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江西联创宏声电子股份有限公司
江西联创宏声电子股份有限公司是国家高新技术企业，中国电子元件百强企业。公司总部位于江西省南昌市国家高新技术开发区；在南昌、吉安、泰和、万安等县市建有现代化生产基地。现有员工4000余人。
公司实施ISO9000、ISO14000、OHSAS18001、QC080000国际标准体系，并通过了第三方认证。
公司专业研发、制造和销售军民用智能声学穿戴产品。主要产品有：立体声蓝牙、蓝牙+降噪耳机、TWS耳机、TYPE C耳机、有线耳机、复合膜高端扬声器、声腔扬声器、双磁路动圈扬声器、跑道型弹片扬声器、声腔-BOX、送受话器组头盔、头戴、通讯帽、抗噪声耳罩、麦克风等。
公司产品广泛应用于智能手机、平板、电脑等移动终端，安防、智能家居、医用电子等智能AI和穿戴类物联网设备以及汽车、航天、航空通讯领域
公司主要客户有华为、vivo、三星、亚马逊、松下、富士康、TCL、中兴、比亚迪、魔声、哈曼、魅族、傲基等国内外知名IT企业，在用户和业界享有良好声誉。
公司技术力量雄厚，有一流的研发团队，分别在北京、上海、深圳、南昌设立研发机构，拥有200多项技术专利。
公司引进了世界先进的生产设备，建有自动化流水生产线，掌握先进的制造技术，形成了年销售发货二十亿元人民币的生产规模和能力。
公司拥有高水平的管理人才，推行先进的管理模式，建有产能提升、成本评估、物料控制等功能团队。
江西联创宏声电子股份有限公司
2021-11-02
电力电子模型仿真实训平台YXPEP-PSCA-200
传统的方式对嵌入式算法的编写以及实物调试都有比较高的要求，控制板性能有限、底层代码编写学习成本高、硬件资源调用不直观、算法实现与代码调试不方便，因此需要耗费学生与科研人员大量的时间与精力。
采用快速控制原型（RapidControlPrototyping简称RCP），那么就可以高效的、便捷的完成了前期算法的验证，研旭推出的电力电子仿真系统只需在MATLAB的Simulink搭建控制算法模型，下载到RCP控制器中，即可实现控制过程。
本系统将RCP控制器与可定制的功率硬件、电机结合在一起，通过模块化的方式，便于搭建各种不同类型的功率变换系统，非常适合高校、科研院所进行电力电子装置级和系统级的控制算法的验证。
系统同时可集成各类测试电源和检测仪器，一体化的结构，让学习开发更为方便省力。
系统特点：
更方便，更易上手
在Matlab中设计的控制算法自动生成代码，自动加载到实时目标机中运行，避免了繁琐的编程和Debug工作；
使用门槛低，会Matlab仿真即可完成实验测试工作，所有测试工作只需一人即可完成。
更灵活，更开放
硬件模块化设计，多种拓扑结构的功率硬件可选，同时，可根据需求定制各种不同的功率硬件，拓扑结构、功率级别、传感器的数量位置等均可以变化；
软件模块化设计，算法编程和监控全部采用基于模型的可视化设计方法，提供各类验证过的算法模型，可直接组合调用，大大缩短研发时间。
更可信，更可靠
功率级的算法验证，完美复现实际系统，具有很高的可信度；
采用高可靠性的功率模块和经过完善测试的接口模块，故障率低；
具备软件保护和硬件保护双重保护，安全性高；
具备数字仿真和物理电路双重验证，设计更灵活，实验数据更具说服力。
南京研旭电气科技有限公司
2022-07-22
多驱动力作用下超高层建筑疏散走廊火灾烟气输运规律研究
针对高层建筑在多驱动因素影响下的火灾烟气蔓延特点和扩散规律，研究获得了多驱动力作用下火灾烟气的运动规律，形成了较为完善高层建筑火灾烟气输运理论；获得了高层建筑固定防排烟系统关键设计参数，推动规范的优化调整；研究了以正压送风排烟为核心的“固移结合”排烟技战术，建立了成体系的建筑火场烟气控制技术。项目研究形成了对公安行业科技工作具有非常典型示范作用的“理论+实验+实战应用”科研范式；项目成果的广泛应用，促进了烟气控制领域行业标准的优化升级和实战能力提升，并持续推动公共安全行业教学与科研工作的深入发展。
中国人民警察大学
2021-05-03
一种直流电机的驱动－调速一体式约束预测控制方法
本发明公开了一种直流电机的驱动?调速一体式约束预测控制方法，本发明将这种驱动?调速一体式的控制技术应用于直流电机，首先利用广义比例积分观测器技术在串级电路和转速的光电编码器采集的转速信息的基础上对系统的集总干扰进行估计，得到重构后的集总干扰信息，结合模型预测控制相关技术设计出针对直流电机的带输入约束的输出反馈控制器，在保证系统动态响应性能的基础上，因为不需要使用电流、电压以及转矩传感器，降低了系统的成本，提高了系统容错能力，同时可以明显地抑制参数摄动和负载转矩突变等因素引起的干扰，从而大大提高直流电机系统的输出转速的控制精度和干扰抑制能力。
