浙江中医药大学是浙江省重点建设高校、高水平大学建设高校，是浙江省人民政府、国家中医药管理局、教育部共建高校。学校前身是始创于1953年的浙江省中医进修学校，1959年浙江中医学院成立，2000年整体迁至杭州市滨江高教园区办学，2006年更名为浙江中医药大学。习近平总书记在浙江工作期间曾来校视察指导，先后四次对学校作出重要指示批示，嘱咐学校解放思想、开拓创新，全面提高办学水平。在六十余年办学过程中，学校秉承“求本远志”校训，形成了“育人为本、学术至上”理念、“求真、求实”校风和“大医精诚、锐意创新”精神。 学校现有滨文校区和富春校区，占地面积1500余亩，下设22个教学单位，拥有附属第一医院（浙江省中医院）、附属第二医院（浙江省新华医院）、附属第三医院（浙江省中山医院）等3所直属附属医院，以及附属杭州市中医院、附属温州市中医院、附属宁波市中医院、附属省立同德医院等4所同质化管理附属医院。现有全日制在校生26000余人（其中硕博士研究生6000余人、学历留学生1600余人），教职工1600余人。学校是国家创新人才培养示范基地，拥有中国工程院院士、国医大师等一批国家级领军人才。 学校全力推进学科建设，不断提升科技创新和服务能力。在浙江省属高校中首批获得国家重点学科（中医临床基础），中医学入选浙江省登峰学科建设计划，中药学、中西医结合入选省优势特色学科建设计划。2024软科世界大学学术排名1000强中列690位（全国中医药院校第二位），6个学科进入ESI全球排名前1%。建有教育部医药基础研究创新中心和2个国家中医临床研究基地，拥有国家中医药管理局协同创新中心、浙江省重点实验室、浙江省哲学社会科学重点培育研究基地等省部级平台60个。获国家科技进步奖、国家技术发明奖5项，教育部高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）一等奖、浙江省科学技术一等奖14项。主办《浙江中医药大学学报》《CTMP》《浙江临床医学》《JIN》4种学术期刊。 学校聚焦立德树人，持续提升教育教学质量。是全国首批招收和培养中医药研究生的高校，在浙江省属高校中首批获得博士学位授予权和博士后科研流动站，开设了中医学、临床医学、口腔医学、中药学、护理学等医学类及相关本科专业33个。拥有11个国家级一流本科专业建设点、4个一级学科博士点、9个一级学科硕士点、11个专业学位点和3个博士后科研流动站。建有国家中医临床教学培训示范中心、国家级实验教学示范中心、国家级大学生校外实践基地等一批省部级以上教学平台和3个省级现代产业学院。获国家级教学成果奖5项。 学校发挥中医药特色，积极推进社会服务与对外合作交流。先后与省内外10余个市（县、区）开展战略合作，共建浙江中医药大学金华研究院（浙中实验室）、浙江中医药大学富阳研究院等7个地方研究院，设立技术转移中心、专家工作站等一批校地合作平台。学校是首批获得港澳台地区招生权、首批免试招收香港学生的高等中医药院校，建有浙江省来华留学生中医文化教育基地，招收来自60多个国家和地区的国（境）外学生。先后与美国、英国、捷克、日本等50余个国家及地区的170多个教育、科研、医疗单位建立合作关系，建有2所孔子学院、1所海外分校、4个海外中医药中心、1个国家特色服务出口基地（中医药）。 进入新发展阶段，学校将坚定不移以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，致力于建设特色鲜明、守正创新的一流中医药大学，为谱写中国式现代化浙江新篇章作出积极贡献。 （以上数据更新至2025年9月）

重庆大学2项成果喜获国家科学技术进步奖。周绪红院士主持完成的“高层钢-混凝土混合结构的理论、技术与工程应用”项目获国家科技进步奖一等奖，是学校牵头成果首次获该奖项一等奖，实现了零的突破，这也是重庆市时隔7年再次获得国家科技进步奖一等奖；土木工程学院肖杨教授参与完成的“河谷场地地震动输入方法及工程抗震关键技术”获国家科技进步奖二等奖。

中国海洋大学集成电路多功能实验基础平台、电子学院教学终端等设备采购项目招标项目的潜在投标人应在青岛市市北区敦化路138号甲西王大厦24楼23A01室或者邮件报名获取招标文件，并于2022年06月23日14点00分（北京时间）前递交投标文件。

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。