一种枣类收获装置，包括机架和机架上安装的采摘机构，采摘机构包括采摘基座，以及安装在采摘基座上的采摘组件；所述采摘组件包括采摘支架和采摘器，所述采摘器包括设置有多个梳齿的转轴；所述采摘组件设置有两个，分别安装在采摘基座两侧。枣类收获装置通过采摘器设置的梳齿，对树枝进行梳理，树枝不易折断和损伤。采摘组件设置两个，旋转方向相反，能够将果实向内侧波扫，扫向采摘支架之间的收集空间，使收集的果实集中后再向下掉落，减小了果实采摘时掉落的分布面积，进而减小了收集装置的分布面积，降低了设备的面积占用，使枣类收获装置能够在果树间距较为密集的果园中使用，并且降低了果实落地摔坏的概率，提高了经济效益。

习惯上的认知，干燥都是通过温度而进行的，所以就有了烘干一说。对于大部分的物料干燥，并不一定需要将温度升的很高，升高温度只是影响脱水的速率，所以使用者都习惯使用高温的方法来干燥物料。 物料干燥是许多工艺过程中必不可少的工序，每脱附 1kg 的水，能耗至少是0.72kW，这仅仅是水的蒸发潜热所需要的热量，还不包括由于装置的散热而带走的热量，加热效率而损失的热量以及将湿气排走的风机消耗的功率。在此暂且按每脱附 1kg 的水，能耗 1.0kW，计算，因此该工艺也就成了名副

模型泵叶轮直径 300mm， 转速 1450r/min， 流量 260L/s—370L/s， 扬程 2.0m—8.0m， 泵装置效率 71%以上， 汽蚀比转数≥1000。

项目简介：一种模拟电池装置，它由 O 形密封圈、套筒、电极、螺帽 组成，套筒为圆柱形，内为圆柱形空腔，套筒两端的内侧开有一圆槽，下 电极的形状类似铆钉，其直径与套筒的内径相配合，上电极的形状类似于 砝码，其较粗部分的直径与套筒的内径相配合， 而较细部分则可用作引线； 上螺帽和下螺帽通过螺纹与套筒连接；该装置即可用于各种电池，如有机 电解质体系的锂离子电池的测试， 也可用于超级电容器的测试，

本实用新型涉及挖掘根茎类农作物的机械，尤其是一种滚动收获装置。包括机架、拨菜轮和挖掘铲，拨菜轮位于挖掘铲的上方，其中，挖掘铲呈圆盘形；还包括挖掘铲架、拨菜轮位置调节装置和挖掘铲角度调节装置，拨菜轮、拨菜轮位置调节装置、挖掘铲架和挖掘铲角度调节装置均设置在机架上，拨菜轮与拨菜轮位置调节装置连接，挖掘铲与挖掘铲角度调节装置连接，挖掘铲和挖掘铲角度调节装置均设置在挖掘铲架上，挖掘铲架的两侧分别设置挖掘铲；所述挖掘铲角度调节装置包括调节支架、圆头螺钉、调节块和调节连杆，挖掘铲架的一端分别与两侧的挖掘铲连接，挖掘铲架的另一端与调节支架铰接。避免了挖掘铲对根茎类农作物的损坏或漏采，大大提高了收获率。

本实用新型公开了一种分层施肥装置，包括第一施肥组件和第二施肥组件，第一施肥组件和第二施肥组件的入肥口均与肥料箱相连通，第二施肥组件出肥口位于第一施肥组件出肥口的上方位置，第一施肥组件出肥口和第二施肥组件出肥口的前侧设置有开沟铲，开沟铲可在土壤中开设排肥沟。本实用新型的分层施肥装置可对土壤进行分层、多维度施肥，以增强种子对肥料的吸收效果，利于种子后续的发芽、成苗等过程；提高肥料的利用率，不仅减少肥料的浪费，且更加环保，缓解或避免土壤的板结，通过设置检测和调节装置，使分层施肥装置的施肥深度可根据地面高度的变化自行进行调节，从而保证施肥深度的统一和稳定，有利于提高施肥效果。

产品详细介绍贮气装置

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

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