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依多训内镜手术培训机器人便携版
依多训内镜手术培训机器人依托云平台,将医学病理,影像数据、手术培训智能分析引擎等绝密数据及算法存储于云端。打破传统内镜手术培训的模式,为广大用户带来系统化,精确化,数量化的手术仿真培训教学。 系统集人机交互人工智能、VR、AR、医疗影像、机械电子等多个当代学科最尖端技术于一体,可广泛用于医疗行业的各个临床手术培训。
深圳智触计算机系统有限公司 2022-06-09
K9平凸球面镜11A1074R
材质:康宁7980、成都光明、贺利氏、肖特、石英、K9 、ZF7、ZBAF52、GE850、HWB780 使用波段:200nm-2500nm  透过>99.5% 型号:11A、11B、11C、11D、11E、11F 焦距: ±5mm — ±1000mm±1%  (德国三角光学测焦仪) 长度: 2mm — 300mm±0.1mm 宽度: 2mm — 150mm±0.1mm    中心厚度公差: ±0.02mm 中心偏差: 10秒 — 3分    表面精度: λ/10    (ZYGO测试报告) 有效口径: 90%  表面质量: 20/10 镀膜:可见、近红外增透膜、1064nm高反膜、633nm分光膜、8nm滤光膜、憎水膜、ITO导电膜等应用拉姆达1050+光度计测试(美国) 优势:超光滑表面<0.5nm面型pv<1/15,RMS值<0.02,光洁度20-10,不收开模及工装样板费 采用各类高品质的光学玻璃(各种火石玻璃、紫外熔石英、红外熔石英、康宁7980、H-K9L等)、光学晶体(氟化钙、氟化镁、硒化锌、单晶硅、锗等)作为原材料,加工制作高精度柱面镜可根据客户实际需求供应不同材料、型号的平凸球面透镜、平凸球面镜、平凹球面透镜、石英双凸球面镜、平凹球面镜、石英平凸球面镜,石英平凹球面镜、消色差透镜、胶合镜、CAF2平凸球面镜、CAF2双凸球面镜、CAF2平凹球面镜、氟化钙平凸球面镜、氟化钙双凸球面镜、氟化钙平凹球面镜、正弯月透镜、负弯月透镜、K9双凹球面镜、双凸球面镜、K9弯月透镜、硅透镜、锗透镜、硒化锌透镜等可根据客户要求进行镀膜广泛用于各类光学仪器、激光照明、化工仪器、电子电工仪器、等领域18000件库存,现货供应,可单片购买定制加工。
长春市三杰光电科技有限责任公司 2023-03-02
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学软包/固态电池电极极片制备设备采购及服务竞争性磋商
哈尔滨工程大学 2022-06-06
一种无机-有机复合粘结剂包覆软磁复合材料的制备方法
本发明公开一种无机-有机复合粘结剂包覆软磁复合材料的制备方法,它包括如下步骤:(1)对金属磁粉进行粒度配比混合;(2)将步骤(1)配比好的磁粉用钝化剂进行钝化;(3)将有机粘结剂和无机粘结剂复合成的粘结剂包覆(2)中钝化好的磁粉颗粒;(4)将(3)中粘结好的磁粉再进行压制成型得到磁粉芯;(5)将(4)中压制好的磁粉芯进行热处理,喷涂得到目标产物。本发明改善了有机粘结剂和无机粘结剂复合的效果,综合了它们各自的优点,成分选择合理使用效果好,对铁基、镍基和其他成分的金属软磁磁粉都有很好的绝缘粘结效果。采用本发明提供的无机—有机复合绝缘粘结剂所制备的磁粉芯具有综合的优良磁性能和力学性能。
浙江大学 2021-04-11
一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法
本发明公开了一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤:1)将金属磁粉过筛进行粒度配比;2)利用非均匀形核法对配好的金属粉末进行绝缘包覆后干燥;3)将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀,加入脱模剂干压成型,将其压制成坯样;4)将坯样于保护气氛中保温0.5~2h,空冷,喷涂,得到目标产物。本发明采用非均匀形核法制备的复合粉末包覆均匀、致密,包覆层厚度可控,具有良好的抗氧化性、高的电阻率、高的饱和磁化强度,具有优良的磁性能和力学性能;采用非均匀形核法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al2O3绝缘层,包覆效果优于现有方法,且可操作性强,便于批量生产。
浙江大学 2021-04-11
力学性能优异的高Bs高导MnZn软磁铁氧体材料 关键制备技术及应用
本成果先在绵阳赛茂科技有限公司实施产业化推广应用,实现新增产值4900万元,利税919万元,后技术转让乳源东阳光磁性材料有限公司,两年多时间内共实现新增销售收入12250万元,利税2295万元。 本成果获得国家发明专利14项,形成企业标准12项,发表论文40余篇。本成果促进了电子整机系统的多功能集成化、小型轻量化和提高可靠性,提高了我国软磁铁氧体企业的市场竞争力和产品定价话语权,推动了我国软磁铁氧体材料及器件产业结构调整和技术进步。 本成果原创性地建立了Ni2
电子科技大学 2021-04-14
一种基于自适应半软阈值小波变换的多路径误差提取方法
本发明提出了一种基于自适应半软阈值小波变换的多路径误差提取方法,应用于全球卫星导航系统中多路径误差的消除。首先利用卫星观测值得到双差伪距的残差值,作为待处理信号;利用小波变换对待处理信号进行多尺度分析,从中提取出待处理的多路径信号;然后使用FIR滤波器对待处理的多路径信号进行过滤,得到最终的多路径误差信号。其中,小波变换中的阈值函数采用自定义的半软阈值函数,并且采用自适应法搜索阈值点。本发明方法计算量小,计算速度快,可实施性强。还可根据不同实验环境自适应调节,以达到最好的抑制多路径误差的效果。
东南大学 2021-04-11
大象机器人-mycobot Pro机械臂—软夹爪和空气压缩机
联系我们:深圳市大象机器人科技有限公司 官网:https://www.elephantrobotics.com淘宝官方旗舰店:https://shop504055678.taobao.com/?spm=a1z10.1-c-s.0.0.2b0e58e7PY8UhV电话:+86 (0755) 8696 8565/+86 181 2384 1923地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦D座智方舟国际智能硬件创新中心D403 D504 D505
深圳市大象机器人科技有限公司 2021-12-09
RFID超高频读写模块高性能远距离读卡器多通道模块电子标签读写器
产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ,核心部件采用 R2000 为核心平台,R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可,可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议:ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取:端口最大输出33dBm,可根据需要设置功率,可应对非常密集的使用环境,多标签识别算法,行业内最强,每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz~960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013(可选配) RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI:可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率(端口) 33dbm±1dbm(MAX) 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离(读EPC码) 0-10米,连续读100次,读取成功率大于95%(无干扰环境)(8dBi圆极化天线@H3) 连续写标签距离(写EPC码) 0〜4米(与标签芯片性能有关),连续写100次,写成功率大于90%(8dBi圆极化天线@H3) 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 (33dbm):8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)
深圳市斯科信息技术有限公司 2025-12-27
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
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