本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获得国家发明专利授权（ZL201310005181.2），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘恒定关断时间调制电压型控制方法及其装置，根据输出电压与电压基准值的关系，采用恒定关断、导通、恒定关断组成的控制时序，或导通、恒定关断、导通组成的控制时序，控制开关变换器开关管的关断与导通。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，稳压精度高。

本新技术成果（ZL201220166687.2）来自省部级科技计划项目，现已结题.该成果提供了一种伪连续导电模式（PCCM）开关变换器自适应续流控制方法及其装置ACD，采用PCCM开关变换器的电感电流信息和输出电流信息经过运算后合成自适应参考电流，将自适应参考电流和电感电流进行比较，以此来控制PCCM开关变换器续流开关管的导通与关断。该发明可用于控制各种拓扑结构的PCCM开关变换器续流开关管，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，效率高。

本实用新型公开一种室内空气品质监测及防风防雨的开关窗系统，包括环境数据采集单元、微处理器单元、安全防护单元、机械动力单元、窄带物联网通讯单元和电源处理单元；所述微处理器单元分别与环境数据采集单元、安全防护单元、机械动力单元、窄带物联网通讯单元连接，所述电源处理单元分别与环境数据采集单元、微处理器单元、安全防护单元、机械动力单元和窄带物联网通讯单元连接，用于为各单元提供工作电源。本实用新型的开关窗系统提供了集风雨防护、室内净化功能于一体，为室内空气品质和室内环境维护提供了保障，具有结构简单、稳定性好和

氧化型染发剂色牢度好，颜色漂亮，但是染发中间体容易进入人体体液，引起人体过敏或中毒。本项目通过一定的材料，使得染发剂在头皮上和头发上发生不同的变化，在头发上成液态，可以染发；在头皮上被封闭起来，不容易通过头皮进入人体血液。在保证染色效果的同时，保护了人体健康。

氧化型染发剂色牢度好，颜色漂亮，但是染发中间体容易进入人体体液，引起人体过敏或中毒。本项目通过一定的材料，使得染发剂在头皮上和头发上发生不同的变化，在头发上成液态，可以染发；在头皮上被封闭起来，不容易通过头皮进入人体血液。在保证染色效果的同时，保护了人体健康。 关键技术：染发中间体进入人体体液变少，对人体健康有重要意义。 获得成果： 1、染发剂方向获商业联合会科技进步一等奖； 2、染发剂方向授权专利 7 项； 3、染发剂方向文章 5 篇

本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差，不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性，同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减，而且还能够简

产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明提供一种变压器有载分接开关的参数测试方法及装置，该方法包括获取变压器有载分接开关的交流电压波形以及过渡电流波形；通过对过渡电流波形进行派克变换，计算电流幅值，根据电流幅值变化数据通过离线辨识算法，判定变压器有载分接开关切换过程各阶段，得出相应的过渡时间，计算变压器有载分接开关过渡电阻瞬时值。本发明通过对交流过渡电流信号进行派克变换，并设计离线辨识算法，准确计算出过渡电阻瞬时值，作为变压器有载分接开关是否正常的判据。保障了变压器有载分接开关的安全使用。与传统的交流测试法相比较，本发明能够准确辨识有载分接开关过渡过程各个阶段并计算出过渡电阻值，误差小，符合国家电力行业标准。

本发明公开了一种降压型单电感双输出开关变换器的控制方法及控制装置。本发明的控制方法通过调整控制选通信号序列中的高电平时钟周期数和低电平时钟周期数,可高效实时地调整第一输出支路与第二输出支路的功率比,使两输出支路的输出功率分配更合理。本发明的降压型单电感双输出开关变换器实现对第一输出支路和第二输出支路的输出功率动态分配,使得在优先满足负载供电的前提下,依然能保证对电池充电,而这两部分的功率的总和能够控制在一个较稳定的范围内,相比现有技术,即使输入额定功率较小,也可满足第一输出支路负载的正常工作。