高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
电子检测显微镜 液晶屏检测显微镜
产品详细介绍电子检测显微镜 液晶屏检测显微镜放大倍数: 10x-200x该款LCD检测数码视频显微镜是令人惊喜、十分易用的全新型数码显微镜。它打破了传统显微镜的概念,真正实现了观察物体图像的测量、保存、复制、传送以及对图像的测量等功能,这对传统显微镜 来说是不可想象的。它集美观、易用、便携为一体,做到“工作即娱乐”。 产品详细技术指标型号3R-MS2020USB(USB 视频显微镜)相机类型彩色 CMOS相机图像传感器1/4 " 彩色CMOS传感器图像最大分辨率200万象素图像象素320(H)x 240(V), 640(H)x480(V), 1280(H)x1024(V)照明8个定制可调暖白发光管动态图片帧率每秒15帧@1280x1024每秒30帧@640x480和320x240光学特征自动/手动伽玛校正自动数字化光圈调整自动曝光自动/手动白平衡自动闪光消除自动补正象素缺失自动调整彩色饱和度自动调整彩色对比度电脑信号接口USB 2.0/1.1电源电脑USB5.0V DC功耗最大0.75瓦可调放大倍数10倍至200倍物距0~30厘米USB数据线2米产品尺寸36毫米(直径) x 120毫米(长)应用软件功能软件/硬件拍照视频录制定时拍照刻度尺和时钟显示测量校正功能测量:长度、面积、直径、角度等   产品特征       * 手持式数字显微镜。       * 自主开发的视频图像捕捉应用软件,功能强大       * 简洁易用的应用软件:拍照, 视频录制, 测量等。      * 高达200万象素清晰图像。      * USB2.0高速数据速率。       * 在电脑显示器上可以全屏观看清晰的图像。    电脑系统最低配置要求               * Pentium Ⅲ 600MHZ 和 256MB 内存或以上            * 视窗Windows XP SP2/Vista/7                    * 可用的USB1.1或2.0接口                           * 推荐 17寸电脑显示器                    
北京爱迪泰克科技有限公司 2021-08-23
电力电子模型仿真实训平台YXPEP-PSCA-200
传统的方式对嵌入式算法的编写以及实物调试都有比较高的要求,控制板性能有限、底层代码编写学习成本高、硬件资源调用不直观、算法实现与代码调试不方便,因此需要耗费学生与科研人员大量的时间与精力。 采用快速控制原型(RapidControlPrototyping简称RCP),那么就可以高效的、便捷的完成了前期算法的验证,研旭推出的电力电子仿真系统只需在MATLAB的Simulink搭建控制算法模型,下载到RCP控制器中,即可实现控制过程。 本系统将RCP控制器与可定制的功率硬件、电机结合在一起,通过模块化的方式,便于搭建各种不同类型的功率变换系统,非常适合高校、科研院所进行电力电子装置级和系统级的控制算法的验证。 系统同时可集成各类测试电源和检测仪器,一体化的结构,让学习开发更为方便省力。 系统特点: 更方便,更易上手 在Matlab中设计的控制算法自动生成代码,自动加载到实时目标机中运行,避免了繁琐的编程和Debug工作; 使用门槛低,会Matlab仿真即可完成实验测试工作,所有测试工作只需一人即可完成。 更灵活,更开放 硬件模块化设计,多种拓扑结构的功率硬件可选,同时,可根据需求定制各种不同的功率硬件,拓扑结构、功率级别、传感器的数量位置等均可以变化; 软件模块化设计,算法编程和监控全部采用基于模型的可视化设计方法,提供各类验证过的算法模型,可直接组合调用,大大缩短研发时间。 更可信,更可靠 功率级的算法验证,完美复现实际系统,具有很高的可信度; 采用高可靠性的功率模块和经过完善测试的接口模块,故障率低; 具备软件保护和硬件保护双重保护,安全性高; 具备数字仿真和物理电路双重验证,设计更灵活,实验数据更具说服力。
南京研旭电气科技有限公司 2022-07-22
马达开关板(大功率)电子设计智能遥控平台
产品详细介绍 电压:6V-24V 额定电流:10A(持续工作无需散热器) 额定电流:30A(持续工作需铝散热器) 额定电流:60A(持续工作需铝风扇散热器) 注:固态开关小,安静,没有移动部件,防止击穿和温度过高而熔融。出口商品,出口品质。
中山市百佳大谷电子科技有限公司 2021-08-23
供应红外电子幕帘,室外红外探测器价格
