XM-166A骨结构模型   XM-166A骨结构模型显示骨的剖面及放大骨微细结构的形态特征。 尺寸：放大80倍，26×19×15cm 材质：PVC材料

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XM-852脾脏结构模型   XM-852脾脏结构模型新鲜的脾脏状态，显示了较厚的被膜，结缔组织伸入实质形成小梁，切面大部分呈暗红色为红髓，由淋巴鞘及脾小结（淡兰色）组成，红髓由脾窦（灰兰色）及脾索(黄色)组成，还显示了脾脏的血液循环。 尺寸：放大，33×25×18cm 材质：PVC材料

产品详细介绍 专业生产烘箱,冲击试验箱,淋雨试验箱,砂尘试验箱,高低温试验箱等 价格合理 质量上乘 服务第一.雅士林品牌鼓风干燥箱技术资料请参阅：鼓风干燥箱是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温试验的温度环境变化后的参数及性能。 鼓风干燥箱规格型号：型号            工作室尺寸D×W×H   外型尺寸D×W×HYSL-DHG-9035A   340×320×320mm     620×538×490mmYSL-DHG-9055A   420×395×350mm     720×590×520mmYSL-DHG-9075A   450×400×450mm     740×618×630mmYSL-DHG-9145A   550×450×550mm     840×670×730mmYSL-DHG-9245A   600×550×650mm     800×720×930mm 一、鼓风干燥箱规格与技术参数：温度范围：RT+10℃～250℃/300℃恒温波动度：≤±1℃温度分辨率：≤0.1℃升温速率：2.0～8.0℃/min温度定时范围：1-9999min载物托盘：2（PCS） 二、鼓风干燥箱箱体结构：鼓风干燥箱设计完美，箱体采用数控机床加工成型，操作容易，箱内采用美国进口电机。设有双层玻璃观察窗，供观察工作室状况之用。内胆为优质镜面不锈钢板，外壳为A3板喷塑处理，更显光洁、美观。电路系统侧采用门式开启，方便维护和检修。 送风循环系统采用低噪音、长寿命、空调型进口风机，风轮为多翼式离心风叶。热风循环系统由能在高温下连续运转的风机和合适的风道组成。工作室内温度均匀。保温系统采用超细玻璃纤维填充保温区,内外胆连接部位采用非金属耐高温材料,有效降低高温度传导。 三、鼓风干燥箱控制系统：温度控制器采用触摸按键、数显LED显示、PID智能控制仪表精度：0.1℃(显示范围)；感温传感器：PT100铂电阻测试器；控制方式：热平衡调温方式； 四、鼓风干燥箱使用条件环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃）环境湿度：≤85%RH电源要求：AC220V±10%   50±0.5Hz  单相三线制 鼓风干燥箱售后服务：1、安装调试：我司负责免费送货至客户指在地点, 并派专业技术人员免费安装调试，培训2～5名操作员到会操作为止。2、阳光售后服务承诺：公司产品均保修一年，终身维护。若产品出现问题，在接到报修电话15分钟响应，48小时内由我司专业维修人员上门处理。

本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差，不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性，同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减，而且还能够简

产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。