提出了系统热集成的结构性能连续性原理，并成功应用于以船用锅炉控制柜为代表的分布参数系统和以换热网络为代表的集总参数系统，提高工业过程 系统能量利用效率。

成果简介：在航空航天领域，光电仪器受温度影响会产生像移，成像质量会 变差，影响探测。本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光学表面自由曲面面型拟合结合起来，可以分析在恒温和瞬态温度变化的情况下，成像 质量的变化，进而给温控提供准确的技术方案和技术途径。 项目来源：横向项目 技术领域：信息技术 应用范围：航空航天光电探测领域 现状特点：国内领先 技术创新： 本技术将光学设计、结构设计、有限元分析、光

本发明属于热学技术领域，具体一种基于多孔介质的热幻像调控方法。本发明方法结合傅里叶定律和达西定律来描述热传导和热对流过程；利用热导率和渗透率在稳态情况下方程形式一致性，基于有效媒质理论，得到等效渗透率的表达式；之后建立压强场和温度场来产生热对流扩散，利用简单的核壳结构，通过调控壳的渗透率和热导率径向和切向值，来实现热透明、热聚集和热隐身斗篷三种热幻像功能，同时不改变背景之前的温度场和热流场的分布。本发明方法与其他热对流扩散过程中的热幻像调控方法相比，结构简单，更加灵活可行，并且解决了材料的奇异性和非均匀性，因此更具实际应用性。

本发明公开了一种远端送料插拔卡扣环绕式加热喷头装置，包括远端送料组件、喷头组件和锁止装置组件。喷头装置整体由步进电机提供动力，经过远端送料机构，将打印丝沿导向管，从远端送入喷头进料入口处，同时通过喷嘴处安装的陶瓷环绕式加热圈加热，最终完成打印喷头出料任务。

大空间建筑室内热环境温度分层现象显著，掌握其特性对热环境设计以及空调负荷计算意义重大。长期以来，大空间建筑室内空气温度与壁面温度都是分别孤立求解。研究团队经过近20年的研究，利用并发展了日本求解空气温度的BLOCK模型和美国求解壁面温度的GEBHART模型，建立了BLOCK-GEBHART（B-G）模型，同步求解大空间垂直温度分布与垂直壁面温度，这一模型经盐水模型实验、气态缩尺模型实验、大空间热环境实验基地在有热源、有排风情况下进行了验证，B-G模型的空气温度与壁面温度解析解为大空间建筑室内热环境设计与分层空调负荷计算提供了有力的基础。

锻造车间工作环境恶劣，噪声大、粉尘多、危险性大，工人劳动强度大，锻造企业面临用工贵、用工难的难题。该项目面向汽车零配件、阀门、五金工具等行业，实现从金属棒料到压制成型整个过程的全自动生产。主要针对普通冲床和液压冲床实现热冲、温冲、冷冲的全自动化改造或提供成套自动化解决方案。成套设备中，具体包括： 1）、棒料全自动上料机，可代替 1 名人工 2）、铜、铁恒温电加热炉、气加热炉，实现热锻或温锻的加热 3）、全自动上下料机械手，可代替两名人工 2、创新要点：实现热锻、温锻、冷锻的全自动化生产。 3、效益分析（资金需求总额 500 万元）： 全国拥有冲床的数量在 200 万台以上，绝大多数的冲压工序还是依赖人工完成。至少有 100 万台冲床需要自动化升级改造，另有新增的全自动冲压解决方案需求。整个冲压自动化行业的市场份额在 600 亿以上。该项目涉及的成套装备可以代替 3 名人工，一年可以为企业节省 15 万元人工工资费用，并省下一笔管理费用，避免工伤事故的发生，同时还能保证产品的生产效率和生产质量。设备投资回收期不到 1 年。具有很好的市场前景。 4、推广情况： 浙江万达阀门有限公司

产品详细介绍DF—101S在DF—101B基础上，增加了高精度时间比例式数显温控仪和智能型数字显示温度两种型号，随意设定，自动恒温，使用更加方便、直观，控温精度高、标准可靠。序号 规格型号 特征 搅拌容量 搅拌速度 加热温度 控温方式 工作电压 整机尺寸 1 DF-101B 调压 最大2000ml 无级调速 0-2600 室温-400℃ 调压控温 220V/50Hz 239×245×220 2 DF-101S 平板 最大2000ml 无级调速 0-2600 室温-400℃ 室温-400℃ 智能自动 220V/50Hz 239×245×220 小型 数显自动 220V/50Hz 239×245×138 3 CL-200 小型 最大3000ml 无级调速 0-2600 室温-400℃ 调压控温 220V/50Hz 160×170×216 4 DF-101C 特型 最大1000ml 无级调速 0-2600 室温-400℃ 调压控温 220V/50Hz 160×170×216 5 DF-101D 特征 最大1000ml 无级调速 0-2600 室温-400℃ 数显自动 220V/50Hz 160×170×216 6 DF-101T 调压 最大15000ml 无级调速 0-3000 加热温度 数显自动 220V/50Hz 395×295×335

 

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

武汉大学无线数码显微互动系统采购项目竞争性磋商