产品详细介绍供应红外电子幕帘,室外红外探测器价格,双鉴红外感应器厂家 产品名称:无线红外探测器产品型号: Sn-818-3F  产品规格: 标准 厂家: 深圳市世宁科技有限公司无线红外探测器也是报警系统最常用的入侵探测器。其探测范围是一个水平110度,垂直79度,探测距离8~12米的空间。移动人体的红外热辐射光波,通过菲涅尔透镜聚焦到传感器上,红外探测器就会发出一个无线信号(报警灯闪亮一下)。特点:* 智能逻辑控制,滤除各种误报* 真实温度补偿技术* 双极性脉冲计数可调* 抗白光干扰* 抗射频干扰(20V/m-1GHz)* 菲涅尔光学透镜* 壁挂或吸顶安装* 报警输出NC 可选择* 采用SMT工艺制造,性能更稳定技术参数:* 工作电压:DC9-16V* 消耗电流:≤18mA(DC12V时)* 探测距离:9m(壁挂);6m(吸顶安装在3.6m时)* 探测角度:15度* 自检时间:约60S* 报警指示:红色LED* 传 感 器:双元热释红外传感器* 工作温度:-10度至50度* 环境湿度:最大95%RH(无凝结现象)* 安装方式:壁挂或吸顶* 安装高度:1.7-2.5m(壁挂);2.5-6m(吸顶)* 报警输出:NC 可选择,接点DC28V100mA* 防拆输出:NC,接点DC28V 100Ma* 抗RF干扰:10MHz-1GHz 20V/m* 外型尺寸:110*69.5*40mm亲,你还在为家里东西被盗而烦恼吗?亲,你还在为家中冒烟,液化气泄漏而担心吗?亲,你在外地工作,还在为小孩妻子的安全方面着想吗?亲,你还在为家里的生病的老人无人照料而忧心吗?不用担心,有世宁科技, 一切都是那么简单。我公司同时大量供应门磁窗磁,烟雾报警器,燃气报警器,红外探测器,个人防护用品,商用防盗报警器材,工程建筑类报警主机,总线制主机及相关配件家用防盗报警器。销售经理: 刘生 15013775514/0755-89206127 商务Q 272820915供应红外电子幕帘,室外红外探测器价格,双鉴红外感应器厂家
深圳市世宁科技有限公司销售一部 2021-08-23
RFID超高频读写模块高性能远距离读卡器多通道模块电子标签读写器
产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,核心部件采用 R2000 为核心平台,R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,行业内最强,每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率(端口) 33dbm±1dbm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dbm):8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
粒子束激发磁光谱-测试服务及设备
可以量产/n该项目来源于国家自然科学基金、科技部对俄合作专项、一带一路专项。目前测试服务用户40 多个,来自国内20 个省市、国外个别单位。投产后年产值可达600-800 万元,净利润150-200 万元。主要技术指标:(1)紫外磁光谱:提供紫外偏振光谱、磁圆二向色性、磁圆偏振荧光谱测试服务,磁场1.5T,温度12-300K,波长380-980nm。设备为自研,可生产紫外磁光谱仪。(2)深紫外磁光谱:研发100-300nm
武汉大学 2021-01-12
“ KV/MV” 同源双束医用 IGRT 加速器
1 成果简介放射治疗是主要肿瘤治疗手段之一。我国目前每年有共计约 200 万肿瘤患者需要接受放射治疗,目前国内装备的直线加速器只能满足其中约五分之一左右的需求。据专家估计现在全国每年新增的医用直线加速器数量应该近 150 台,年均增长率近 15%左右。目前国内的放射治疗直线加速器市场尤其是中高端市场基本被三家跨国公司瓦里安、医科达和西门子所占据, 100%的中高端以及 60%以上的低端市场都被国外公司占据。 现代放射治疗需要影像引导,医用加速器与影像设备一体化是革命性发展方向。近年来,影像技术和计算机控制技术有了长足的发展,国外发展了称之为影像引导放疗( ImageGuided Radiation Therapy, IGRT)的技术和设备。医科达的 Synergy以及瓦里安的 OBI等 IGRT加速器一经推出,就迅速普及推广。 但是,目前国际上放疗加速器厂商的 IGRT 设备,都分别存在各自技术缺陷。医科达的Synergy 以及瓦里安的 OBI(图 1 右下),都是使用 MV 级射线治疗,同时,与治疗射线束轴 90 度方向另加一套 KV 级 X 射线影像系统的方式来实现 IGRT。