云南光机，质量好，精度高，采用树脂砂精密铸件。 床身导轨超音频淬火，硬度高、淬硬层厚、刚性好，加宽导轨。底座、床身均采用树脂砂铸造、时效处理。 主轴三点支承，刚性好；采用日本轴承支撑，转速高、精度高、寿命长；主轴高低速变档，档内变频无级调速，保证低速大扭矩、高速恒功率；外露换档手柄使用方便； 采用高精度双螺母预紧滚珠丝杠传动，X/Z轴丝杠均为两头支承结构。 交流伺服电机与丝杠采用弹性联轴节无隙联结，消除了传动的误差，提供半闭环的传动精度。 三爪卡盘采用高刚度连接结构，国内呼和浩特机床附件公司生产（环球牌）。 国内常州亚兴四工位电动刀架，稳定可靠。 全封闭罩壳，双开门结构，操作方便，防屑防水；拉门采用整长线性导轨、灵活轻松；主轴箱罩装有铰链，便于维修；外形美观。 数控系统箱可旋转，操作更加宜人。 集中润滑系统，机床可以对所有滑动和滚动元部件进行集中润滑。 可编程控制自动冷却装置，喷水软管可随意转动，使冷却效果佳 出厂前用英国RENISHOW激光干涉仪对机床进行检测，并据此对丝杠螺距误差和反向进行补偿，保证机床出厂时有较多的精度储备。

功能特性 1、HY-50系列将自动推扫型高光谱与显微镜结合，可以借助显微镜的光路系统，配合不同倍率的物镜实现高倍率的观察与高光谱成像。  2、高空间分辨率和光谱分辨率 3、可见近红外显微系统采用透射式的光路结构，在不同放大倍率物镜下，可以清楚的观察、采集到相应的显微高光谱数据； 4、其它品牌如奥林巴斯、蔡司的生物、荧光、金相显微镜均可进行高光谱相机搭载，  应用领域 生命医药：细胞研究、药品研发、病理研究等; 电子行业：半导体检测、屏幕检测等

Analytical(理化分析低TOC)、Life Science(生命科学)、AnaIysis(基础分析) 水箱配备：配40L/80L/120L/300L标准水箱 产水量：5/10/20/40/80/100/120L/H 产水水质： 纯水：电导率2-10μs/cm@25℃(源水TDS<200ppm)符合中国实验室用水规格GB/T6682-2008三级水标 超纯水：电阻率16-18.2MΩ.cm@25℃； 适用范围： 各级常规实验室如区县疾控中心、质检所、药检所、环监站、企化实验室及各种高端精密仪器用水。 外形尺寸： 台式：360*520*540（长*宽*高）  立式：650*650*1100（长*宽*高）

产品覆盖系列：YE2高效率系列（3级能效）/YE3超高效率系列（2级能效）/YE4超超高效率系列（1级能效）/HM2出口型高效率系列（IE2）/HM3出口型超高效率系列（IE3）/YT轴流风机专用系列/YVF2变频驱动系列/Y3低压大功率系列/陆用防爆系列请详见危险场所类电动机。 功率范围：0.55~1500kW 机座号范围：80-560  电源：380V,50Hz /变频器驱动 适用设备：适用驱动各类型工业设备，水处理、暖通空调、造纸、纺织、冶金、电力、机床等制造行业。 适用环境：全球各大洲陆地环境。 资质：取得3C,CE,能效及节能认证证书

1、采用焊接结构床身，整体高温时效处理及高精密加工工艺 2、 采用龙门双驱结构 3、 采用航空铝材料横梁及Z轴 4、高精度齿条，齿轮双边结构 5、 距板凹凸面随动型切割头设计 6、 万向滚珠进料装置 7、 多重限位保护（感应限位、硬限位、原点限位） 产品特点 1、采用焊接结构床身，整体高温时效处理及高精密加工工艺 2、 采用龙门双驱结构 3、 采用航空铝材料横梁及Z轴  4、高精度齿条，齿轮双边结构 5、 距板凹凸面随动型切割头设计 6、 万向滚珠进料装置 7、 多重限位保护（感应限位、硬限位、原点限位）

MRFD1206A019C系列

PureForce ROE系列高纯水机技术特点 A：采用抛弃式一体化过滤柱，操作简单 B：模块化设计理念 C：具有自动判别和提示预处理柱，反渗透膜，微滤，紫外灯管等失效功能 D：采用CPU自动控制技术，智能判断及其的配置 E：操作面板简洁，大型液晶显示屏，可显示水箱液位等相关信息 F：0.01常数电阻率传感器，带温度自动补偿功能 G：内置一键消毒功能组件，可快速对RO膜及内管路清洗消毒 H：EDI模块，内置于主机，节省空间 I：标配与主机同一品牌的内置60L多功能纯水水箱 J:具有定量取水 K:具有密码设置功能，防止非相关人员的误操作 L:具有更换耗材时系统排空及更换耗材次数的记录功能

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

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