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高等教育领域数字化综合服务平台
关于印发《关于扩大赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权试点范围的实施方案》的通知
为进一步深化科技创新体制机制改革、促进科技成果转移转化，深入推进赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权试点工作，现将《关于扩大赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权试点范围的实施方案》印发给你们，请结合实际认真贯彻执行。
江西省科技厅
2024-12-09
关于举办建设教育强国·高等教育改革发展论坛之平行论坛“高等教育数字化发展的实践与创新”的通知
经教育部批准，中国高等教育学会决定在吉林省长春市举办“建设教育强国·高等教育改革发展论坛”（以下简称“论坛”）。论坛由1个主论坛和14个平行论坛组成，“高等教育数字化发展的实践与创新”是平行论坛之一。
中国高等教育学会
2025-04-27
关于印发《国家重点研发计划资金管理办法》的通知
为规范国家重点研发计划（以下简称重点研发计划）资金管理和使用，提高资金使用效益，根据《中华人民共和国预算法》及其实施条例等国家有关财经法律制度以及中央财政科研经费管理有关政策要求，结合重点研发计划管理工作实际，制定本办法。
财政部
2025-01-27
报名中 | 平行论坛“高校实验室建设与发展”的通知
“高校实验室建设与发展”报名中
中国高等教育学会
2025-05-14
关于举办第63届高等教育博览会的通知
为深入学习贯彻全国教育大会精神，落实《教育强国建设规划纲要（2024—2035年）》要求，服务高等教育强国建设，推进教育科技人才一体统筹发展，经教育部批准，中国高等教育学会决定在吉林省长春市举办第63届高等教育博览会（以下简称“高博会”）。
中国高等教育学会
2025-03-20
论坛观点聚焦 | 平行论坛：标准引领的“双一流”建设
5月23-25日，建设教育强国·高等教育改革发展论坛在长春举行。高水平大学书记校长、顶尖专家学者、创新型企业家等，齐聚一堂，共同开展教育领域重点难点问题大讨论，促进最活跃、最前沿思想的“交流碰撞”，实现“同题共答”、经验共享。
中国高等教育学会
2025-06-06
基于聚焦离子束－扫描电子显微镜双束的材料微纳结构精确三维重构技术
基于聚焦离子束－扫描电子显微镜双束(FIB-SEM)的切割－扫描操作, 能够使材料的微纳结构在三维空间的精确重构得以实现。经过多年经验的积累，已开发出一套针对拥有复杂微纳结构的金属陶瓷复合材料进行三维重构的技术解决方案。该技术在固体氧化物燃料电池领域，为固体多孔电极材料的微纳尺度精确定量分析提供了有力的技术支持。作为本领域的知名专家,美国西北工业大学的 Scott A. Barnett 教授曾在国际 SOFC 领域规模最大的年会 International Symposium on SOFC 中重
哈尔滨工业大学
2021-04-14
由我司提供技术支持的2023年河南省电子商务职业技能竞赛决赛在淇县圆满收官
由我司提供技术支持的2023年河南省电子商务职业技能竞赛决赛在淇县圆满收官
郑州京慧越科技有限公司
2024-03-06
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10