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XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型
XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型   XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型演示面神经、舌下神经的核上下瘫和皮质核束的正常通路。   一、显示内容: ■ 椎体系:演示由中央前回和中央旁小叶前部的巨型椎体细胞和其他类型的椎体细胞以及额、顶叶部分区域的椎体细胞的轴突共同组成椎体束,其中一部分下行至脊髓的纤维束,另一部分止于脑干脑神经运动核的纤维束。 ■ 面神经核核上瘫:演示核上运动神经元受损,产生对侧眼裂以下的面肌瘫痪,表现病灶为对侧鼻唇沟消失,口角低垂并向病灶侧偏斜,流涎,不能鼓腮、露齿等。 ■ 面神经核核下瘫:演示面神经核核下神经元受损,可致病灶侧所有面肌瘫痪,额横纹消失,眼不能闭,口角下垂,鼻唇沟消失等。 ■ 舌下神经核核上瘫:演示舌下神经核核上神经元受损,可产生伸舌时舌尖偏向病灶对侧。 ■ 舌下神经核核下瘫:演示舌下神经核核下神经元受损,可产生全部舌肌瘫痪,伸舌时舌尖偏向病灶侧。   二、技术参数: ■ 尺寸:34×34×81cm ■ 材质:PVC材料+木框   三、标准配置: ■ XM-D023锥体系(皮质核束)电动模型:1台 ■ 电源线:1根 ■ 说明书:1册 ■ 保修卡合格证:1张
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
视听觉和深感觉传导束XM-655D
XM-655D视听觉和深感觉传导束   XM-655D视听觉和深感觉传导束,视觉传导鼻侧视网膜投射纤维为深蓝色,颞侧视网膜投射纤维为黄色,除表示视觉传到外,尚包括缩瞳等反射通路,听觉传导以草绿色表示,主要显示听的传道及其与顶盖的联系。 尺寸:放大,40×60×60cm 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
XM-655D视听觉和深感觉传导束
XM-655D视听觉和深感觉传导束   XM-655D视听觉和深感觉传导束,视觉传导鼻侧视网膜投射纤维为深蓝色,颞侧视网膜投射纤维为黄色,除表示视觉传到外,尚包括缩瞳等反射通路,听觉传导以草绿色表示,主要显示听的传道及其与顶盖的联系。 尺寸:放大,40×60×60cm 材质:优质铁丝
上海欣曼科教设备有限公司 2021-08-23
一种电子封装用SIC∕A1复合材料的制备方法
SiC/Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、低密度等优异的综合性能,在电子封装领域具有广阔的应用前景。目前广泛采用工艺复杂、设备昂贵的压力浸渗制备 SiC/Al 复合材料。课题组在历经近十年的研发过程中,采用无压浸渗法在空气环境下,成功制备出了电子封装用 SiC/Al 复合材料。该制备技术工艺过程简单,设备要求不高,成本低廉,所制备的复合材料的热物理性能可在较宽范围内调节,具有较好的市场应用前景。于 2010 年获得国家发明专利授权。
西安科技大学 2021-04-11
通信感知一体化氮化镓光电子集成芯片
研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一,也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机,大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石,目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小,芯片内晶体管单元已经接近分子尺度,半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展,急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级,带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象,已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求,因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样,当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时,光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进,光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路,光子芯片有超高速率,超低功耗等特点,利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片,具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片,基于量子阱二极管发光探测共存现象,探索关键微纳制造技术,研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象,首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片,这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注,化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术,在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下,InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计,无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例,其外延片结构如图2所示,从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层,通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数(层厚度与In的比例等等)可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术,制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连,光线从透明的蓝宝石衬底发出,这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短,不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合,提升感知系统性能,而且缩小了器件整体外形,符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势; 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺,不再需要对LED和PD进行单独的封装,而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一,极大地缩短了集成系统的制作周期; 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD,简化了生长异质材料的复杂性,缩短了器件流片的周期,使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产,有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台,并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验,能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图,从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片,本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能,如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片,我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统,如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时,实现对外界光信号的探测与感知,通过后端系统处理后,再将信息通过阵列显示出来,实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者,他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文,获授权中国发明专利23项,美国发明专利2项,被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道,荣获2019年中国电子学会科学技术奖(自然科学)、2019年南京市十大重大原创成果奖等。
南京邮电大学 2021-05-11
一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法
本发明公开了一种可提高延展性的柔性电子流体封装方法,包 括:制得下层和上层封装结构,这两个封装结构保持对称并在其中央 部位各自具有凹陷延展的区域;制作延性互连结构,该延性互联结构 的整体呈波形分布的曲线结构;将上下层封装结构对应贴合,同时将 延性互连结构封装在中空微腔体中;最后,将绝缘性流体注射至微腔 体内,使其完全填充微腔体并包裹所述延性互连结构,由此完成整体 的流体封装操作。通过本发明,能够显著提高互连结构的拉伸延展性 能,避免面外翘曲现象,并在便于质量操控的同时有效提高互连结构 的稳定性。 
华中科技大学 2021-04-11
关于原位电子显微学法研究锂电池离子迁移的方法
包括Li离子在SnS2中的迁移(Nano Lett 16, 5582,2016),Na离子在SnS2中的迁移(Nano Energy 32, 302,2017),Na离子在MoS2中的迁移(ACS Nano 9, 11296,2015)。这些具有van der Waals相互作用的二维材料,不仅仅展现出了优异电学、力学、光学性能,也是重要的能源存储材料。作为电池电极材料,van der Waals相互作用系统的最主要特征就是层间相互作用很弱,碱金属离子能够比较容易地在其中发生迁移。他们的研究发现,在二维材料中离子插入和拔出的反应路径是不对称的,这种不对称的反应路径对应着充放电过程中不对称电压平台。该研究揭示了这些层状锂电池电极材料中低能量效率的一个根源。
北京大学 2021-04-11
起重机械安全作业电子监控系统及网络化(SEEMS)
本项目旨在研究与开发建筑用塔式起重机电子化安全监控系统,对塔机本体实现安全监控和危险动作制止;并在此基础上构建面向监管部门的无线通讯网络的监控平台,实现塔机作业区域化安全管理和监督;监控平台配套相关技术标准和实施规范。从而为政府监督和执法提供科技手段,有效遏制大事故,减少一般性安全事故,保障人民群众生命和财产安全,构建安全、稳定、和谐的社会与生产环境。 本项目集成机械、软件、通信、电子、控制等领域技术知识,结合无线通信网络,实现对特种设备的实时监控,支持远程控制、报警、故障诊断、短信通知等功能;具备强大的数据库管理功能,支持多设备、多用户的网络化管理,提供Internet接入服务;应用智能化、模块化的设计思想,具备兼容性,可适应不同特种设备的监控,并支持断电和人为破坏保护功能。
大连理工大学 2021-04-13
一种基于基础地理信息数据的电子地图制图方法
本发明公开了一种基于基础地理信息数据的电子地图制图方法,主要步骤包括:标准化基础地理信 息数据;配置符号及注记的金字塔规则;配置基础地理信息数据目录;导入基础地理信息数据;按照符 号及注记的金字塔规则进行符号化及注记配置;导出电子地图的栅格瓦片;本发明提供了一种方法易行, 配置效率高,能够满足普通栅格式电子地图成图的制图方法。
武汉大学 2021-04-13
大容量碳化硅电力电子产品研发及产业化
已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下,株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、测试条件均已完备,可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比,SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强,以及高热导率等优异物理特点,是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。
中国科学院大学 2021-01-12
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