成果描述：本发明公开了一种基于压电分流阻尼技术的液压管路流体脉动衰减装置,衰减器(31)的中部为一长方体密封腔体，腔体的左右两端分别具有流入液压流体的进口圆管(1)和流出液压流体的出口圆管(11)，进口圆管(1)和出口圆管(11)的部分伸入衰减器腔体内；腔体内表面的上部和下部分别设置有PVDF压电薄膜，PVDF压电薄膜上置有将其两面引出密封腔体外与外部形成电连接的引出线。本发明利用主动滤波衰减低频脉动，被动滤波衰减中、高频脉动，将主、被动滤波结合，既可保持液压系统原有的动特性，又可在较宽频带内提高脉动衰减效果。市场前景分析：机械工程领域。与同类成果相比的优势分析：技术先进，性价比较高。

本实用新型提供一种用于外泌体分离、富集和检测的微流体芯片，包括底板、顶板以及位于所述底板和顶板之间的检测板，所述检测板内设有液体检测腔，所述液体检测腔能够将尿液中的外泌体收集于其中，并达到检测的要求。本实用新型通过芯片收集后利用ELISA检测方法进行检测，可用于检测尿液样本或膀胱癌细胞系培养液上清中外泌体的含量，具有高度特异性的特点。本实用新型对排出人体之外的尿液进行收集，不会对人体造成任何影响或创伤，也不需要昂贵且精密的实验仪器（如超速离心机、荧光显微镜），具有很大的应用前景。

本发明公开一种测量流体三维流动信息的装置，该装置包括单 片机和三个二维测量单元，各二维测量单元均安装在三维测量基座上， 三个二维测量单元中心轴线两两互相垂直，每个二维测量单元用于一 个平面的二维流动信息;单片机利用各二维流动信息合成得到三维的 流动信息。本发明为海洋湖泊等水下环境监测、中高空流体环境监测 等领域提供了一种实时获取空间流体三维信息的新方法。采用本发明 还可以为水下机器人、潜艇等水下航行器，模型飞机、无人机、载人 飞机等低、中、高空飞行器提供外围局部流场实时监测。

本实用新型公开一种测量流体三维流动信息的装置，该装置包括单片机和三个二维测量单元，各二维测量单元均安装在三维测量基座上，三个二维测量单元中心轴线两两互相垂直，每个二维测量单元用于一个平面的二维流动信息；单片机利用各二维流动信息合成得到三维的流动信息。本实用新型为海洋湖泊等水下环境监测、中高空流体环境监测等领域提供了一种实时获取空间流体三维信息的新方法。采用本实用新型还可以为水下机器人、潜艇等水下航行器，模型飞机、无人机、载人飞机等低、中、高空飞行器提供外围局部流场实时监测。

本发明公开了一种基于压电分流阻尼技术的液压管路流体脉动衰减装置,衰减器(31)的中部为一长方体密封腔体，腔体的左右两端分别具有流入液压流体的进口圆管(1)和流出液压流体的出口圆管(11)，进口圆管(1)和出口圆管(11)的部分伸入衰减器腔体内；腔体内表面的上部和下部分别设置有PVDF压电薄膜，PVDF压电薄膜上置有将其两面引出密封腔体外与外部形成电连接的引出线。本发明利用主动滤波衰减低频脉动，被动滤波衰减中、高频脉动，将主、被动滤波结合，既可保持液压系统原有的动特性，又可在较宽频带内提高脉动衰减效果。

本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明公开了一种基于SOI封装的六轴微惯性器件，包括单片集成的六轴微惯性器件、玻璃衬底、金属电极、金属引线、SOI盖帽和SOI密封墙；六轴微惯性器件通过阳极键合工艺键合在玻璃衬底上；金属电极为一个以上，均匀设置在玻璃衬底一侧，金属电极通过金属引线与六轴微惯性器件相接，SOI盖帽设在玻璃衬底正上方，SOI密封腔设在SOI盖帽和SOI密封墙之间，形成空腔结构；每个金属电极正上方的SOI盖帽上设有梯形电极孔，梯形电极孔正下方的SOI密封墙上设有垂直贯通；梯形电极孔、垂直贯通与金属电极一一对应。本发明具有全解耦、质量小、结构精巧、成本低和便于批量生产等优点，在单个器件内同时实现了对三轴的加速度和角速度的检测，应用范围广，有着良好的市场前景。

本发明属于电子元器件的封装设备技术领域，并公开了一种用 于片式元器件编带封装的双路同步热压装置，包括水平工作台、热压 机构、驱动机构和调距机构等，其中热压机构被设计为双路结构，并 用于实现料带的封合，保证压力的一致性，进而完成料带的良好热封； 驱动机构用于驱动热压机构实现垂直方向的上下运动；调距机构用于 调节工作台两侧的间距以及两侧压头的间距，进而实现适应不同宽度 的料带的热封。通过本发明，能实现单侧压头的温度均匀分布，两侧 压头温度和压力的一致性以及不同宽度的料带的良好热封，同时具备 结构紧凑，便

本发明公开了基于同时封装靶物质并合成具有氧化还原活性MOFs的制法，选用亚甲基蓝作为有机靶分子，通过一锅法在合成MOFs的同时将亚甲基蓝封装在内，得到亚甲基蓝修饰的ZIF-8，克服上述MOFs材料不具有电传导能力的缺陷，本发明方法简单，快速、成本低，制备产物可对多巴胺进行准确、灵敏、简便、快捷的探测，为生物检测、化学分析等领域的研究提供了一种新的发展方向。金属有机框架材料（MOFs）是一类由金属离子(簇)与有机桥联配体连接而成的具有纳米孔穴的超分子晶体材料。有着很多优异特点：比表面积超大，孔径和拓扑结构可以调控，热稳定性、化学稳定性很好，因此，金属有机框架材料比其他材料有着广阔的发展前景。可以调控的孔径以及拓扑结构使得金属有机框架材料在生物、化学传感方面有着广阔的应用前景，此外，人们已经研究了金属有机框架材料在催化剂、气体储存、吸附与分离、药物缓释等诸多方面的应用。