这种结构除了增加制造成本外,非同源影像所反映的治疗靶区运动变化情况也有先天的致命缺陷,无法保证治疗空间坐标和成像空间坐标的一致性,带来治疗误差;西门子的 MVision(图 1 左上) 以及Tomotherapy 公司的 Hi-Art 则利用治疗用的 MV 级射线成像,解决了同源问题,但由于 MV级射线能量高,无法得到高质量图像。“ 同源” 结构, KV 级射线的影像,成了几家主要厂商的无奈取舍,“ KV/MV 同源双束” 加速管技术就是解决以上问题的完美组合。各厂家近十年来均非常重视“ KV/MV 同源双束” 加速管技术的研发。  图 1 几种 IGRT 技术的对比 清华大学 2006 年 12 月承担了十一五科技支撑计划 “ 放射治疗及与影像定位一体化装置的研制” 课题,经过两年多的攻关,发明了国内外尚没有的“ KV/MV 同源双束” 加速管,并制造出能稳定出束,快速切换高能和低能的“ KV/MV 同源双束” 加速管,高能 6MV,低能达 500KV,其他指标亦完全符合设计要求,并研制出“ KV/MV 同源双束” IGRT 加速器样机。 2009 年该课题通过科技部、卫生部验收。2 技术指标3 应用说明本设备可以在病人每个射野照射治疗前进行 KV 级图像配准,验证位置误差,实现精确放疗。由于同源,定位便捷精确, KV 级影像带来的高质量影像,也完全满足位置验证的需求。该设备应用于我国千余家放疗单位(医院),还可出口海外。4 效益分析国外IGRT加速器售价在 1000~2000万元/台,本设备成本约 200万元,预计售价500~1000万元,预计年销售 30~50 台,年销售额约 3 亿( 2008 年 Varian 公司全球放疗销售额 17 亿美元)。技术创新、自主知识产权的国产医用 IGRT 加速器产业化成功,不仅可以改变我国中高端医用加速器长期依赖进口的局面,还可出口海外市场,其经济、社会效益极大, 推广前景广阔。5 合作方式清华大学目前正进行产品化工作,寻求战略投资及合作伙伴。
清华大学 2021-04-13
脑干脑神经核传导束XM-655
XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成,显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸:放大 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-655脑干脑神经核传导束
XM-655脑干脑神经核传导束   XM-655脑干脑神经核传导束由6部件组成,显示脑干脑神经核及脑神经、锥体系传导束、锥体外系、浅深感觉传导束、视听觉和深感觉传导束、深感觉前庭传导束和脊髓小脑束等结构形态。 尺寸:放大 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一,具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点,能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求,正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比,目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上,从而减少甚至取消冷却系统,大幅度降低系统体积和重量,因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验,能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管(图1,有源区面积0.9mm2);4000V/30A的SiC PiN二极管(图2);击穿电压>5000V的SiC JBS二极管(图3)。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件:(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件:(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件:(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 67 68 69
  • ...
  • 283 284 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1