产品详细介绍

产品详细介绍

产品详细介绍产品名称:  EDA电子压力控制器产品型号:  EDA压力表，开关变送器一体化介质: 可兼容的液体或气体. 接液材质: 316L SS. 外壳: Glass filled plastic. 精度: ±1% of F.S. including linearity, hysteresis, and repeatability (indicator and transmitter). 稳定性: < ±2% of F.S. per year. 压力限制: Ranges up to 6,000 psi: 1.5 x range; 8,000 psi range: 10,000 psi. 温度限制: Ambient: 20 to 140°F (-6.6 to 60°C); Process: 0 to 176°F (-18 to 80°C). 补偿温度限制: 32 to 122°F (0 to 50°C). 热效应: ±0.05% of F.S./°F. 显示: 4-digit backlit LCD (Digits: 0.60"H x 0.33"W). 电源: 12 to 30 VDC/AC. 能耗: 2.5 watts. 电气连接: Removable terminal blocks with two 1/2" female NPT conduit connections. 封装等级: Meets NEMA 4X (IP65). 预热时间: <10 seconds. 安装方向: Any position. 重量: 1.18 lbs (535 g). 认证: CE and UL.  开关特性: 开关类型: 2 SPDT relays. 电气额定: 5 A @ 120/240VAC, 1 A @ 30 VDC. 重复性: ±1% of FS (switching only). 设定点: Adjustable 0-100% of FS. 开关指示: External LED for each relay on the front panel. 开关复位: Manual or Automatic.  变送器特性: 输出: 4-20 mA, 1-6 VDC, 1-5 VDC, 0-5 VDC, or 0-10 VDC (direct or reverse output selection). 最小激励电压: 14 VDC. 零满调整: Menu scalable within the range 显示单位: psi, kg/cm², bar, in Hg, ft w.c., kPa, MPa, %FS, in w.c., mbar, cm w.c., mm Hg, or oz/in² (choices depend on range).测试方式: Simulates input over the range without pressuring to easily test switches and transmitter output feature.故障保护: For sensor failure, over pressure, high temperature limit, low temperature limit, or keypad short. User chooses if relay is de-energized, energized, or no action. With transmitter option, user chooses an output of 3.6 mA 22 mA, or no action.交替: Selectable alternation of set points between the relays for even wear on duplex pump applications.

产品详细介绍

产品详细介绍

产品详细介绍

本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差，不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性，同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减，而且还能够简

产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。