东南大学
2021-04-11
一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法
本发明公开了一种毛细管力驱动制备的微腔量子点激光器及制备方法，所述激光器包括上基板及其下表面的布拉格反射镜、热封膜和封口、下基板及其上表面的布拉格反射镜、量子点增益材料和激光泵浦源；所述热封膜将具有布拉格反射镜的上、下基板紧密的热封在一起，形成微腔用于容置量子点增益材料，热封膜两端封口处用紫外固化胶密封；所述量子点增益材料采用浓度为50?120 mg/ml的高浓度量子点溶液。本发明的量子点激光器件波长可随着量子点尺寸变化进行调制，制备工艺简单，重复性和稳定性较高。激光器在短波激光泵浦下有很好的光增益，且相干性很好，出光波长可随量子点发光峰位置在全可见光谱范围调节，制备成本低并易于实现大规模产业化生产。
东南大学
2021-04-11
强激光驱动电容器靶产生百太瓦孤立阿秒脉冲的新方案
超快光子束流可通过对组成物质的原子、分子和电子等微观粒子进行超高时空分辨率的测量和控制，实现对物质相关的物理、化学和生物医学等宏观过程的理解、应用和控制。时间尺度在10-18秒的阿秒光子束流，能够对电子进行实时探测和控制，为人类认识微观世界提供了全新手段，被认为是激光科学史上最重要的里程碑之一。世界先进国家都将阿秒科学列为未来10年激光科学最重要的发展方向。欧盟极端光学装置ELI(Extreme Light Infrastructure)项目三大装置之一，位于匈牙利的阿秒光脉冲源 (ELI-ALPS)研究中心的首要任务就是为国际科学界用户提供涵盖相干极紫外(XUV)、X 射线和阿秒脉冲的超快光子束流。 利用强激光与物质相互作用产生高次谐波是突破飞秒极限实现高亮度阿秒脉冲辐射的重要方案之一。在强激光与固体密度等离子体的相互作用中，由于两者之间的能量耦合效率较低，谐波辐射以低效率的相对论振荡镜（Relativistic Oscillating Mirror, ROM）机制为主，难以产生高能的孤立纳米电子层进行更高效率的相干同步辐射(Coherent Synchrotron Emission, CSE)。
北京大学
2021-04-11
一种离子风驱动的可同步处理多种污染物的空气净化器
本实用新型公开了一种离子风驱动的可同步处理多种污染物的空气净化器，包括物理过滤装置、低温等离子体产生装置和离子风动力装置，低温等离子体产生装置分为离子泵荷电加速区、电凝并区、电除尘氧化区和反电晕催化区；物理过滤装置采用导体网、粗效过滤网、高效过滤网和活性炭过滤网物理过滤，本实用新型采用离子泵荷电加速区、电凝并装置、电除尘氧化装置和反电晕催化区四处进行低温等离子体放电同时针对细颗粒物PM2.5、微生物气溶胶及VOCs、CO、NH3等毒害气态污染物进行一体化净化，能够高效捕集细颗粒物PM2.5，灭活微生物气溶胶，同时深度氧化处理VOCs、CO、NH3等毒害气态污染物，是一种集铺集氧化于一体的多污染物复合净化技术，提高室内空气净化效果。
浙江大学
2021-04-13
中国地质大学（武汉）研究团队利用大数据驱动机器学习重建地球大气氧化历史
大气氧化的过程和机制是宜居星球形成的关键。早期地球大气几乎无氧，经过至少两次主要增氧事件（元古宙早期GOE和元古宙晚期NOE）后，才达到了现今大气O2水平（21%）。
中国地质大学（武汉）
2022-10-14
一种基于伺服驱动加载的三维力传感器动态响应标定装置
本实用新型公开了一种基于伺服驱动加载的三维力传感器动态响应标定装置，包括标定装置工作台、传感器固定盘、传感器加载件、伺服加载系统和加载装置固定平台。所述装置工作台由顶板、立柱和底板组成，立柱底部设有调平器，顶板上部设有水平仪、下方安装传感器固定盘；三维力传感器的顶部和底部均具有螺孔，用于连接传感器固定盘和传感器加载件；标定装置工作台的X、Y、Z方向各具有一套伺服加载系统，分别安装在加载装置固定平台和工作台底板上；伺服加载系统包括伺服电机、减速器、联轴器、丝杆、轴力计和加载头。本实用新型装置适用于不同量程的力传感器，精度高，实现荷载的连续动态加载测量，使用效果好，便于推广使用。
浙江大学
2021-04-13
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10