高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
藓茎卵器切片
产品详细介绍
青岛教育学院校办工厂 2021-08-23
TI图形计算器
产品详细介绍TI-92plus是一款可用于中学数学、物理、化学等理科教学乃至大学的图形计算器。由于采用了闪存(Flash)技术使之可以进行电子化升级,并具备了更多的内存空间。TI-92plus的功能更为强大,128×240像点的大屏幕,"优美打印"使得显示的表达式如书写一样美观,带有高级的数学软件,可装载类似于电脑几何画板功能的几何画板或卡氏几何,让您的操作随时随地都可进行。每个TI-92plus都有一个液晶板(ViewScreen™)接口,用于连接一个液晶板,借助它可以使用标准投影仪向全班显示屏幕信息。具备有Flash(闪存)技术的图形计算器使计算器的扩展,升级应用程序的更新成为可能。同时TI公司还提供针对此技术的最新的,不断升级的操作系统和许多供教师教学和学生学习的应用程序。用户可以方便地从我公司的网站(http://ti-edu.com)上将公布的最新的操作系统和应用程序下载至计算机中,然后通过 TI Graph link安装到自己的图形计算器中,以增加其功能,提高其使用效率并使之个性化而满足个人不同的需求。这样,用户手中的图形计算器就具备了可升级性,从而实现更多的功能,更快的速度,更个性化的应用和更长的使用时间。 硬件特点:快闪存储器和升级能力:快闪只读存储器大大地增加了可用的计算器内存,允许安装计算应用软件及基于代码的升级。 128×240像点的大屏幕。内存:共有890kb,包括188kb用户可写的RAM(存储器)和702kb的快闪只读存储器用于用户数据存档或计算应用软件。增强型显示效果:防炫光及反灰明显提高了可读性。连通性:可在i/O端口连接TI-89,TI-92,TI-92plus,Cbl2,Cbr及TI Graph Link。标准键盘。机对机的连接电缆。
深圳市学之友教育投资集团有限公司 2021-08-23
竖式计数器
产品详细介绍
杭州鑫天元科技有限公司 2021-08-23
数字计时器
产品详细介绍计时:0~99.99S。 精度:0.1%。 方式:光电转换
广东省三水市西南教学仪器厂 2021-08-23
ECO废液收集器
CP Lab Safety ECO 废液收集器是由ECO漏斗和相应试剂容器组合而成的,可以有效防止实验室99%的有机试剂挥发,大幅度减少废液敞口放置对实验室人员和环境造成的伤害。Safety ECO 废液收集器的各组成部件如漏斗,接头和溶剂瓶既可以单独使用,也可以自由搭配组合,可满足客户的不同需求,而且还可以直接和多种设实验设备联用,自动收集废液。
深圳市一正科技有限公司 2021-11-01
工艺过程恒温器
LAUDA Integral T 工艺过程恒温器提供了较宽的外部温度控制和迅速的温度变化。 紧凑的设计,所有的设备都带有滚轮,为用户节约了宝贵的实验空间。 内部的循环泵,使得设备的温度控制不受外部液体流动的影响。 可以选择附件实现远程控制。
深圳市一正科技有限公司 2021-11-01
光电传感器
山东格瑞水务有限公司 2021-09-08
排温传感器
排温传感器
山东鸣川汽车集团有限公司 2022-03-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 116 117 118
  • ...
  • 385 386 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1