本发明属于柔性器件制造相关领域，并公开了一种具备电场自 适应特性的柔性电子电喷印设备，其包括 XYZ 三轴运动模块、电喷印 模块和可变电场模块，其中该XYZ三轴运动模块用于控制电喷印模块 与可变电场模块的空间位置，进而控制阵列喷嘴的位置;该电喷印模 块用于喷出高速带电溶液到基板上制备柔性电子，该可变电场模块则 用于提供可变化的电场，进而由电场控制阵列喷嘴喷出的液滴或射流 在基板上的落点。本发明还公开了相应的工艺方法。通过本发明，整 个柔性电子制造工艺过程可实现电场的自适应协调，并

本发明公开了一种能够直接产生动态强调标识图案的电子教鞭， 包括外壳以及安装在外壳上的第一激光输出组件，外壳的左端设置有 左出光口，第一激光输出组件包括第一安装板、转轴、第一光栅镜片、 第一激光发射器和转轴驱动装置，第一安装板固定安装在所述外壳的 内壁上;转轴可转动安装在第一安装板上，其上固定安装所述第一光 栅镜片;转轴驱动装置用于驱动所述转轴旋转;第一激光发射器安装 在第一安装板上;第一光栅镜片用于透射和衍射第一激光发射器发射 的激光，从而使透射和衍射后的激光从左出光口发出并屏幕上显示的 图形呈圆形

本发明公开了一种基于标识密码技术的电子护照扩展访问控制系统及鉴权方法。密钥服务中心提供密钥服务；护照验证中心提出阅读敏感生物特征信息权限的申请，密钥服务中心颁发授权智能卡进行授权，护照验证中心将授权智能卡分发给所管辖的验证终端；护照发放中心向密钥服务中心申请鉴权的认证密钥及公开参数，并将认证密钥及公开参数写入到电子护照的护照智能卡中。在验证护照时，授权智能卡和护照智能卡之间进行基于标识密码算法的鉴权协议，判断验证终端是否有权阅读敏感生物特征数据。本发明能克服欧盟方案中授权信任传递的漏洞，不需建设复杂

本发明公开了一种叠层母排，其由 9 层子排组成，通过将第一 绝缘子排(1)、第二连接子排(2)、第二绝缘子排(3)、正子排(4)、第三绝 缘子排(5)、负子排(6)、第四绝缘子排(7)、第一连接子排(8)、第五绝缘 子排(9)按从下至上的叠放次序，将各子排中各组绝缘开孔对正，而后 经压合固定成一体。本发明实例还提供了相应的高压固态电力电子开 关结构。本发明结构紧凑，空间利用率高，采用导体片代替导线并使 用相叠连接，极大的减少了线路寄生电感，平行导体片连接半导体开 关器件的不同电极，额外形成了极间缓冲

本发明公开了一种基于光电子全息成像探测原子结构的方法，通过测量强激光作用于原子电离产生的光电子动量谱，分析其中的干涉结构，可以获取原子散射振幅的相位信息。包括：利用高强度的飞秒激光电离原子，测量电离得到的光电子的动量谱。分析测量到的动量谱，从全息干涉图中提取原子散射振幅的相位信息。由于目前还没有探测原子散射振幅相位信息的有效方法，本发明提出的方法将在全面认识原子结构方面有重要的应用价值。

本发明公开了一种适用于柔性电子制备的多功能气压控制系统， 其包括气源调节单元、信号处理单元和信号反馈单元，气源调节单元·115·包括气源组件、电磁阀组件、电控调压阀组件和气压输出口，气源依 次经过气源组件、电磁阀组件和电控调压阀组件，并由气压输出口输 出；信号处理单元包括信号处理器、电磁阀控制器和调压阀控制器， 信号处理器用于处理控制信号，电磁阀控制器用于控制气路的通断， 调压阀控制器用于调节气压；信号反馈单元包括温度传感器和气压传 感器组件，其用于将气压校正值反馈给信号

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

刘奇航及其合作者以最近由中科院物理所领衔的研究团队发现的ZnCu3(OH)6BrF为例，采用修正后的单体平均场密度泛函理论方法，对这一体系的本征和掺杂行为进行了详尽的模拟。研究发现，ZnCu3(OH)6BrF掺杂后，掺入的电子并没有成为期待的“自由载流子”，而是局域在一个铜原子周围，引起了局域形变。这种电子与束缚它的晶格畸变的复合体称为极化子（如图一所示）。本征材料的带隙中形成新的电子态。因此，电子掺杂后，ZnCu3(OH)6BrF并没有实现半导体到导体的转变。相比之下，具有类似CuO4局部环境的铜氧化物高温超导体的母体材料Nd2CuO4显现除了不同的随掺杂浓度变化的导电性。研究发现，低掺杂浓度时，铜原子附近形成较为扩展的极化子，因此在高掺杂浓度时，这些极化子之间的跃迁可以使系统导电性大大增加，实现半导体到导体的转变，与实验观测很好地吻合。 该研究圆满地解释了最近实验上观测到的Kagome晶格的锌铜羟基卤化物在掺杂后并不导电的现象，指出要在量子自旋液体实现超导，仅仅找到量子自旋液体体系是远远不够的，还必须实现有效掺杂，注入一定浓度的“自由载流子”，为耕耘在该领域的实验工作者提出了新的挑战和实验方向。

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主要功能：实现单频和双频的大功率太赫兹波输出。 ？ 应用领域：在主动探测、雷达、通信、材料的线性和非线性特性、高密度等离子体特性研究、增强核磁共振技术和放射性材料遥测等方面具有极其重要应用前景。 ？ 特色及先进性：在双电子注同轴腔回旋管中，一根电子注工作在基波，另外一根电子注工作在高次谐波，利用两个电子注与电磁波间的非线性耦合，实现双频大功率太赫兹波输出。 ？ 技术指标：工作频率110/220GHz；输出功率：20kW。