1.5倍频程宽带低二次谐波连续波行波管,二次谐波由-3 dBc降低到-7dBc,是目前国内外此类行波管综合技术水平最高的指标。并且研制出了国际上第一只高效率W波段脊加载曲折波导行波管及第一只V波段曲折波导宽带行波管。该项目获得四川省科技发明一等奖。
电子科技大学 2021-04-14
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系,通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律,采用无损伤工艺,提升了器件的均匀性和可靠性,进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压,正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力,为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学 2021-01-12
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
功能油墨及柔性电子器件的印刷制造关键技术及应用
项目团队在印刷制造领域有多年的研究基础,形成“基础研究-关键技术-应用突破”的全链条研究方式,构建了印刷电子低成本制造技术及应用集成模式,发展了系列先进防伪功能油墨、高性能导电油墨和活性储能功能油墨,并实现了其在光学防伪、智能服装以及智能包装等领域的应用推广。 一、项目分类 关键核心技术突破 二、技术分析 项目团队在印刷制造领域有多年的研究基础,形成“基础研究-关键技术-应用突破”的全链条研究方式,构建了印刷电子低成本制造技术及应用集成模式,发展了系列先进防伪功能油墨、高性能导电油墨和活性储能功能油墨,并实现了其在光学防伪、智能服装以及智能包装等领域的应用推广,成果达到国际领先水平。发表SCI论文80余篇,出版专著4部,授权专利23项(发明专利20项)。本成果的关键技术与创新点主要体现在四个方面: (1)基于上/下转换多模式光学功能油墨化策略,发展了新型长效功能防伪油墨,将传统的单一颜色印刷光学防伪图案升级为全彩色防伪图像,在国际上率先实现了特定波长防伪和机密印刷图文信息隐藏与编码。实现了一系列包括近红外激发的多色可见上转换发光防伪功能油墨、紫外光激发多色下转换发光防伪油墨以及兼具上/下转换发光特性的防伪功能油墨的配制,能够满足多种印刷方式(丝网印刷、喷墨印刷以及R2R印刷),在多种包装基底材料上(PET、纸张、织物等)具有良好的印刷效果和防伪应用。 (2)创新的采用同时从电极结构内部和功能油墨外部优化的双重策略,利用大面积丝网印刷技术实现了柔性超级电容器的全印刷工艺制备,率先揭示了印刷工艺对器件性能影响的关键决定机制和内在工作机理。实现了多种高性能储能材料,如金属氧化物,导电聚合物,MOF类功能材料及其复合材料的制备与油墨化处理,所制备的印刷柔性超级电容器的比电容可达到16.8 mF cm-2(0.1 mA cm-2),同时具有长的循环稳定性(>5000次),优异的能量密度和功率密度(0.5 mW cm-2)。本项目提出的印刷电子技术代表了超级电容器制造业的一种范式转变,它为柔性超级电容器提供了一系列简单、低成本、省时、多功能和环保的制造技术,在未来电子产品中具有巨大的应用潜力。 (3)发展了系列功能传感油墨,实现了高度灵敏和循环稳定的柔性传感器的全印刷制造,揭示了功能导电油墨组分与配比对传感性能的影响规律以及印刷柔性传感器的传感机理,系统评估了印刷柔性传感器的传感性能,所制备的印刷传感器的应力传感范围可达到155%,最大灵敏度为6.3×104,最快响应速度可达到18 ms,循环稳定性>1000次,并且成功应用于运动、健康监测和智能包装中。 (4)完善了全印刷制造相关理论,解决了印刷制造薄膜类电子器件结构精度低共性问题,利用多种印刷技术实现了高性能柔性/可拉伸电极和柔性加热器件的图案化制造,研究并揭示了其运行工作机理,实现了部分印刷电子器件的集成与成果转化。
武汉大学 2022-08-15
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
一种磁隧道结单元及自旋电子器件
本发明公开了一种隧道结单元及磁随机存储器,包括依次连接 的第一电极、第一自由层、非磁性绝缘层、钉扎层和第二电极,还包 括连接在第一电极与第一自由层之间的第二自由层,第二自由层的横 截面积小于自由层的横截面积;第二自由层和第一自由层一起形成了 复合自由层结构;第二自由层用于聚集电流,使得第二自由层处的电 流密度大于第一自由层处的电流密度,从而使得第二自由层的磁矩先 于第一自由层发生翻转;由于第二自由层和第一自由层之间的
华中科技大学 2021-04-14
磁流体热磁对流在电子器件散热中的应用
项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件,应用磁流体的热磁对流效应,把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2.温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3.磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术,提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展,达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明,散热效果好,能达到电子器件冷却要求,满足工业生产的需求,在生产过程中无污染,无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中,具有较好的经济效益和社会效益。
南京工程学院 2021-04-11
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