XM-YF2高级电脑孕妇检查模型 （电子孕妇腹部触诊及胎心监护模型）   XM-YF2高级电脑孕妇检查模型（电子孕妇腹部触诊及胎心监护模型）按标准孕妇的身体尺寸大小设计制造，胎心音的听诊由电脑线路芯片控制，模型由高分子材料制成，质感逼真。 一、功能特点： ■ 模拟了一成年孕妇躯干结构，仰卧位，形态逼真。 ■ 结构包括：乳房、耻骨联合、盆腔、胎儿等。 模型可进行四步触诊训练、胎儿心音的听诊、骨盆外部测量和乳房护理的练习和指导。 ■ 为了使用和管理简单化，通过外部皮球可给子宫内注入空气，随着充气量的调节可使它成为接近于人体的状态。 ■ 腹部测量和骨盆测量所需的骨骼已造成形于内部，触诊感觉真实。 ■ 利用电脑蕊片控制的声音合成器能听到胎儿心音，胎儿心音的速度快慢及音量大小可随时调节，胎心范围：80-180次/分，胎心音的强弱随频率不同会出现相应变化。 ■ 可用木听筒和听诊器来进行练习听取胎儿心音练习，胎儿的心音也可从电子孕妇腹部触诊及胎心监护模型前面板上的扬音器内听到。 ■ 电子盒内置，便于考核训练。 ■ 外皮可更换。   二、标准配置： ■ 高级电脑孕妇检查模型：1台 ■ 手提铝塑箱：1个 ■ 木听筒：1个 ■ 听诊器：1副 ■ 电源适配器：1个 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

XM-DTB高级电子臀部注射训练模型   XM-DTB高级电子臀部注射训练模型（着装式臀部肌肉注射外套）可进行臀大肌、臀中肌、臀小肌肌肉注射训练，采用佩戴式实现学生之间相互练习，注射训练过程中有自行判断正误的装置。 一、功能特点： ■ 模型采用高分子材料制成，肤质仿真度高。 ■ 模拟了一成年人臀部结构，模型可穿戴，体表标志明显，包括髂嵴、臀裂顶点等骨性标志，便于操作定位。 ■ 可进行臀部肌肉注射训练，进针痕迹不明显。 ■ 模型有电子报警显示功能： · 注射位置和深度正确，绿灯显示。 · 注射位置错误或深度错误，红色指示灯闪烁，并有电子报警。 ■ 肌内注射可注入真实液体。 ■ 可以使用不同规格的注射器穿刺，设有安全防护设置，防止练习时被扎伤。 ■ 可反复进行练习。   二、标准配置： ■ 穿戴式臀部肌内注射操作模型：1个 ■ 练习用注射器：1支 ■ 说明书：1册 ■ 保修卡合格证：1张

　　天津市兴业达电子有限公司生产德国著名品牌ASC系列语言学习系统，严格执行德国标准，得到ASC的全面认可；公司建立了完善的质量管理体系，通过了ISO9002认证，产品行销全国并远销德国，通过德国公司销往世界各地。 　　公司生产的ZX-801全电控A级高档机芯，采用无刷马达直接驱动，应用于高档语言设备、通讯记录设备。DI8及ESPRIT数字多媒体语言教学系统，是ASC公司最新推出的世界顶级产品，为了满足中国市场的需要，ASC将在中国生产DI8录音。 　　我公司是全国最早生产盒式磁带复录机的厂家之一，技术处于全国领先水平，SCD2001系列磁带复录机采用ZX-801机芯，单片机控制，功能可靠，具有极高的性价比。力争为中国的各级院校提供国际先进水平的教学设备。完备的售后服务，确保用户15年的维修期限。  

万欣智能数据采集终端/智慧电子门牌通过与系统平台的联动，可实现对仪器设备及实验室开放中的全过程管理与控制，实现学生预约身份认证、考勤登记、预习提醒及授权开门等功能；并可记录学生的进出记录，自动的提交到管理服务器，生成学生、仪器设备使用记录等原始的统计资料与依据。新一代智慧安全管理终端还具有实验室风险分级分类管理及实验室安全信息牌功能。

天津市中科电子致冷有限公司是集数十年生产经验和技术于一体的科研和生产型高新技术企业，专业生产半导体致冷器件和应用半导体致冷器研发高低温实验仪器。公司拥有经验丰富的专业技术开发团队。技术力量雄厚，服务周到、生产能力强、品种齐全、质量可靠。产品具有致冷速度快、体积小、无噪音、无污染、温度控制精确的特点。广泛用于航天、航空、军工、化工、电子、生物医药、大专院校、科研院所等领域。同时可遵照用户的技术要求，承接特殊产品的研制及半导体致冷器件和高低温实验仪器等非标产品的开发项目。本公司秉承“诚信、 专注 、品质、服务”的理念，以满足客户的需求。

产品展示 　　产品特点 　　智能易用 　　红外感应技术，支持10点触控及智能识别手势动作，让师生交互变得更简易，满足教学场景需求 　　超高屏幕利用率 　　采用超窄边设计，外框简洁大方，屏幕利用率最高达97%，大大提升触控和显示尺寸 　　一体化设计 　　高度集成交互电子白板、电脑、音响系统、中控系统等多项功能，美观易用 　　三段式快捷图标 　　左右两侧均有18个中文标示三段式快捷图标，指引清晰，方便老师快速调用资源 　　可靠耐用 　　高抗压铝合金边框，结合防眩目、防反光冷轧锅板，防撞防刮 　　双系统设计 　　支持“微控系统”及PC系统，对常用功能及操作单独管理，让操作体验更人性

主要作了以下几方面探索： 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面，长期从事纳米光电器件的研究与开发，已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构，如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等，并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件，测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道，被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次；发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道，被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中，观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用，并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内，使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布，进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰，这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象，是自旋相关的界面散射的实验证据；另外，我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化，其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应，这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次，利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测，观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况，为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应，导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论，我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷，由此形成强钉扎中心，使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次，通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析，观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼

一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法，其作法是：以钛箔为阳极，铂为阴极，对钛箔进行氧化，得非晶态TiO2纳米管阵列；经处理后，得TiO2纳米管阵列；将钛箔置于高温反应釜内，再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜，热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列；在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO，引出电极，在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极，将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低，工艺、设备简单；制得物适用光谱范围大，适合做光谱分析；还可以做光敏开关等光电器件，具有广阔的应用前景。